Материал: mikroshemotehnika

Таке ввімкнення не змінює принципу дії елемента, однак заземлення позитивної шини живлення забезпечує

меншу залежність вихідної напруги U0 , U1 від наводок у колі живлення. Це особливо важливо, враховуючи малу величину логічного перепаду в ЕЗЛ-елементах (рис. 2.23).

Рисунок 2.23 – Базовий ЕЗЛ-елемент і логічні рівні його потенціалів

Опірна напруга Uоп 1,2B створюється спеціальною

«вбудованою» температурно-компенсованою схемою на опірному транзисторі V3 (подільник R3, R4 , резистор R5,

термокомпенсувальні діоди Vg1, Vg2 , емітерний повторювач на транзисторі V4 ,), яка може живити опірною напругою кілька (до десяти) ЕЗЛ-елементів на одному кристалі.

Вихідні емітерні повторювачі (на V5 і V6 ) призначені

для підсилення вихідних сигналів за потужністю, забезпечення заданої навантажувальної здатності і зміщення рівня сигналів за напругою для забезпечення сумісності ІС за входом і виходом.

Особливістю їх є те, що навантажувальні резистори RH1 і RH2 номіналом 50 Ом, винесені за межі мікросхеми із

метою зниження розсіюваної потужності, можуть бути під’єднані до основного джерела живлення через високоомний резистор.

82

Узгодження вихідних і вхідних напруг рівнів ЕЗЛелементів при їх сумісній роботі забезпечується малим

під’єднані до джерела живлення E 5,2B.

Таке під’єднання дозволяє залишати незадіяні входи ІС ЕЗЛ неприєднаними.

З метою виключення впливу імпульсних завад, що виникають у колекторних колах емітерних повторювачів у момент перемикання схеми, використовуються дві роздільні шини «корпус»: одна – для вихідних емітерних повторювачів, друга – для логічної частини схеми.

Робота схеми. Елемент реалізує логічну операцію АБО НЕ/АБО у позитивній логіці з такими значеннями логічних рівнів (рис. 2.23):

UR2 0,8B . Напруга на виході 2 (вихід АБО) при цьому дорівнює

Uвих0 2 1,8В ( y2 0),

ана виході 1 (вихід АБО НЕ)

При подачі хоча б на один вхід ( x1 U1) логічної

«одиниці» вхідний транзистор (наприклад, V1) відкрива-

ється, а опірний транзистор V3 переходить до режиму відсічки, оскільки опірна напруга Uоп більш негативна, ніж мінімальне значення U1. При цьому струм IE протікатиме через відкритий вхідний транзистор і резистори R1, R6.

Негативний потенціал на об’єднаних колекторах вхідних транзисторів (вихід 1) набуде значення логічного «нуля»

Uвих0 1 1,8В,

анапруга на виході 2 підвищиться до рівня

Uвих1 2 0,8В.

Таким чином, за виходом 1 базовий ЕЗЛ-елемент виконує операцію АБО-НЕ, а за виходом 2 (транзистор V5 ) – операцію АБО. На основі розглянутого БЛЕ будуються серії 100, 500, К500.

2.4.3 Основні характеристики емітерно-зв’язаних логічних елементів

Типова СПХ ЕЗЛ-елемента зображена на рисунке 2.24. На СПХ можна виділити три характерні ділянки:

І – перший усталений режим U1 0,8B на виході 2;

U0 1,8B на виході 1; вхідні транзистори відкриті, в активному режимі, опірний транзистор у режимі відсічки, закритий.

ІІ – активна зона, в якій відбувається перемикання вхідних і опірного транзисторів (усі транзистори в активному режимі).

ІІІ – другий усталений режим:

Uвих1 U1 0,8B; Uвих2 U0 1,8B.

84

Один або всі вхідні транзистори закриті і працюють у режимі відсічки, а опірний транзистор відкритий, в активному режимі.

За СПХ при E 5,2B можна визначити такі параметри ЕЗЛ-елемента.

1Логічні рівні: U0 1,6 1,9B , U1 0,8 0,9B.

2Логічний перепад Um U0 U1 0,8 1,0B.

3Порогові значення вхідного сигналу (межі активної