35
В практических схемах необходимо обеспечить запас устойчивости по фазе зап не ниже 45 эл. град. При этом подъем KОС на частотах возможной генерации fгн и fгв (см. рис. 2.2) не превышает 3 дБ.
На тех частотах, где дополнительный фазовый сдвиг в петле равен радиан (180 эл. град.) и ООС превращается в ПОС, петлевое усиление должно упасть до величины, меньшей единицы (Т<0 дБ). Тогда самовозбуждения усилителя не произойдет.
Дополнительные фазовые сдвиги на верхних частотах возникают за счет постоянных времени транзисторов, на нижних частотах – за счет разделительных и блокировочных конденсаторов.
Для повышения устойчивости усилителя необходимо стремиться к тому, чтобы область частот, в которой проявляются искажения, вносимые какой-либо одной цепью, по возможности была удалена от тех областей частот, в которых проявляются искажения, вносимые другими цепями. Иначе говоря, необходимо разносить по величине постоянные времени, характеризующие искажения за счет каждой цепи. Если в усилителе одна из цепей приводит к искажениям, т.е. к уменьшению усиления, значительно раньше, чем остальные цепи, внося дополнительный фазовый сдвиг в петле 90 эл. град., то такой же дополнительный фазовый сдвиг за счет других цепей вносится на частоте, где петлевое усиление уже упало ниже единицы и усилитель не самовозбуждается.
До сих пор рассматривались обратные связи, создаваемые в усилителях специально. Но в усилителе могут быть и паразитные ОС, которые возникают в усилителе самопроизвольно и существенно ухудшают его работу.
Существует несколько видов паразитных обратных связей: а) паразитная связь между каскадами через цепи питания.
Такая связь обычно имеется в многокаскадном усилителе, питающемся от одного источника питания. Мощные оконечные каскады создают на внутреннем сопротивлении источника питания заметное падение напряжения от переменной составляющей тока. Это переменное напряжение попадает в цепи питания первых каскадов усиления, образуя нежелательные паразитные ОС. Для устранения такого вида ОС применяют развязывающие RC-
36
фильтры, как при сглаживании пульсаций напряжения в выпрямителе;
б) емкостные и индуктивные ОС возникают из-за нерационального монтажа, когда в многокаскадном усилителе выходные цепи усилителя расположены вблизи его входных цепей, что приводит к появлению заметной емкости и взаимной индуктивности между элементами входной и выходной цепей. Такие виды ОС устраняют рациональным монтажом и экранированием первых каскадов усилителя.
2.7 Пример расчета характеристик усилителя с ООС
Задание. Построить АЧХ, ФЧХ и переходную характеристики УПТ, операторный коэффициент передачи которого опре-
деляется выражением K(p) K0 , при введении частотно- 1 p
независимой ООС с коэффициентом передачи (p) . Решение. Требуемые характеристики УПТ с ООС построены
на рис. 2.4 и 2.5.
Сначала получим выражения и построим характеристики рассматриваемого усилителя до введения ООС.
Комплексный коэффициент передачи получим заменой оператора p на j :
K j |
K0 |
Re jIm |
K0 |
|
|
j |
K0 |
. |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
||||||||||
1 j |
|
|
|
1 2 |
|
|
1 2 2 |
|
||||||||||||
Уравнение АЧХ: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
K0 |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
||||||
K( ) |
|
K(j ) |
|
Re2 Im2 |
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 ( )2 |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Уравнение логарифмической АЧХ (ЛАЧХ): |
|
|||||||||||||||||||
K( ),дБ 20lgK( ) 20lgK0 20lg |
|
1 2 |
. |
|||||||||||||||||
Обычно вместо реальной ЛАЧХ строят лишь ее асимптоты (т.е. асимптотическую ЛАЧХ):
1) при 1 получаем уравнение низкочастотной асим-
птоты: K,дБ 20lgK0;
37
K, дБ
K0 |
|
–20 дБ/дек |
|
A |
|||
KОС |
|||
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
1/ |
1/ ОС |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ОС( ) |
|||
|
|
|
|
|
|
|||
4 |
|
|
( ) |
|||||
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 2.4 |
– ЛАЧХ и ФЧХ УПТ |
||||
2) при 1 получаем уравнение высокочастотной асимптоты: K( ), дБ 20lgK0 20lg . Асимптоты пересекаются на
частоте |
сопряжения |
1 , совпадающей с верхней граничной |
||
частотой |
полосы |
пропускания УПТ в, на которой |
||
K,дБ 20lgK0 20lg |
|
2 |
K0 3,дБ. |
|
По оси абсцисс наносят абсолютные значения частот через декады. Наклон высокочастотного участка ЛАЧХ составляет минус 20 децибел на декаду.
