Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

 

 

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

Определение

 

 

 

 

Обозначение

Величина

Напряжение

коллектор — база

при

хх

в

Тёо]

цепи эмиттера

при Тс= —60ч- +85° С

^кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

при

[ёо]

/?б<П00

ом

и Гс= —60ч- +85°,

 

 

 

 

7 ' ° = + 8 5

° ч

- + 1

2 0

°

 

[аоТ

Напряжение

эмиттер — база

при

хх

в це­

0

пи коллектора

при 7'.с:= + 85°С

 

 

^эбо.

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и ( м а )

при температуре окружающей среды.Тс = —55ч- + 20°G

Определение

Ток

коллекторпогд

перехода при хх

в

цепи эмиттера

и UKб = 70 в

Ток коллекторного перехода при со­ противлении в цепи базы Ra < < 100 ом и 1/Кэ=70 в

Величина.

Обозна­

чение

мин. макс.

7кбо — М

^кэ R

П о |

Ток коллекторного

перехода

при

 

 

Яб<100 ом Г°=+85°С и Uuэя =

п и

=70 в

 

Ао R

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

 

цепи

коллектора и

UЭб = 3 в

/эбо

 

0

То же,

при 7с = +85°С

/эбо

_

П Ц

 

 

 

 

 

 

///. Параметры

 

 

 

 

при

температуре

окружающей

среды

Т°с—+ 20° С

 

 

 

 

 

 

Обозна-

Един.

Величина

Режим

Определение

 

 

 

измерений

 

 

чение

изм.

мин.

мачс.

/к. а

UK,e

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельная

 

частота

 

 

 

 

 

 

усиления

по току в

 

 

 

 

 

 

схеме

с общим

эмит­

Мгц

Ш

0,3

30

тером

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

 

 

 

 

 

 

по току

 

при

 

Тс =

 

 

1

10

= +20-4-+,85° С

 

 

Л21Э

Щ

То же,

при

 

Гс = —55° С

^21Э

 

FwJ

 

1

10

Крутизна

вольтампер-

 

а

 

 

 

 

ной

переходной

ха­

 

10.251

1

10

рактеристики

 

 

У21Э

в

Напряжение

 

коллек­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тор — эмиттер

в

ре­

 

 

 

 

 

 

жиме

насыщения

при

 

в

 

1

/ б = 0,2 л

 

 

 

 

^кэн

12.51

ТРАНЗИСТОР П702А

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды 7’с= + 2 0 ± 5 °С

Определение

Коэффициент усиления

по

току

при

Тс =

= +20 ч- +85° С

 

То же,

при

Тс= —55° С

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер в

ре­

жиме насыщения

 

 

Величина

Режим

Обозна­

измерений

Един.

 

чение

изм.

макс. V * UK.e 1б.а

 

мин.

Л21Э

 

По!

 

1

10

 

Л21Э

 

i u

1

10

 

 

 

 

 

^кэн

в

ш

1

0.2

 

 

 

 

 

Остальные данные, параметры и режимы измерений нс отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П702.

0 / 1 0

20

80

4 0 \ ч БО

60 П ,в

и

1U

"

eu

^ '-'кэ*

Типовые выходные характеристики транзисторов П702, П702А

Типовые выходные характеристики транзисторов П702, П702А

для схемы с общим эмиттером при 7^4^20° С

для

схемы с общим эмиттером

при 7^=+85° С

Зависимость коэффициента усиления по току на большом сигнале /*213

транзисторов П702, П702А от напряжения на коллекторе

^кэн,8

Типовая зависимость напряжения насыщения транзи­ сторов П702 от температуры