//. Начальные токи (м а)
|
Величина |
Определение |
Обозна |
чение |
Ток |
коллекторного |
перехода при |
хх |
|
|
|
|
10 |
|||
в цепи эмиттера и £/«в=80 в |
|
^кбо |
|
0,001 |
|
||||||
Ток |
коллекторного |
перехода |
при |
|
|
|
|
|
|||
Ra = 100 ом и t/K= 80 в при |
Г° = |
|
|
|
|
Qoj |
|||||
= +20° С |
|
|
|
|
U R |
|
0,01 |
|
|||
То же, при Тс = + 55° С |
|
|
4 б R |
|
— |
|
20 |
||||
То же, при Тс ■»—20° С |
|
|
А<б R |
|
— |
|
ho] |
||||
Ток эмиттерного перехода при хх в |
I эбо |
|
|
|
|
||||||
цепи коллектора при £/эв= 2,5 в |
|
|
0,01 |
|
щ |
||||||
|
|
|
III. |
Усилит ельные параметры |
|
|
|
||||
|
|
при температуре окружающей среды |
Т°с = +20 ±5° С |
|
|||||||
|
|
|
1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
Обо- |
|
|
Величина |
Режим измерения |
|||
|
Определение |
|
Един. |
|
|
|
|
|
|||
|
значе |
|
изм. |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
ние |
|
|
мин. |
макс. |
'к |
ивк |
/ |
|
|
|
|
|
|
|
а |
к г ц |
|||
Граничная |
частота |
уси |
|
Мгц |
|
__ |
|
|
_ |
||
ления |
по |
току |
//1219 |
|
10 |
0.3 |
10 |
||||
Емкость |
коллекторного |
|
пф |
|
|
|
|
|
|||
перехода |
|
Ск |
|
250 |
500 |
— |
10 |
465 |
|||
ТйпОвая зависимость сопротивления насыщения транзисторов KT80JA, КТ801Б от температуры корпуса