Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

jjualXc)

UK8(20°S

 

 

 

 

Унб.Ц кзк'" - Z I

( , о

 

 

- | |

 

 

 

0,8

 

 

и и«й (RK 1Ю'

0.6

40

60

80

100

20

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор —эмиттер транзисторов КТ802А от температуры окружающей среды

Транзисторы германиевые р-п-р

сплавно-диффузионные мощные высокочастотные ГТ804А—ГТ804В

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Работа в выходных каскадах строчной развертки телевизоров и в импульсных схемах бытовой электронной аппаратуры широкого применения.

2. Габаритный чертеж и располож ение выводов

транзи-

стора.

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Конструктивные

данные

 

Вес транзистора

 

(макс.)

 

10 г

Высота

корпуса

(макс.)

10,1

мм

Диаметр

баллона

(макс.)

16

»

Диаметр

фланца

 

(макс.)

22,5

»

Длина выводов

(мин.)

11

»

Диаметр

выводов

(мни.)

1

»

Транзистор заключен в герметичный холодиосварной Корпус* Со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

4. У казания по эксплуат ации

Транзисторы крепятся при помощи накидного фланща на теплоотводе со шлифованной поверхностью.

5. Устойчивость против внешних воздействий

Диапазон температур окружающей среды

 

—25 ч- +60° С

Относительная влажность при + 40±5°С

 

95ч-98?б

 

Термоциклирование

в диапазоне

температур

 

—20 -5- +65° С

Постоянные

ускорения

(макс.)

 

 

25

g

Ударные

ускорения

(макс.)

 

75

g

Вибрация

в

диапазоне

частот

10 ч -600 гц

(макс.)

7,5

g

6.Тепловые параметры

 

 

Определен

 

Обозна­

Един.

Нелнчина

 

 

 

чение

I1JM.

Наибольшая

температура

перехода

^макс

°с

1+ 6 5 1

Наименьшая

температура

перехода

7\шн

°с

1—25(

Тепловое

сопротивление

переход —

 

°С/вт

щ

корпус

 

 

 

7?пк

Тепловое

сопротивление

переход —

7?пс

°с

40

окружающая среда

 

вт

 

 

 

 

 

 

7.Классификационные параметры

 

 

 

 

 

 

Величина

 

Наименование параметра

Обозна­

Един.

для транзисторов

чение

нзм.

ГТ801А

ГТ8о4Б

ГТ804В

 

 

 

 

 

Максимально допусти­

 

 

 

 

 

мое напряжение

кол­

 

 

 

 

 

лектор — эмиттер

за­

 

в

100

140

190

пертого транзистора

£7кэз

Напряжение

коллек­

 

 

 

 

 

тор—эмиттер

в режи­

 

 

 

 

 

ме насыщения

/б в 1л,

 

в

0.4

0.5

0.6

/„« 1 0 а

 

 

£7кэн

Напряжение

коллек­

 

 

 

 

 

тор — эмиттер

 

при

 

в

45

55

75

^216= 1

 

 

£7кэо

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР ГТ804А

/. М аксимально допустимые данные при температуре окружающей среды Тс= — 2 0 — + 6 5 ° С

 

 

1. мощности

(вт)

 

 

Определение

 

Обозначение

Величина

Постоянная

мощность,

рассеиваемая

тран­

1.2

зистором

без теплоотвода

 

Рт

То же, со стандартным теплоотводом

РТ

Щ

т

Импульсная

мощность

при /и< 2

мсек;

120

<?>ю

 

 

 

Рм

При Тс выше +25° С мощности рассчитываются по формулам:

 

 

70° С - Т°г

р Т _

70 С — Р К

 

Р

=

 

-О М '

I

m

 

вт,

40

ВЩ\

 

2

 

 

*

Лт ~~

 

Рт = 2,5 (70° С — Т°с), мвт\

Р тТ =

0,5 (70°С — Т°к), вт.

 

 

 

2. ТОКИ ( а )

 

 

 

 

Определение

 

 

Обозначение

Величина

Постоянный ток коллектора в режиме уси­

fк т

0,8

ления при £/к = 1,5 в

 

 

 

То же, со

стандартным

теплоотводом

 

Г

щ

Постоянный ток коллектора в режиме на­

* к т

 

Iкит

15

сыщения при асп=2

 

 

 

Импульсный ток коллектора в режимах

 

 

усиления

и насыщения

при

2 мсек,

Iкм

15

Q > ю

 

 

 

 

 

Постоянный ток базы

 

 

 

16т

Ц Т

При 7С° выше +25° С токи снижаются в соответствии с формулами:

1кт = 0,12 V?0°C - Т ° с , я; Гкп = 1,6 V l Q C - T l , я;

/ к„ „ = 2 , 4 / 7 0 ° С - 7 ' ; я

 

3. НАПРЯЖЕНИЯ (б)

 

Определение

 

Обозначение

Напряжение

коллектор — база при

XX

в

цепи эмиттера

 

^кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер при

кз

в цепи базы и Гс = —2 0 + 4 5 ° С

 

^кэк

То же, при 7^=*+60рС

 

^кэк

Напряжение коллектор — эмиттер заперто­

го транзистора

 

U кэз

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

Ro = 10 ом при Тс= —20-f- +45°С

 

U кэк

То же, при Т°с = + 6 0 с С

 

^Лсэк

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

^21 6= 1

 

 

£/кэо

Напряжение

эмиттер — база при хх

в це-

пи коллектора

 

^эбо

Величина

|100|

100

60

|100|

100

50

э

2

//. Начальные токи (ма)

при температуре окружающей среды Тс= —20-ь+20сС

Определение

 

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

 

 

ние

 

макс.

 

 

 

 

 

 

Ток коллекторного перехода при хх

 

 

 

в цепи эмиттера

при

£/,<6= 120

в

Асбо

0,4

10

То же, при £/,<б = 100 в

 

 

^кбо

0.2

5,2

Ток коллекторного

перехода запер­

 

 

 

того транзистора

при

£/,< = 120

в\

 

0.4

ПИ

£/»6 = 0,5 в

 

 

 

Лсэз

То же, при Uк = Ю 0

в\

£/Эб = 0 ,5

в

Лоз

0,2

ш

—Г ■—- |->