Материал: Tverdotila_elektronika

Рисунок 2.5 – ВАХ універсального діода

2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них

Імпульсні діоди використовують як ключові елементи в пристроях імпульсної техніки. За конструкцією і характеристиками вони нагадують універсальні діоди. Крім високочастотних властивостей (мінімальної ємності ), ці діоди повинні мати мінімальну тривалість перехідних процесів у момент вмикання та вимикання.

Перехідні процеси у діодах існують завжди й особливо виявляються при роботі з імпульсами малої тривалості або миттєвими перепадами напруг і струмів. Вони пов’язані з процесами накопичення та розсмоктування носіїв у базі діода.

Розглянемо ці фізичні процеси (рис. 2.6 та 2.7) при високому рівні інжекції.

При вмиканні прямого струму в момент у базі діода поступово наростає надлишкова концентрація неоснов­них нерівноважних носіїв заряду (рис. 2.6 в). У початковий момент внаслідок малої кількості цих носіїв електропровідність приладу незначна (опір бази великий), і пряма напруга на діоді буде завищеною (як спад напруги на великому опорі бази діода при протіканні ). У міру накопичення неосновних носіїв (інжекції) опір бази поступово зменшується, і напруга на діоді також зменшується до усталеного значення (рис. 2.6 б). Час називається часом установлення прямого опору.

Рисунок 2.6 – Перехідні процеси в діоді при вмиканні

Якщо тепер перемкнути діод, тобто замінити на запірну в момент (рис. 2.7 а), то зворотний струм різко зростає до значення (рис. 2.7 б) внаслідок того, що опір бази не може зрости миттєво. Ще у стані прямого ввімкнення діода поле  переходу виштовхує дірки з n-області бази, створюючи дрейфовий струм. Безпосередньо після моменту перемикання ефективність екстракції стає значно вищою (за рахунок зменшення дифузійного струму), і нерівноважні дірки розсмоктуються з бази, збільшуючи її опір (рис. 2.7 в). Розсмоктуванню неосновних носіїв з бази сприяє й рекомбінація дірок з електронами. Цей процес проходить впродовж часу відновлення зворотного опору бази до того моменту, поки струм не зменшиться до рівноважного усталеного значення , яке відповідає великому опору включеного в зворотному напрямі  переходу і збідненої на носії бази.

Рисунок 2.7 – Перехідні процеси в діоді при вимиканні

Швидкодія імпульсних діодів збільшується за допомогою введення спеціальних легуючих домішок, які зменшують середню тривалість життя неосновних носіїв. Такими домішками до НП n-типу є, наприклад, золото.

Іншим способом зменшення часу відновлення зворотного опору бази є використання бази з нерівномірною концентрацією домішок. Це можна здійснити, наприклад, за допомогою дифузії акцепторів до НП n-типу. На рисунку 2.8 показано розподіл різниці концентрацій акцепторів та донорів і створення  переходу в НП.

Рисунок 2.8 – Створення переходу з нерівномірним розподілом донорів у базі дифузією акцепторів до НП n-типу

З рисунка бачимо, що концентрація домішок у базі при наближенні до  переходу зменшується, тому нерівно­мірною буде й концентрація основних носіїв – електронів. Унаслідок цього електрони дифундують у бік  переходу, залишаючи за собою нескомпенсований заряд позитивних іонів. У базі виникає електричне поле , спрямоване в бік переходу. Під дією цього поля дірки, інжектовані до бази при вмиканні діода в прямому напрямі, накопичуються біля межі  переходу. При перемиканні діода з прямого напряму на зворотний ці дірки під дією поля  переходу швидко виходять з бази до емітера, і час відновлення зворотного опору зменшується. Діоди з такою технологією виготовлення називають діодами з накопиченням заряду.

Досить ефективним шляхом збільшення швидкодії імпульсних діодів є використання в них бар’єрів Шотткі. Як відомо, в таких діодах зовсім відсутня інжекція (див. п. 1.3.4).

Основні спеціальні параметри імпульсних діодів: ім­пульсна пряма напруга при даному імпульсі прямого струму; час усталення прямої напруги ; час відновлення зворотного опору . Останній параметр зашифровано в третьому елементі позначення діода (таблиця 2.2).

Таблиця 2.2

Приклад позначення імпульсних діодів: 2Д504А – кремнієвий, імпульсний, призначений для пристроїв спеціального використання, час відновлення зворотного опору більший за 150 нс, номер розробки 04, група А.

Більшість імпульсних діодів має металево-скляне або скляне конструктивне оформлення.

2.6 Тунельні та обернені діоди

Тунельними називаються діоди, які мають на прямій гільці своєї ВАХ ділянку з негативним диференціальним опором унаслідок тунельного ефекту.

