Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

/// . Ч аст от ы (М гц )

при температуре окружающей среды 7’с = + 2 0 ± 5 °С ,

 

 

 

 

Uк—10 в

и Iк—0,5 а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

мин.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельная частота усиления по то­

 

 

 

45

 

ку в схеме с общим эмиттером

/ т

\ Щ

 

 

Модуль

коэффициента передачи

то­

 

 

 

4.5

 

ка на частоте /= 10 Мгц

 

1^21Э 1/

щ

 

 

IV . П а р а м е т р ы б о л ь ш о го с и г н а л а и п е р е к л ю ч е н и я

 

 

при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ±5° С

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

Определение

 

Обозна-

Един.

измерений

 

 

ЧСIIис

 

мин.

макс.

U , в

V

а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к’

Коэффициент передачи

 

 

гпл

35

 

2

 

тока

 

 

 

Л22Э

 

10

 

То же, при 7° = + 100° С

Л2|Э

пш

10

2

 

То же,

при

7 С= —20° С

Л21Э

m

10

2

 

Входное

 

напряжение

 

а

1

0

 

5

 

эмиттер — база

 

U36

10

 

Напряжение

коллек­

 

 

 

 

 

 

 

тор — эмиттер в

ре­

 

 

 

 

 

 

 

жиме

насыщения

при

 

в

 

5

5

 

/ 6 = 0,5 а

 

 

^кэн

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

—.

a

2

4

в

в

10

12

14

16

18

20 U K3, i

Типовые выходные характеристики транзисторов КТ802А для схемы с общим эмиттером

Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов КТ802А от тока коллектора

UH*R

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор — эмиттер транзисторов КТ802А от величины сопротивления в цепи базы при /?э = 0 (даны нижние границы 80-процентного разброса)

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор —эмиттер транзисторов КТ802А от соотношении сопротивлении в цени эмиттер — база при £ CitL—0