Материал: Tverdotila_elektronika

– дірковий струм колектора

– коефіцієнт перенесення носіїв через базу

– керована складова колекторного струму

М – коефіцієнт множення носіїв у колекторному переході

– статичний коефіцієнт передачі струму емітера в схемі зі спільною базою

– статичний коефіцієнт передачі струму бази в схемі зі спільним емітером

– напруга пробою на колекторному переході

– рекомбінаційна складова базового струму

– некерована складова колекторного струму в схемі зі спільним емітером

– статичний коефіцієнт передачі струму бази в схемі зі спільним колектором

– вхідна та вихідна напруга

– вхідний та вихідний струм

– напруга між базою і колектором

– тепловий опір

– максимальна потужність, що розсіюється колектором

– товщини емітерного та колекторного переходів

– вхідний опір

– коефіцієнт зворотного зв’язку

– коефіцієнт передачі струму

– вихідна провідність

– диференціальний опір емітерного переходу

– диференціальний опір колекторного переходу

– розподілений (об’ємний) опір бази

– диференціальний коефіцієнт передачі струму емітера

– ємність роздільного конденсатора

– ЕРС емітерного джерела живлення

– ЕРС колекторного джерела живлення

– струм, що протікає через роздільник напруги

– вхідний та вихідний опори каскаду

– коефіцієнти підсилення напруги, струму, потужності

– опір джерела вхідного сигналу

– опір навантаження

j – уявна одиниця

– циклічна частота

– частота зрізу транзистора

– бар’єрна ємність колекторного переходу

– напруженість електричного поля

– коефіцієнт передачі струму складеного транзистора

– струм увімкнення, вимкнення

– напруга між стоком та витоком ПТ

– напруга між затвором та витоком ПТ

, – струм затвора, стоку ПТ

– напруга відсічки на затворі

– контактна різниця потенціалів

δ – товщина р-n – переходу

w_к – ширина каналу

– опір каналу

– довжина каналу

U_свпер – напруга перекриття каналу (на стоці)

U – напруга між стоком і затвором ПТ

– крутість польового транзистора

r_iпт – внутрішній опір ПТ

µ_пт – статичний коефіцієнт підсилення напруги

σ – питома електропровідність

р_і, n_i – власна концентрація дірок

Іс_поч – початковий струм стоку

µ_т – рухомість носіїв залежно від температури

r_ксер – середній опір каналу

– ємність між затвором і витоком, стоком і витоком, стоком і затвором ПТ

ω_з – гранична частота ПТКП (частота затвора)

Q_’0’,Q_’1’ – нульовий та одиничний заряд потенціальних ям ПЗЗ

U_А, І_А – анодні напруга, струм

– опір навантаження

h_21б – статичний коефіцієнт передачі струму емітера БТ в схемі зі спільною базою

– напруга ввімкнення тиристора

– струм вимкнення (утримування) тиристора

– порогова напруга

Ф – світловий потік

– інтегральна світлочутливість фотоприймача

– фотострум

– темновий струм

– фотоЕРС

Список скорочень

ВАХ – вольт-амперна характеристика

ВД – випрямний діод

ВЗ – валентна зона

ЗЗ – заборонена зона

ЗП – зона провідності

ЕРС – електрорушійна сила

НП – напівпровідник

ОД – обернений діод

ТД – тунельний діод

ТКН – температурний коефіцієнт напруги

АР – активний режим

БТ – біполярний транзистор

ЕП – емітерний перехід

ІР – інверсний режим

КП – колекторний перехід

РВ – режим відсічки

РН – режим насичення

ССБ – схема зі спільною базою

ССЕ – схема зі спільним емітером

ССК – схема зі спільним колектором

ККД – коефіцієнт корисної дії

МДН – метал-діелектрик-напівпровідник

МОН – метал-окис-напівпровідник

НПП – напівпровідниковий прилад

ПЗЗ – прилад із зарядовим зв’язком

ПТ – польовий транзистор

ПТКП – польовий транзистор з керувальним

p-n – переходом

Список літератури

1 Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.

2 Булычёв А.Л. Электронные приборы. – М.: Воениздат, 1982. – 416 с.

3 Васильєва Л.Д., Медведенко Б.Г., Якименко Ю.І. Напівпровідникові прилади: Підручник. – К.: ІВЦ видавництво «Політехніка», 2003. – 388 с.

4 Воронков Э.Н. Твердотельная электроника doc. М.: МЭИ, 2002. – 181 с.

5 Гуртов В.А. Твердотельная электроника. – М.: Техносфера, 2008. – 478 с.

6 Гусев В.А. Твердотельная электроника. – М.: СевНТУ, 2004. – 635 с.

7. Евецкий В.Л., Новиков В.Ф. Электронные приборы и основы микроэлектроники: Основы микроэлектроники / Ч.II: Конспект лекций. – Киев: КВИРТУ ПВО, 1988. – 280 с.

8 Москатов Е. А. Электронная техника. – Таганрог, 2004. – 121 с.

9 Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987. – 433 с.

10 Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М,: Энергия, 1987. – 672 с.

11 Шкаев А.Г. Твердотельная электроника. Конспект лекций. Омск, изд. ОмГТУ, 2009. – 224 с.

12 Щука А. А. Электроника – СПб: БХВ – Петербург, 2008. – 752 с.

Зміст

С.

Передмова 3

1 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТА ЕЛЕКТРОННО-ДІРКОВИХ ПЕРЕХОДІВ 4

1.1 Загальні відомості про напівпровідники 4

1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників 6

1.1.2 Електронна провідність напівпровідників 8

1.1.3 Діркова провідність напівпровідників 10

1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та

тривалість їх життя 11

1.1.5 Види струмів у напівпровідниках 14

1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому 16

1.2.1 P-n  переходи та способи їх виготовлення 16

1.2.2 P-n  перехід за відсутності

зовнішньої напруги 19

1.2.3 P-n  перехід під дією зовнішньої напруги 23

1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28

1.2.5 Параметри переходу 30

1.2.6 Реальна ВАХ  переходу 35

1.3 Різновиди електричних переходів та контактів 39

1.3.1 Гетеропереходи 39

1.3.2 P⁺- p та n⁺- n  переходи 40

1.3.3 P- i  та n - i  переходи 41

1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками 42

1.3.5 Омічні контакти 42

2 НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ 44

2.1 Класифікація та система позначень діодів 44

2.2 Випрямні діоди 45

2.3 Напівпровідникові стабілітрони 49

2.4 Універсальні діоди 53

2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них 55

2.6 Тунельні та обернені діоди 59

2.7 Варикапи 63

2.8 Діоди Шотткі 66

3 Біполярні транзистори 69

3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69

3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69

3.1.2 Способи вмикання й режими роботи

біполярних транзисторів 73

3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі 75

3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h_21Б 80

3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором 83

3.1.6 Модель Еберса-Молла 86

3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів 89

3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою 91