Уравнение фазочастотной характеристики:
|
|
( ) argK(j ) arctg |
Im |
arctg( ) arctg |
. |
|||||||
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
Re |
Фазовый сдвиг при из- |
|||||||
h t |
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
менении частоты изменяется |
|||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
1 |
|
|
|
|
от 0 до 90 эл. град., причем |
|||||||
0,9 |
|
|
|
|
на |
частоте |
сопряжения |
|||||
|
|
hОС(t) |
|
|
1 он равен 45 эл. град. |
|||||||
|
|
|
|
|
Переходная |
характери- |
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
0,1 |
|
h(t) |
|
|
стика |
K(p) |
|
|
1 |
|
||
|
tф |
|
|
|
h(t) |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
t0,1 |
t0,9 |
t |
p K0 |
p(1 p ) |
||||||||
|
|
|||||||||||
|
|
Рис. 2.5 – Переходные |
|
|
имеет вид нарастающей экс- |
|||||||
|
|
|
|
поненты |
|
|
|
|
|
|||
|
|
характеристики УПТ |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
38 |
|
|
|
||
|
h(t) 1 e t / . |
|
|
|||
Подставив в это |
уравнение |
значения h(t0,1) 0,1 и |
||||
h(t0,9) 0,9, получим t0,1 |
ln |
|
и t0,9 |
ln |
|
, что позволяет за- |
|
|
|||||
|
0,9 |
|
|
0,1 |
||
писать соотношение для оценки времени нарастания фронта импульса в виде
tф t0,9 t0,1 ln0,9 2,2 . 0,1
Так как в |
1 , |
можем записать tф |
|
2,2 |
|
2,2 |
|
0,35 |
. |
|
2 fв |
|
|||||||
|
|
|
|
в |
|
fв |
|||
Если подставить в это выражение значение верхней граничной частоты в мегагерцах, получим значение времени нарастания фронта переходной характеристики в микросекундах.
Операторный коэффициент передачи УПТ при введении ООС определяется выражением
|
K(p) |
|
|
|
K0 |
|
|
|
K0 |
|
|
KОС |
|
||
KОС(p) |
|
|
1 p |
|
|
|
|
|
|
, |
|||||
1 (p)K(p) |
|
|
K0 |
|
1 p K |
|
|
||||||||
|
|
1 |
|
|
1 p |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
ОС |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
1 p
где KОС K0 – коэффициент усиления с ООС в рабочем диапа-
A
зоне частот;
ОС – эквивалентная постоянная времени усилителя с
A
обратной связью;
A 1 K0 – глубина ООС.
Анализ полученного выражения показывает, что наряду с уменьшением коэффициента передачи в А раз пропорционально глубине обратной связи уменьшилась постоянная времени. Во столько же раз расширяется полоса пропускания усилителя, уменьшается время нарастания фронта импульса, уменьшаются и фазовые сдвиги небольшой величины (при 1 ).
|
|
|
|
39 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ И МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ |
|||||||||||
|
ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ |
|
|
|||||||||
|
3.1 Способы включения биполярного транзистора |
|||||||||||
|
В схемах усилителей используется активный режим работы |
|||||||||||
биполярных транзисторов, когда эмиттерный переход смещен в |
||||||||||||
прямом, а коллекторный переход – в обратном направлении. Ве- |
||||||||||||
личины токов эмиттера, базы и коллектора зависят от напряже- |
||||||||||||
ний, приложенных к электродам транзистора. В зависимости от |
||||||||||||
способа подключения источника входного сигнала Uвх и сопро- |
||||||||||||
тивления нагрузки R и того, какой из электродов транзистора яв- |
||||||||||||
|
|
IЭ |
IК |
|
|
ляется для них общим, |
||||||
|
|
|
|
различают схемы вклю- |
||||||||
Uвх |
|
|
|
|
||||||||
UЭБ |
UКБ |
R |
Uвых |
чения |
транзистора |
с |
||||||
|
|
+ |
|
общей |
базой (ОБ), |
об- |
||||||
|
+ |
|
IБ |
|
|
щим эмиттером (ОЭ) и |
||||||
|
|
|
|
|||||||||
а – Схема с общей базой |
|
|
общим |
коллектором |
||||||||
|
|
(ОК). Схемы включения |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
показаны на рис. 3.1, а, |
||||||
|
|
|
IК |
|
|
б, |
в соответственно. |
На |
||||
|
|
IБ |
|
|
схемах |
указаны |
поляр- |
|||||
|
|
|
R |
Uвых |
||||||||
|
|
|
UКЭ |
ности |
напряжений |
ис- |
||||||
Uвх |
UЭБ |
+ |
|
точников питания, обес- |
||||||||
|
+ |
IЭ |
|
|
печивающих работу n-p- |
|||||||
|
|
|
|
|
|
n-транзистора в актив- |
||||||
б – Схема с общим эмиттером |
|
ном режиме. |
|
|
||||||||
|
|
Зависимости токов |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
электродов транзистора |
||||||
|
|
IБ |
IЭ |
– |
|
от |
приложенных |
на- |
||||
|
|
|
пряжений |
отражаются |
||||||||
– |
|
|
UКЭ |
+ |
|
статическими |
вольт- |
|||||
|
|
|
|
|
амперными |
характери- |
||||||
+ |
|
UКБ |
|
|
|
|||||||
|
IК |
R |
Uвых |
стиками (ВАХ) – вход- |
||||||||
Uвх |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
ными |
и |
выходными. |
||||
в – Схема с общим коллектором |
|
Рассмотрим |
поведение |
|||||||||
|
ВАХ на примере n-p-n- |
|||||||||||
Рис. 3.1 – Схемы включения транзистора |
транзисторов. |
|
|
|||||||||