г) Найдем заряд внутри поверхности S:
q L τ .
внут.S
д) Подставляя в уравнение Гаусса, получим:
E 2π r L |
1 |
L τ , |
|
||
|
ε0 |
|
откуда находим напряженность электрического поля на расстоянии r от проводника.
E |
τ |
|
ε0 2π r . |
(П2.3) |
(поле бесконечного линейного заряда)
Задача. Найти поле бесконечной однородной заряженной плоскости, если поверхностная плотность заряда σ.
а) Из симметрии получаем, что вектор E перпендикулярен плоскости. Окружим часть плоскости цилиндром радиуса R, (см. рис. П2.4), и применим теорему Остроградского-Гаусса:
|
E dS 1 |
q . |
||
|
|
|
|
|
S |
|
|
ε0 |
|
Рисунок П2.4 − Окружаем часть заряженной плоскости воображаемым цилиндром радиуса r
б) Найдём поток вектора Е через поверхность воображаемого цилиндра. Вследствие симметрии, потоки через каждый торец одинаковы, поэтому удваиваем поток через один торец:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
E cos0 dS |
|
E dS 2 |
|
E |
dS |
E dS 2 |
|
|
||||
S |
|
|
|
торцы |
|
бок |
|
|
торец |
. |
|
E cos90 dS 2 E |
dS 2 E π R 2 |
||||||||
|
|
|||||||||
|
бок |
|
|
|
|
торец |
|
|
|
|
в) Находим заряд, оказавшийся внутри воображаемого цилиндра:
q R2 .
внут.S
г) Подставляем результаты вычислений в уравнение ОстроградскогоГаусса и получаем:
71
2 E π R 2 |
1 |
σ π R 2 , |
|
||
|
ε0 |
|
откуда находим Е для заряженной плоскости:
E . (П2.4)
Напряженность поля заряженной плоскости не зависит от расстояния, (см.
рис. П2.5).
Рисунок П2.5 − Напряженность поля заряженной плоскости не зависит от расстояния. Плоскость заряжена положительным зарядом
Для отрицательно заряженной плоскости картина будет той же, но направление силовых линий изменится на противоположное, (см. рис. П2.6):
E |
|
|
σ |
|
|||
|
|
||
|
2 ε0 |
||
|
|
|
Рисунок П2.6 − Напряженность поля заряженной плоскости не зависит от расстояния. Плоскость заряжена отрицательным зарядом
Задача. Найти электростатическое поле для двух бесконечных равномерно заряженных плоскостей (конденсатор), (см. рис. П2.7).
Рисунок П2.7 − Электростатическое поле для двух бесконечных равномерно заряженных плоскостей, образующих конденсатор
Из принципа суперпозиции следует, что плоскость +σ создает поле E1=σ/(2∙ε0), направленное от плоскости (+σ), (на рис. П2.7 это поле изображено сплошными линиями). Плоскость (−σ) создает поле E2=−σ/(2∙ε0), направленное к плоскости (−σ), (на рис. П2.7 это поле показано пунктиром).
72
Суммируя эти поля с учётом их направления, получим, что результирующее поле вне конденсатора равно нулю, а между пластинами:
|E|=σ/ε0, (см. рис. П2.8).
Рисунок П2.8 − Поле внутри конденсатора
Задача. Найти поле, создаваемое заряженной сферической поверхностью,
(см. рис. П2.9).
Решение: 1) По теореме Остроградского-Гаусса имеем:
|
E dS 1 |
q . |
||
|
|
|
|
|
S |
|
|
ε0 |
|
Рисунок П2.9 − Схема к определению поля, создаваемому заряженной сферической поверхностью
2)Из симметрии следует, что E направлено вдоль радиуса.
3)Чтобы найти поле внутри сферы, создадим воображаемую сферу
радиусом r1<R внутри, и к ней применим теорему Остроградского-Гаусса. Получаем:
E cos0 dS 0 ,
т.к. заряд внутри равен нулю, уравнение преобразуется к виду 4π∙E∙r2=0.
Отсюда получаем, что поле внутри сферы равно нулю Евнутр.сф.=0.
б) Вне сферы. Теперь создадим воображаемую сферу радиусом r2 вне заданной сферы. Получим:
E cos0 dS |
1 |
q |
или E 4π r2 |
1 |
q |
|
|
||||
|
ε0 |
|
ε0 |
||
Итак, напряжённость электрического поля вне сферы оказалось таким же, как в случае, если бы весь заряд, находился бы в центре сферы.
