1б ма
Типовые входные характеристики транзисторов П201Э— П203Э для схемы с общим эмиттером
Типовые выходные характеристики транзисторов П201Э—П301АЭ для схемы с общим эмиттером
!кбо<Т°с>
Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов П201Э—П203Э от температуры окружаю щей среды
|*21э0н^
^21э ( ^ , 1 а )
Ти.юиая зависимость коэффициента усиления по току |
транзисторов |
П201—П203 от тока коллектора |
|
Транзисторы германиевые р-п-р
сплавные мощные П210Б, П210В
А . О бщ ие и ко н стр у к ти вн ы е д ан н ы е
/. Основное назначение
Усиление низкой частоты в выходных устройствах, переключен ние мощности. Работа в преобразователях и регуляторах тока,
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
Коллектор
3. Конструктивные данные
Вес |
транзистора |
(макс.) |
37 |
г |
|
Вес |
крепежного |
фланца (макс.) |
6,5 |
» |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
14 мм |
||
Диаметр |
баллона |
(макс.) |
22,6 |
» |
|
Диаметр |
фланца |
(макс.) |
32 |
|
|
Длина выводов (макс.) |
90,5 |
» |
|||
Диаметр |
выводов (макс.) |
3,5 |
» |
||
Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изол яторам и.
4. У казания по эксплуат ации
Не рекомендуется использование транзистора в схеме с общим эмиттером при сопротивлении база-эмиттер Rб>10 ом.
При работе на больших мощностях обязателен надежный тепло вой контакт транзистор-теплоотвод.
5. Устойчивость против внем них воздействий
Диапазон температур |
окруж. среды |
|
— 55ч- + |
60°С |
|||
Атмосферное |
давление |
|
ог2,7- 103доЗ-104н/л*2 |
||||
Относительная |
влажность при |
+40 ±5° С |
|
до 98% |
|||
Термоциклирование в |
диапазоне |
температур |
|
—55 -т- + |
60° С |
||
Постоянные |
ускорения |
(макс.) |
|
|
|
25 g |
|
Многократные |
удары |
(макс, ускорения) |
|
|
75 g |
||
Вибрационные нагрузки в диапазоне частот |
|
|
7,5 g |
||||
10—600 гц с |
ускорением до |
|
|
|
|||
|
6. Классификационные параметры |
|
|||||
|
|
|
|
Обозначе |
Един. |
Величина для |
|
|
Определение |
|
|
||||
|
ние |
нзм. |
П210Б |
П210В |
|||
|
|
|
|
|
|
||
Напряжение |
|
коллектор — эмиттер |
в |
30 |
50 |
||
при хх в цепи базы |
^кэо |
||||||
Начальный ток |
эмиттерного перехо |
ма |
|
10 |
|||
да |
|
|
|
/эбо |
— |
||
Напряжение |
коллектор — база |
при |
в |
65 |
45 |
||
хх в цепи эмиттера |
|
^кбо |
|||||
7. Тепловые параметры
|
|
Обозначе |
Един. |
|
Определение |
ние |
нзм. |
Величина |
|
Наибольшая |
температура |
перехода |
|
|
(кристалла) |
|
^макс |
°с |
1+ 7 0 1 |
Наименьшая |
температура |
перехода |
|
|
(кристалла) |
|
Т° |
°с |
1—551 |
|
|
ЛМИН |
|
|
Тепловая постоянная переход — кор |
|
|
||
пус |
|
тпк |
мсек |
100 |
|
|
|
|
—- ■---■■=> .1 |