Материал: Попов Э.Г. Основы аналоговой техники. Учеб. пособие для студ. радиотехнических спец

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

ZВХ

ZВЫХ

RВХ

rБ'	f	RВЫХ	f
	f		f
f1	f2	f1	f2
	Рис. 3.14	Рис. 3.15

Выходное сопротивление ZВЫХ на низких частотах оказывается малой величиной из-за влияния ООС по напряжению и определяется выражением (3.29). В диапазоне частот выше f1 глубина ОС уменьшается, а выходное сопротивление растёт, что позволяет говорить о индуктивном характере ZВЫХ (рис. 3.15). Теоретическое определение частот f1 и f2 для рис. 3.14 и 3.15 весьма затруднительно [1]. Получающиеся при этом выражения громоздки и трудно обозримы. Но, как указывалось выше, частотные свойства рассматриваемой схемы для каждого конкретного случая могут быть легко проанализированы с помощью программ проектирования радиотехнических схем на ПЭВМ.

Нелинейные искажения в схеме с ОК благодаря наличию ООС намного меньше, чем в схеме с ОЭ. Этот выигрыш особенно заметен при малых значениях сопротивления источника сигнала R1 (см. рис. 3.6). В этом случае создаются наиболее благоприятные условия для действия последовательной по входу обратной связи. С ростом R1 глубина последовательной ООС уменьшается, и нелинейные искажения растут, приближаясь к уровню, характерному для схемы с ОЭ.

Следует отметить, что схему с ОК часто называют эмиттерным повторителем за то, что сигнал на выходе почти не отличается от сигнала на входе (коэффициент передачи близок к единице, сигнал на входе и выходной сигнал имеют одинаковую фазу, искажения формы сигнала практически отсутствуют).

3.2.Схемы включения полевых транзисторов

3.2.1.Общие сведения

Для всего большого количества разнообразных полевых транзисторов (ПТ) характерно наличие трёх основных электродов, сопоставимых с соответствующими электродами биполярного транзистора (исток-эмиттер, затвор-база, сток-коллектор). Основные типы ПТ, отличающиеся технологией изготовления, полярностью напряжения питания и параметрами, а также их входные и выходные характеристики представлены на рис. 3.16, а – ж. Основное деление полевых транзисторов осуществляется по типу проводимости канала. Различают ПТ с каналом n-типа и р-типа. Тип канала определяет полярность напряжения питания цепи стока.

На рис. 3.16, а – б представлены транзисторы с затвором в виде управляемого p-n-перехода с каналами n- и p-типа соответственно.

Канал n-типа

Канал p-типа

ICH

-UЗ

+UЗ

-UЗ

+UЗ

UOTC

-UЗ

+UЗ

-UЗ

+UЗ

-UЗ

+UЗ

-UЗ

+UЗ

Рис. 3.16

Рабочая область напряжений между затвором и истоком для транзистора (см. рис. 3.16, а) находится в промежутке от UЗ = 0 до –UOTC. Для транзисторов с p-каналом (рис. 3.16, б) эта область лежит справа от UЗ = 0. Рис. 3.16, в – е относятся к ПТ с изолированным затвором и с встроенным каналом (рис. 3.16, в – канал n-типа; рис. 3.16, г – канал p-типа). Постоянное напряжение на затворах этих транзисторов может быть как положительным так и отрицательным. На рис. 3.16, д – е представлены ПТ с изолированным затвором и с индуцированным каналом (рис. 3.16, д – канал n-типа; рис. 3.16, е - канал p-типа). Их рабочие области находятся соответственно справа и слева от UЗ = 0. Выходные характеристики для всех типов транзисторов имеют одинаковую форму (рис. 3.16, ж), но при этом следует учитывать, что на сток транзисторов с n- каналом подается положительное напряжение, а с p-каналом – отрицательное. Существующие различия между типами ПТ, технологиями их изготовления, полярностями напряжений на электродах и т.д. не оказывают заметного влияния на вид эквивалентной схемы, применяемой для описания работы усилительных устройств, собранных на этих транзисторах. Это обстоятельство позволяет использовать для дальнейшего анализа только один тип транзистора (с управляемым p-n-переходом и каналом n-типа). При этом проведенный анализ в равной мере будет относиться и ко всем остальным типам ПТ.

3.2.2. Включение полевого транзистора по схеме с общим истоком

Принципиальная схема каскада с общим истоком представлена на рис. 3.17.

I0C

CЗС

	R1	ССИ
		ССИ	u2=uСИ	R2
	СЗИ		u2=uСИ	R2
	СЗИ
E1	u1=uЗИ		I0C
			I0C
	E0З	E0C	iC
	Рис. 3.17

Переход затвор-исток всегда включается в обратном направлении, следовательно, постоянный ток в цепи затвора не протекает. Постоянный ток стока I0C течёт от +E0C через R1, от стока к истоку и возвращается к –Е0C. Приложенное к затвору в настоящий момент положительное мгновенное значение напряжения источника сигнала приводит к увеличению тока стока. Это означает, что переменная составляющая тока стока iC в рассматриваемый момент времени протекает в ту же сторону, что и постоянная составляющая. Переменный ток стока, протекая по сопротивлению R2, создаёт на нём падение напряжения u2 с плюсом внизу и минусом вверху. Таким образом, схема с общим истоком меняет фазу усиливаемого сигнала на 1800.

Эквивалентная схема каскада представлена на рис. 3.18, а. На этой схеме крутизна транзистора S определяется как отношение приращения тока стока ∆iC к приращению напряжения на затворе ∆uЗ при постоянном напряжении на сто-

ке uC = const:

		S = ∆iC .
		∆uЗ
	З			С
	R1	CЗС
Е1	u1 = uЗ	SuЗ	Ri	u2 = uC R2
	RЗ	CЗИ		ССИ
а
	И			И
	З			С
	R1
E1	u1 = uЗ	С0		u2 = uC R2
б	RЗ	SuЗ	Ri	CCИ
б
	И			И
		Рис. 3.18

Смотрите также:

'Румунський' напрям української дипломатії в 1917-1920 рр.: новітній етап історіографічних досліджень
[БИЛЕТЫ] Спланхнология
1 лекция иос
1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЪЕМОВ РАБОТЫ ГРУЗОВЫХ ПУНКТОВ И СТАНЦИИ (Восстановлен)
1111
14
1480
1849
1880
1947