ZВХТ = h11 +(1+h21)ZR5C3
Выходное сопротивление каскада ZВЫХ состоит из параллельного соединения резистора R3 и выходного сопротивления транзистора 1/h22. Для определения выходного сопротивления транзистора желательно использовать более сложную эквивалентную схему с проводимостью h22, включенной между коллектором и эмиттером. Из эквивалентной схемы транзистора (см. рис. 3.2) видно, что значение h22 = 1/rКЭ. Однако для упрощения анализа вполне допустимо пренебречь этой проводимостью, так как в реальных каскадах h22 значительно меньше проводимости 1/R3 и ее влияние на ZВЫХ оказывается очень слабым.
С1 Б rБ' |
|
Б′ |
К |
RИ |
|
r Б'Э |
SuБ'Э |
RБ |
uБ'Э |
Со |
R3 U2 |
EИ 
Э
Рис. 4.3
Правда, такое допущение приводит к нежелательному результату: выходное сопротивление каскада перестает зависеть от обратной связи, создаваемой резистором R4. Но даже в этом случае рассматриваемое упрощение не вызывает заметных ошибок, так как из-за малости сопротивления R3 данная зависимость носит скорее теоретический характер. Сделанное выше допущение позволяет принять в качестве выходного сопротивления каскада сопротивление
ZВЫХ = RВЫХ = R3 . |
(4.6) |
Как правило, выходное сопротивление транзисторного резисторного каскада можно считать активным и постоянным для области частот, в которой параметры транзистора остаются не зависимыми от частоты. Перечисленные выше допущения позволяют значительно упростить эквивалентную схему транзисторного резисторного каскада (см. рис. 4.2) и перейти к эквивалентной
126
схеме (рис. 4.3), которую и будем использовать для дальнейшего рассмотрения свойств резисторного транзисторного каскада, особенно при анализе его частотной, фазовой и переходной характеристик. На этой схеме емкости транзистора СК и СБ'Э заменены входной динамической емкостью С0 в соответст-
вии с (3.20).
Область средних частот (ОСЧ) для широкополосного транзисторного резисторного каскада ограничивается крайними частотами, между которыми коэффициент усиления не изменяется более, чем на величину, указанную в техническом задании. Обычно эту величину выбирают равной –3дБ. Постоянство коэффициента усиления на данном участке частотного диапазона свидетельствует о том, что в этой области частотно-зависимые элементы схемы (С1 , С0) не оказывают влияния на работу каскада. Следовательно, они могут быть исключены из эквивалентной схемы (см. рис. 4.3).
Входное сопротивление транзистора для этой схемы определяется вели-
чиной
R |
ВХТ |
= u1 = uБ = h |
|
= r |
′ +r ′ , |
(4.7) |
|
|
iБ |
iБ |
11 |
Б |
Б Э |
|
|
а входное сопротивление всего каскада RВХ находится согласно (4.5) при условии, что R4 = 0.
Выходное сопротивление для ОСЧ по-прежнему равно сопротивлению R3, которое включено в коллекторную цепь транзистора.
Определим коэффициент усиления по напряжению К0, считая, что нагрузкой каскада является сопротивление R3. Напряжение uБ’Э равно
u |
′ |
= |
u1rБ′Э |
|
= u1rБ′Э |
(4.8) |
|
|
|
||||||
|
Б Э |
r ′ |
+r |
′ |
h |
|
|
|
|
|
Б Э |
Б |
|
11 |
|
отсюда для К0 можно записать следующее выражение:
K |
0 |
= u2 |
= SuБ′ЭR3 = |
SrБ′ЭR3 |
= h21 R |
3 |
= y R |
3 |
, |
(4.9) |
|
||||||||||
|
u1 |
U1 |
rБ′Э +rБ′ |
h11 |
21 |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
127
где y21 - проводимость прямой передачи для области средних частот, равная
y21 |
= |
|
SrБ′Э |
|
= h21 . |
(4.10) |
|
r |
|
|
|||||
|
|
′ + r |
′ |
h |
11 |
|
|
|
|
Б |
Б Э |
|
|
||
Сквозной коэффициент усиления K0Е равен
K |
0E |
= |
u2 |
= u2 |
u1 |
= |
RВХ |
h21 R |
3 |
= |
RВх |
y R |
3 |
. |
(4.11) |
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
EИ |
u1 EИ |
RВХ +RИ h11 |
|
21 |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
RВХ +RИ |
|
|
|
|||||||
Первая часть этого выражения является коэффициентом передачи входной цепи, состоящей из входного сопротивления каскада и внутреннего сопротивления источника сигнала.
