Скачать файл
Заказать новую работу
Определение
Ток
коллекторного
перехода
запер
того транзистора прн UK= 50
в\
U6 = 0,5 в; Т°с = +55° С
эмиттерного
при
хх
в цепи коллектора и Ubб=0,5 в То же, при Т с = +60° С
Продолжение
Обозначе
Величина
ние
макс.
мин.
^кэз
Щ
1эбо
0,01
щ
^эбо
—
3
///. Параметры усиления и переклю чения
при температуре
окружающей среды
Гс«=20±5°С
Режим
Обо
измерения
Един.
значе
изм.
Uк'. о V *
Коэффициент передачи тока
Длительность заднего фрон та импульса тока коллек тора прн UK= 10 в
Предельная частота коэф фициента передачи тока
Л21Э
1~20]
11501
10
5
ТР
мксек
|1 .0 |
/Л 21б
—-
IV. Напряж ения в реж име насыщ ения (в)
____________ при /и » 10 а,
/в*= Г а_____________
Напряжение
коллектор — эмиттер
0Д5
при Г с= + 2 0 оС
^кэн
То же, при Т°с «=Н*60° С
1,4
То же, при 7'с = —20° С
^Лсэв
0,7
О
Напряжение база—эмиттер приГс =»
0,3
= +20° С
^бэн
.— . ■
ТРАНЗИСТОР ГТ804В
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды Г° = +20±5°С
коллектор — эмиттер в
режиме насыщения
То же, при Т°с = -f60° С
То же, при 7° = —20° С
U кэн
коллектор — база
Укбо
при Т°с = +45° С
U кэк
То же, при Т°с = +60° С
£/кэк
U кэз
при 7° = + 45° С
То же, при 7° = 4-60° С
11апряжение
U кэо
Ток коллекторного перехода при хх
в цепи эмиттера и UK= 160 в
^кбо
То же, при U K= 140 в
Ток коллекторного перехода запер
того транзистора при £УН= 160 в
^кээ
То же, при U к = 140 в
=■—...........■ a
нзм.
мни.
в10.51
в
1.5
0.8
в— 11401
— .
140
80
—г
11401
70
в— Г § ]
ма
0.5
8
0.3
4.3
0,5
ГйП
1
при температуре окружающей
Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насыщения
То же, при Т°с = + 60° С
То же, при Т с = —20°С
Напряжение коллектор — база
Напряжение коллектор— эмиттер при Т°с = —20ч -+45° С
То же, при Г° = +60°С
Напряжение коллектор—эмиттер при Тс = + 45° С
То же, при 7'с = + 60°С
Напряжение коллектор — эмиттер
перехода при хх
цепи эмиттера
и £УК=2.10 в
То же, при UK= 190 в
Ток коллекторного перехода запер того транзистора при £/к = 210 в
То же, при (/,< = 190 в
■—-------------------------------—.---------——
среды
Тс = 20 ± 5° С
Величин;
^Лон
_
10,6 (
^КЭН
i,6
0.9
U кбо
11901
^кэк
190
ПО
1190 |
100
^кэо
|7 5 j
Лсбо
м а
3.5
ГЩ]
Лоз
Цо|
R6,°M
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор — эмиттер транзисторов ГТ804А от величины сопротивления в цепи базы при /? = 0