Материал: 832

185

ПРИЛОЖЕНИЕ А

ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Единицей измерения величины сопротивления резистора является 1 Ом. В практике употребляются кратные единицы сопротивления – 1 кОм = 103 Ом, 1 MОм = 106 Ом. Наибольшее применение в электронной аппаратуре находят резисторы, соответствующие стандартному ряду мощностей (в ваттах): 0,062; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2.

Номинальные значения резисторов стандартизованы. Для постоянных резисторов установлено шесть рядов: Е6, Е12, Е24, Е48, Е96, Е192. Номинальные значения переменных резисторов соответствуют ряду Е6. Цифра после буквы Е указывает на число номинальных значений в каждом десятичном интервале (см. табл. А.1). Номинальные сопротивления в каждой декаде соответствуют указанным в таблице числам или числам, полученным умножением их на 10n, где n – целое положительное число.

Таблица А.1 – Номинальные сопротивления и емкости по рядам

Стандарты устанавливают ряд допусков, причем большинство постоянных резисторов общего назначения выпускаются с допусками 2%, 5%, 10%, 20%.

Базовой единицей измерения величины емкости конденсатора является 1 Ф (фарада). Поскольку это очень большая вели-

чина, в практике употребляются производные величины емкости

1 Ф = 10 6 мкФ = 10 9 нФ = 10 12 пФ.

186

Как и сопротивление резисторов, номинальные значения емкостей стандартизованы. Наиболее употребляемые ряды номинальных емкостей Е6, Е12, Е24. Полное обозначение емкости состоит из соответствующего числа и единицы измерения, причем, как и на схемах, емкость от 0 до 9999 пФ указывают в пикофарадах (22 пФ, 3300 пФ и т.д.), а от 0,01 до 9999 мкФ – в микрофара-

дах (0,047 мкФ, 100 мкФ и т.д.).

Базовой единицей измерения величины индуктивности является 1 Гн (генри). В практике употребляются производные величины индуктивности 1 мГн = 10 –3 Гн, 1 мкГн = 10 –6 Гн.

187

ЛИТЕРАТУРА

1.Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. – Л.: Энергоатомиздат, 1988. – 304 с.

2.Изъюрова Г.И., Королев Г.В., Терехов В.А. и др. Расчет электронных схем. Примеры и задачи. – М.: Высшая школа, 1987. – 335 с.

3.Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов. – 2-е изд. – М.: Высшая школа, 1991. – 622 с.

4.Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство: Пер. с нем. – М.: Мир, 1982. – 512 с.

5.Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств. – М.: Высшая школа, 1989. – 223 с.

6.Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учебное пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1980. – 400 с.

7.Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учебник для вузов. – М.: Горячая линия – Телеком, 2001.– 320с.

8.Денисов Н.П., Шарапов А.В., Шибаев А.А. Электроника и схемотехника: Учебное пособие. В 2-х частях. – Томск: ТУСУР, 2003. – Ч.2. – 268 с.

9. Шарапов А.В., Тановицкий Ю.Н. Аналоговая схемотехника: Учебное методическое пособие. – Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2003. – 60 с.

10. Герасимов В.М., Скворцов В.А. Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное пособие. – Томск: ТУСУР, 2004. – 240 с.

189

Pн – коэффициент полезного действия (1.8)

P

усилителя с ОС (2.1) T( p) K( p) ( p) – петлевое усиление (2.1) A( p) 1 T( p) – глубина обратной связи (2.1)

(p) – коэффициент передачи цепи обратной связи (2.1)

dKОС – абсолютная нестабильность коэффициента передачи усилителя с обратной связью (2.2)

KОС dKОС – относительная нестабильность коэффициента пере-

KОС

дачи усилителя с ОС (2.2)

K dK – относительная нестабильность коэффициента передачи

K

усилителя (2.2)

d – относительная нестабильность коэффициента передачи

цепи обратной связи (2.2)

RвхОС – входное сопротивление усилителя с обратной связью (2.4)

усилителя с ОС (2.5)

зап – запас устойчивости по фазе усилителя с ООС (2.6) α – коэффициент передачи тока эмиттера (3.2)

β – коэффициент передачи тока базы (3.3)

IКЭ0 = IК0+ βIК0 = (β +1)IК0 – сквозной ток транзистора с оторванной базой (3.3)

rЭ Т – дифференциальноесопротивлениеэмиттерногоперехода(3.4)

IЭ

Т – температурный потенциал (11.1)

перехода (3.4)