Тунельний ефект полягає у тунельному проникненні електрона через  перехід, тобто такому проникненні, коли електрон з ВЗ однієї області прямо потрапляє до ЗП іншої області. Це стає можливим, якщо товщина переходу дуже мала (менша 150 Å) і якщо енергетичним рівням, заповненим електронами в одній області, відповідають такі ж вільні дозволені енергетичні рівні в сусідній області. Ці умови здійснюються в  переходах з НП, які мають високу концентрацію домішок (). Товщина  переходів у цьому випадку має порядок см, що зумовлює високу напруженість електричного поля переходу і забезпечує ймовірність тунельного ефекту. У таких НП атоми домішок внаслідок малої відстані взаємодіють між собою, їх рівні розщеплюються в зони, які прилягають у НП р-типу до ВЗ, а в НП n-типу  до ЗП. Такі напівпровідники називають виродженими, оскільки в них рівні Фермі розміщені в ЗП n-області і в ВЗ р-області.

Вигляд ВАХ тунельного діода можна пояснити за допомогою енергетичних діаграм (рис. 2.9). На діаграмах рівні ВЗ та ЗП напівпровідників, що заповнені електронами, заштриховані.

При зовнішній напрузі (рис. 2.9 а) рівень Фермі всієї системи однаковий (). Напроти зайнятих електронами рівнів р-області розміщуються зайняті рівні n-області. Тунельний перехід електронів неможливий, струм дорівнює нулю.

Під дією прямої напруги рівні Фермі зміщуються на величину (рис. 2.9 б), і напроти частини енерге­тичних рівнів, зайнятих електронами в n-області (подвійне штрихування), опиняться вільні рівні в р-області. Внаслідок цього відбувається тунельний перехід електронів з n-області до р-області і протікає прямий тунельний струм, величина якого пропорційна площі перекриття вільних енергетичних рівнів ВЗ р-області й заповнених енергетичних рівнів ЗП n-області. Тунельний струм зростатиме доти, поки перекриття не стане максимальним (рис. 2.9 в). Подальше зростання прямої напруги зменшує площу перекриття відповідних рівнів, і тунельний струм зменшується (рис. 2.9 г). При певній прямій напрузі зайняті електронами енергетичні рівні ЗП n-області стануть напроти енергетичних рівнів ЗЗ р-області. Тунельний перехід електронів у цьому випадку стане неможливим, і тунельний струм припиниться. У той самий час при прямих напругах у діоді відбувається, як правило, інжекція носіїв, що зумовлює протікання через нього дифузійного струму (рис. 2.9 д, е), який при напрузі стає більшим, ніж тунельний струм.

Якщо діод включити у зворотному напрямі, то рівні Фермі зміщуються так, як показано на рис. 2.9 ж, і з’являється можливість тунельного переходу електронів із заповнених рівнів ВЗ р-області на вільні рівні ЗП n-області. Це приводить до протікання через діод великого зворотного тунельного струму.

Рисунок 2.9 – ВАХ тунельного діода та її утворення

 переходи тунельних діодів одержують здебільшого способом сплавлення з германію, арсеніду галію та антимоніду галію. Оскільки для виготовлення таких діодів використовують вироджені НП, які за характером провідності наближаються до металів, то робоча температура приладів досягає 400С.

Недоліком тунельних діодів є мала потужність із причини низьких робочих напруг (десяті частки вольта) і малих площ переходу.

За своїм призначенням тунельні діоди поділяють на підсилювальні (третій елемент позначення – 1), генераторні (2) та перемикальні (3).

Приклади позначення тунельних діодів:

АИ201Г – діод тунельний генераторний, широкого використання, з арсеніду галію, номер розробки 01, група Г.

ЗИ306Е – діод тунельний перемикальний, спеціального призначення, з арсеніду галію, номер розробки 06, група Е.

Тунельні діоди дозволяють будувати підсилювачі, генератори, змішувачі у діапазоні хвиль аж до міліметрових. На тунельних діодах створюють і різноманітні імпульсні пристрої: тригери, мультивібратори з дуже малим часом перемикання.

Частковим випадком тунельних діодів є обернені діоди, у яких внаслідок тунельного ефекту провідність при зворотних напругах значно більша, ніж при прямих.  переходи обернених діодів створюються напівпровід­никами, що мають дещо меншу концентрацію домішок, і тому рівні Фермі збігаються з краями ЗП і ВЗ (рис. 2.10 а). При вмиканні таких діодів у зворотному напрямі тунельні електрони з ВЗ р-області переходять на вільні рівні ЗП n-області, і через  перехід тече великий зворотний струм. При прямому вмиканні діодів перекриття зон не здійснюється, тунельний ефект не відбувається, і прямий струм визнача­ється лише дифузійним струмом. ВАХ оберненого діода показана на рисунку 2.10 б. Саме її форма дала назву цим діодам.

Третій елемент їх позначення – цифра 4. Мала інерційність унаслідок тунельного ефекту і велика крутизна характеристики зумовлюють використання обернених діодів у детекторах і змішувачах діапазону надвисоких частот.

а)

б)

Рисунок 2.10 – Енергетична діаграма (а)

та ВАХ (б) оберненого діода