Б. Электрические параметры и данные
|
/. М аксимально допустимые данные |
|
||
при температуре окружающей срёды |
—55 ч - +60° С |
|||
|
1. МОЩНОСТИ (вт) И ТОКИ (а) |
|
||
|
Определение |
Обозначение |
Величина |
|
Постоянная |
мощность, рассеиваемая тран |
|
Г ы |
|
зистором |
без теплоотвода |
Pm |
||
То же, со |
стандартным теплоотводом |
Р т |
Tool |
|
То же, при Тк = +40° С |
‘ гп |
|||
m |
Tool |
|||
|
|
р т |
|
|
Постоянный |
ток коллектора в режиме |
/ т |
Щ |
|
усиления с теплоотводим |
||||
1 К гп |
||||
|
|
2. НАПРЯЖЕНИЯ |
(в) |
|
|
|
|
(постоянные и импульсные) |
|
|
|||
|
Определение |
|
Обозначе |
Величина дли |
||
|
|
|
|
|||
|
|
ние |
П210Б |
П210В |
||
|
|
|
|
|
||
Напряжение |
коллектор — база при |
хх |
в |
Гб5| |
|
|
цепи эмиттера |
|
|
Uкбо |
Г ы |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер заперто |
|
Гы |
|||
го транзистора при |
= 1*5 в |
|
^кэз |
ш |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
30 |
iso) |
||
/1216= 1 |
|
|
|
?ЛсЭО |
||
Напряжение эмиттер — база при хх в цепи |
щ |
Г ы |
||||
коллектора |
|
i |
|
£/эбо |
||
---------------------------- |
--------------- |
|
|
|
|
|
|
|
|
//. Начальные токи (ма) |
|
|
|
|
|
при |
температуре окружающей |
среды Г* |
= + 2 0 ± 5 с С |
|
|
|
|
|
Обозначе |
Величина |
|
|
|
|
Определение |
|
|
|
|
|
|
ние |
|
макс. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток |
коллекторного перехода при хх |
|
0,5 |
П Ц |
||
в |
цепи эмиттера и L/,.e=45 в |
^кбо |
||||
То же, |
при |
7,с = +70°С и Ul(<>= 45 в |
^кбо* |
3 |
Гэо] |
|
То |
же, |
при |
Тс= —55° С и (/,(«= 45 в |
^кбо |
0,1 |
п и |
III. Усилительные параметры
при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ± 5 сС
1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА
|
Обозна |
Величина |
Определение |
Един. |
|
чение |
нзм. |
Коэффициент |
передачи тока |
при |
|
По] |
Uк б = 2 в и / к= 0,5 а |
^219 |
|
||
Граничная частота усиления по то |
кгц |
Поо] |
||
ку при Uк |
э = 2 0 в и / к=0,1 а |
/л 21б |
||
2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА
при |
Uu = 2 в и /ц = 5 а |
|
|
|
Величина |
Определение |
Обозна |
Един. |
чение |
нзм. |
Крутизна переходной характеристи |
|
а |
[5J |
ки при £/«=2 в и / к=5 а |
Уиэ |
~в |
|
Коэффициент усиления - по току в |
|
— |
|
схеме с общим эмиттером |
Л21Э |
щ |
IV. Параметры переключения
|
при Т°с = +20±5° С, |
/ к = 5 а и |
/ G = 0 , 5 |
а |
|
|
|
|
|
Величина |
|
|
Определение |
Обозна |
Един. |
|
|
|
чение |
нзм. |
|
|
|
|
|
|
|
|
макс. |
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
в |
в |
0,6 |
2,5 |
режиме насыщения |
- ^кэн |
||||
Напряжение |
эмиттер — база в |
ре |
в |
0,5 |
2.0 |
жиме насыщения |
^бэн |
||||
■ — |
■■ — ■ — |
Типовые входные характеристики транзисторов П210Б, П210В
для схемы с общей базой
Типовые выходные характеристики транзисторов П210Б, |
П210В |
||||
|
для схемы с общим эмиттером |
|
|
||
4,0 |
|
|
|
|
|
|
3,6 |
|
|
|
|
|
|
3,0 |
|
|
|
ш |
|
|
|
|
|
ш |
|
|
2,0 |
|
|
2,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i,a: |
|
|
1,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
О.ба |
|
|
|
|
|
1Э=0 |
|
10 |
|
30 |
40 |
j j j . l |
|
20 |
60 |
60 и кЯ.в |
|||
Типовые выходные характеристики транзисторов П210Б, Г121013 для схемы с оошеи
базой