E |
q |
|
. |
|
|
|
|
||
4π ε |
0 |
r2 |
||
|
|
|
|
|
Итак, результирующее поле заряженной сферы имеет вид:
73
внутри: 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
E вне : |
E |
q |
. |
|
|
2 |
|
||
|
|
4π ε0 r |
|
|
|
|
|
|
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. ДИПОЛЬ. НАПРЯЖЕННОСТЬ И
ПОТЕНЦИАЛ ПОЛЯ ДИПОЛЯ
Электрический диполь − это система из двух равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов.
Расстояние между зарядами l называется плечом диполя.
Вектор L направлен от отрицательного заряда к положительному,
(см. рис. П3.1).
Рисунок П3.1 − Электрический диполь
Величина pe=q∙L называется электрическим дипольным моментом.
Направлен дипольный момент от минуса к плюсу, (см. рис. П3.1).
Если диполь pe поместить в электрическое поле, напряжённостью E, то на заряды действует пара сил F1 и F2, которая стремится развернуть вектор pe вдоль поля E. При этом возникает момент сил M=p×E. (см. рис. П3.2).
Рисунок П3.2 − Момент силы
Найдем напряженность поля диполя на его оси (см. рис. П3.3).
Рисунок П3.3 − Поле на оси диполя
Решение: из рис. П3.3 видно, что результирующее поле E имеет величину:
E E2 E1 |
|
q |
|
|
|
|
q |
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
4π ε |
0 |
r2 |
|
4π ε |
0 |
r2 |
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
|||
|
q |
|
|
r2 r2 |
|
|
q |
|
|
|
|
2 r L |
|
|
2 р |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
4π ε |
|
r2 r2 |
4π ε |
|
|
r4 |
|
|
4π ε r3 |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
е |
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
o |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
74 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
где r+ и r- - расстояния от рассматриваемой точки до положительного и отрицательного заряда, соответственно, и учтено, что при r+ и r- l эти величины приближенно можно заменить на расстояние до центра диполя r.
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
1 |
|
2 pe |
. |
(П3.1) |
||
E |
ось |
|||||||
4π ε0 |
|
|||||||
|
|
|
r3 |
|
||||
|
|
|
|
|
||||
(напряженность на оси диполя)
Теперь вычислим потенциал поля диполя на его оси:
r |
2 p |
|
r |
dr |
|
2 p |
|
|
|
1 |
|
|
|
p |
e |
|
|
1 |
|
|
||
на_оси E dr |
|
e |
|
|
|
|
e |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
(П3.2) |
|||
|
|
3 |
|
2 r |
2 |
4π ε |
|
|
2 |
|||||||||||||
|
4π ε0 |
r |
|
|
4π ε0 |
|
|
|
|
|
0 |
|
r |
|
|
|
||||||
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ГАЗАХ. НЕСАМОСТОЯТЕЛЬНЫЙ И САМОСТОЯТЕЛЬНЫЙ РАЗРЯДЫ. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ПЛАЗМА. РАБОТА ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛА. ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
Сверхпроводимость
Эффект сверхпроводимости заключается в скачкообразном исчезновении сопротивления при очень низких температурах (см. рис. П.4.1а).
Температура, при которой происходит этот переход, называется критической температурой Тк (см. рис. П.4.1б).
Слабое магнитное поле не проникает в сверхпроводник: его магнитная проницаемость μ=0. Сильное внешнее магнитное поле B>BK разрушает сверхпроводящее состояние. То же происходит от сильного тока, проходящего через сверхпроводник.
а) б)
Рисунок П4.1 − Температурные зависимости удельного сопротивления и магнитной проницаемости металлов. а) Зависимость удельного сопротивления ρ от температуры для некоторых металлов; б) Зависимость критического магнитного поля ВK от температуры
сверхпроводника
Теорию сверхпроводимости создали Бардин, Купер, и Шриффер (теория БКШ). Ее суть следующая. Электрон немного притягивает к себе соседние положительные атомы решетки. Электрон и деформированная решетка создают положительную систему, к которой притягивается второй электрон. Наиболее выгодный режим создается, когда два электрона вращаются по кругу вокруг деформированной положительной области решетки (см. рис. П4.2).
75