(40'
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов МГЦ 14, МП115 от тока эмиттера:
------ типовая зависимость,
------границы 80-процентного разброса
1кма
U нэ,в
Типовые выходные характеристики транзисторов МП11С для схемы с общим эмит тером при температуре окружающей среды - f 100° С
1б,ма
Входные |
характеристики транзисторов МП116 для схемы |
|
с общим эмиттером: |
------ типовая зависимость, |
|
— |
— границы 80-процентного разброса |
Начальный участок выходных характеристик транзисторов МП116 для схемы с об щим эмиттером при температуре окружающей среды 4 -20±5° G
1нма
Зависимость тока коллектора в режиме насыщения транзисторов МП116 от напряжения коллектор— эмиттер притемпературе окру жающей среды +20±5° С:
------ типовая зависимость
---- границы 80-процентного разброса
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов МП116 от тока эмиттера:
------ типовая зависимость,
— — границы 80-процентного разброса
Транзисторы германиевые р-п-р
сплавные мощные П201Э—П203Э
А. Общие и конструктивные данные
/. Основное назначение
Работа в переключающих схемах, усиление мощности низких частот и преобразование напряжения и тока.
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
3. Конструктивные данные
Вес транзистора |
(макс.) |
|
2 г |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
10 мм |
|
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
31 |
» |
Длина выводов |
(мин.) |
12 |
» |
|
Диаметр |
выводов (мин.) |
1 |
» |
|
Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изоляторами.
4. Устойчивость против внешних воздействий
Диапазон температур окруж. среды |
—55° ч- |
(30° С |
Атмосферное давление |
2,7 • 10* н- 3 *105 |
н/м 2 |
Относительная влажность при +40±5°С |
|
9 8 * |