Типовой начальный участок выходных характеристик транзисторов П210Б, П210В для схемы с общим эмиттером
Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов П210Б, П210В от температуры окружающей среды
Типовая зависимость крутизны переходной Гхарактернстпки транзисторов П210Б, П2ЮВ от температуры окружающей среды:
------ типовая зависимость,
------границы 80-нроцентиого разброса
Ь 21Э
Типовая зависимость коэффициента усиления по току на границе насыщения транзисторов Г1210Б, П2ЮВ от тока коллектора
------ типовая зависимость,
------границы 80-процентного разброса
Типовая зависимость предельного напряжения коллектор —эмиттер транзи сторов П2И'Б, П210В от сопротивления в цепи эмиттера:
------ типовая зависимость,
------границы 80-процентиого разброса