Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

с

--- —- -г---. ■

■. г- —:

Определение

Постоянный ток коллектора в режиме на­ сыщения при /сн=2

Импульсный ток коллектора в режимах усиления и насыщения при £и<200л<се/с

и Q > 3/2

Постоянный ток базы в режиме усиления

Постоянный ток коллектора в режиме уси­ ления при U и=10 в и Гс = + 100°С

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды

Определение

Напряжение

коллектор — база при хх

в

цепи эмиттера

 

Напряжение

коллектор — эмиттер при

кз

в цепи эмиттер — база

 

Напряжение коллектор — эмиттер заперто­

го транзистора

 

 

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

со­

противлении в цепи базы /?б=5Ю

ом

(при tu

500 мксек)

 

 

Напряжение

эмиттер — база при

хх в це­

пи коллектора

Продолжение

Обозна­ чение Величина

Г7Г7

тп ИИ

m ^кМ ш

тп ш

тп

3,5

о

Гс = —20 + 100° С

Обозна­ чение Величина

^кбо 180

^кэк 160

^кэз 11801

^кэ R м

|160|

^эбо ЦТ

Напряжение эмиттер — база

при хх в це­

1- 1

пи коллектора и tn •< 40

мксек

£/эбо

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и ( м а )

при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ± 5 в С

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при

хх

 

 

10

в

цепи эмиттера

и UH6 = 160

в

^кбо

1

Ток

коллекторного

перехода

при

 

 

]б0|

UR9*=m в\ /?с = 10 ом

 

 

Л<э#

То же, при Т с = + 100° С

 

 

^кэ R

ш

Ток коллекторного перехода при кз

 

 

 

выводов база эмиттер и

Uttэ =

 

1

14

= 160 в

 

 

 

Л<эк

Ток

коллекторного

перехода

запер­

 

 

 

того

транзистора

при Ul{a=\80 в\

 

 

10

£/обв

1 в

 

 

 

ЛсЭЗ

1

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

2,5

 

цепи

коллектора

и U0б = 5

в

 

^эбо

11001

 

 

/// .

У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

 

 

1. ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

 

 

 

 

 

при 7 ' ° = + 2 0 ± 5 ° С ;

 

 

 

 

 

Нкs=s 10

в\ /к = 1 Q

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельная частота усиления по то­

 

1201

45

ку в схеме с общим эмиттером

Модуль

коэффициента передачи

то­

 

 

4,5

ка

на /= 10 Мгц

 

 

 

1^21Э I /

ш

2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА

 

 

 

 

Обо-

Един.

Величина

Режим измерений

Определение

 

 

 

 

о

значе­

 

 

иК

 

макс.

Гс

 

ние

И З М .

М И Н .

 

 

 

 

 

в

а

°С

Коэффициент

передачи

_

 

 

тока

Л21Э

пш

35

 

То же

Л2

15

То же

Л21Э

М

1 0

2

+ 2 0

1 0

2

+ 1 0 0

10

2

- 5 5

IV. П а р а м е т р ы п е р е к л ю ч е н и я

при Т°с = +20±5° С

 

Обо­

Един.

Величина

Режим

измерений

Определение

 

 

 

 

о

значе­

 

 

мин.

макс.

Гс

 

ние

изм.

 

 

 

 

 

а

а

•с

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

в ре­

жиме насыщения

Напряжение

база —

эмиттер в режиме на­ сыщения

U кэн

в

1

12.51

0.5

5

+ 20

U бэп

в

1

Ш

0.5

5

+20

ТРАНЗИСТОР КТ805 Б

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Тс *=+20±5° С

 

 

Обо­

Един.

Величина

Определение

 

 

 

 

значе­

изм.

 

макс.

 

 

ние

 

 

Максимально допустимое напряжение

 

 

 

коллектор — база при

хх в

цепи

 

 

135

эмиттера

 

^кбо

в

 

Максимально допустимое напряжение

 

 

 

коллектор— эмиттер

при

fu <

 

 

 

<500 мксек

 

UК 9 К

в

135

Продолжение

Величина

Определение

Обозна­

Един.

чение

изм.

мин. макс.

Максимально допустимое напряжение

коллектор — эмиттер

запертого

транзистора

при

tu

15

мксек

^кэз

Максимально допустимое напряжение

коллектор — эмиттер при

 

R<>=

= 10 ом

и

£и= 500

мксек

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при

хх

в

цепи эмиттера

и

UHб = 135

в

^кбо

Ток

коллекторного

перехода

при

[/Кэ=135

в,

= 10 ом

 

 

 

Лсэ /г

То же, при

Т ° = 4- 100е С

 

 

 

/?

Ток коллекторного перехода при кз

выводов

база — эмиттер

и UKэ=

= 135 в

 

 

 

 

 

 

 

^кэк

Ток

коллекторного

перехода

запер­

того транзистора при £/кэ= 135 в%

Uэ(> = 1 в

 

 

 

 

 

 

 

Лоз

Ток эмиттерного перехода при хх в

цепи коллектора

и

U0б = 5

в

 

/ эбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

в

режиме

насыщения

при

= 5 .о,

/ 6 = 0,5 а

 

 

 

 

 

 

 

и кэи

в11351

в— 11351

ма 1 10

ма ш

ма щ

ма 1 14

ма 1 10

ма 2.5 1tool

в ш