При сравнительно малых сопротивлениях нагрузки коэффициент усиления линейно возрастает с ростом R3. Однако существенное увеличение этого сопротивления приводит к изменению положения рабочей точки, ухудшению питания коллекторной цепи транзистора, появлению заметных нелинейных искажений и в дальнейшем к снижению коэффициента усиления. Обычно сопротивление R3 выбирается таким образом, чтобы постоянное напряжение на коллекторе равнялось примерно половине напряжения питания каскада. Такое условие обеспечивает получение максимальной неискаженной амплитуды выходного напряжения. Увеличение крутизны y21, значение которой главным образом определяется постоянным током эмиттера, также ведет к росту коэффициента усиления.
В транзисторном резисторном каскаде без обратной связи нелинейные искажения, связанные с отсечкой базового и коллекторного тока, появляются уже при входных напряжениях, амплитуда которых U1мах достигает десятьпят- надцать милливольт. Амплитуда коллекторного тока каскада, работающего в режиме А, не может быть больше постоянной составляющей IМК ≤ I0К. В свою очередь
I |
MK |
= y U |
, I |
0K |
= ϕt , |
(4.12) |
|
21 1мах |
|
rЭ |
|
||
|
|
|
|
|
|
следовательно, амплитуда входного напряжения равна
128
U1мах = IMK ≤ I0K ,
y21 y21
где y21 – крутизна транзистора (4.10). Отсюда
U1мах ≈ I0K h11
h21
=ϕt rБ′ +rЭ(1+h21) . rЭ h21
Если теперь учесть, что обычно
(4.13)
(4.14)
h21 >>1 и rБ' << rЭ(1 + h21) ,
то получим
U |
≈ ϕt (1+ h21)rЭ ≈ ϕ |
t |
(φt ≈25mv). |
(4.15) |
1мах |
rЭh21 |
|
|
|
|
|
|
|
Введение отрицательной ОС за счет сопротивления R4 (см. рис. 4.2) позволяет заметно увеличить максимальное входное напряжение, при котором отсечка тока еще не наступает. В этом случае под воздействием отрицательной обратной связи изменяется крутизна транзистора y21F
y21F |
= |
|
h21 |
. |
(4.16) |
|
h11 |
+(1+ y21)R4 |
|||||
|
|
|
|
Амплитуда коллекторного тока при этом не изменяется, так как попрежнему сохраняется соотношение IМК ≤ I0К, а максимальное значение амплитуды входного напряжения U1махF изменится в соответствии с изменением крутизны. Отсюда
U1махF = |
|
y21 |
= h11 +(1+h21)R4 |
, |
|
|
||||||
|
y21F |
|
|
|||||||||
U1мах |
|
|
|
|
h |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
11 |
|
|
|
U |
= ϕ |
t |
|
y21 |
|
= ϕ |
[1+ |
(1+h21)R4 |
] = ϕ |
F , |
(4.17) |
|
|
|
|||||||||||
1махF |
|
y |
21F |
t |
|
h |
t |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
11 |
|
|
|
||
129
где |
F – глубина обратной связи |
|
|
|
F =1+ |
1+ h21 R4 . |
(4.18) |
|
|
h11 |
|
Из (4.17) следует, что введение такой ООС позволяет существенно увеличить максимальное напряжение (при отсутствии искажений) и тем самым расширить динамический диапазон каскада. Для увеличения U1мах желательно также увеличивать постоянный ток коллектора I0К и сопротивление R4, и то, и другое ведет к росту глубины ООС и к уменьшению сквозного коэффициента усиления.
K0F |
= y21FR3 |
= |
|
h21R3 |
= h21R3 |
= |
K0 . |
(4.19) |
|
h11 |
+(1+ h21)R4 |
||||||||
|
|
|
h11F |
|
F |
|
При выводе выражения для F использовалось значение входного напряжения u1, а не входной ЭДС ЕИ. Поэтому (4.18) является частным случаем и дает наибольшее возможное значение глубины обратной связи F, которое достигается при условии, что на входе усилителя включен идеальный генератор ЭДС
(RИ = 0).
Основное влияние на частотную характеристику каскада в области нижних частот оказывают разделительные емкости. Емкость С0 имеет сравнительно малую величину, ее сопротивление для области малых частот стремится к бесконечности, следовательно, ток по ней не протекает, и она может быть исключена из эквивалентной схемы.
Поэтому в схеме (рис. 4.4, а) отсутствуют все реактивные элементы, кроме конденсатора С1. Эта емкость включена последовательно во входной делитель и приводит к дополнительному снижению коэффициента усиления по мере уменьшения частоты.
130