jjualXc)
UK8(20°S
|
|
|
|
Унб.Ц кзк'" - Z I |
( , о |
|
|
№ |
- | | |
|
|
|
||
0,8 |
|
|
и и«й (RK 1Ю' |
|
0.6 |
40 |
60 |
80 |
100 |
20 |
||||
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор —эмиттер транзисторов КТ802А от температуры окружающей среды
Транзисторы германиевые р-п-р
сплавно-диффузионные мощные высокочастотные ГТ804А—ГТ804В
А. Общие и конструктивные данные
/. Основное назначение
Работа в выходных каскадах строчной развертки телевизоров и в импульсных схемах бытовой электронной аппаратуры широкого применения.
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
транзи-
стора. |
|
|
|
|
|
|
|
|
3. Конструктивные |
данные |
|
Вес транзистора |
|
(макс.) |
|
10 г |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
10,1 |
мм |
|
Диаметр |
баллона |
(макс.) |
16 |
» |
|
Диаметр |
фланца |
|
(макс.) |
22,5 |
» |
Длина выводов |
(мин.) |
11 |
» |
||
Диаметр |
выводов |
(мни.) |
1 |
» |
|
Транзистор заключен в герметичный холодиосварной Корпус* Со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
4. У казания по эксплуат ации
Транзисторы крепятся при помощи накидного фланща на теплоотводе со шлифованной поверхностью.
5. Устойчивость против внешних воздействий
Диапазон температур окружающей среды |
|
—25 ч- +60° С |
||||||
Относительная влажность при + 40±5°С |
|
95ч-98?б |
|
|||||
Термоциклирование |
в диапазоне |
температур |
|
—20 -5- +65° С |
||||
Постоянные |
ускорения |
(макс.) |
|
|
25 |
g |
||
Ударные |
ускорения |
(макс.) |
|
• |
75 |
g |
||
Вибрация |
в |
диапазоне |
частот |
10 ч -600 гц |
(макс.) |
7,5 |
g |
|
6.Тепловые параметры
|
|
Определен |
|
Обозна |
Един. |
Нелнчина |
|
|
|
чение |
I1JM. |
||
Наибольшая |
температура |
перехода |
^макс |
°с |
1+ 6 5 1 |
|
Наименьшая |
температура |
перехода |
7\шн |
°с |
1—25( |
|
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
|
°С/вт |
щ |
|
корпус |
|
|
|
7?пк |
||
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
7?пс |
°с |
40 |
|
окружающая среда |
|
вт |
||||
|
|
|
|
|
|
|
7.Классификационные параметры
|
|
|
|
|
|
Величина |
|
Наименование параметра |
Обозна |
Един. |
для транзисторов |
||||
чение |
нзм. |
ГТ801А |
ГТ8о4Б |
ГТ804В |
|||
|
|
|
|
|
|||
Максимально допусти |
|
|
|
|
|
||
мое напряжение |
кол |
|
|
|
|
|
|
лектор — эмиттер |
за |
|
в |
100 |
140 |
190 |
|
пертого транзистора |
£7кэз |
||||||
Напряжение |
коллек |
|
|
|
|
|
|
тор—эмиттер |
в режи |
|
|
|
|
|
|
ме насыщения |
/б в 1л, |
|
в |
0.4 |
0.5 |
0.6 |
|
/„« 1 0 а |
|
|
£7кэн |
||||
Напряжение |
коллек |
|
|
|
|
|
|
тор — эмиттер |
|
при |
|
в |
45 |
55 |
75 |
^216= 1 |
|
|
£7кэо |
||||