ния более чем в три раза превышает энергию фотона. Заметная концентрация свободных носителей и, следовательно, проводимость в направлении оси роста наноструктуры возникает уже при умеренных интенсивностях возбуждающего света j ~105–106 Вт/см2.
68
ГЛАВА 5. ПРЕДПРОБОЙНАЯ ГЕНЕРАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНЫХ ПАР: ЭФФЕКТ МНОГОФОТОННОЙ ЛАВИНЫ
В этой главе рассмотрен новый механизм предпробойной генерации элек- трон-дырочных пар, включающий каскад межзонных многофотонных переходов, а также процессов оже-типа с участием двух или трех фотонов. Совокупность этих процессов приводит к эффекту многофотонной лавины. Пороговые интенсивности излучения накачки, необходимые для включения лавинного механизма, находятся в области 1011–1012 Вт/см2. Составлены уравнения баланса населенностей в зонах, описывающие кинетику генерации пар, и получены их численные решения. Показано, что при интенсивностях, превышающих пороговые значения, предложенный механизм генерации неравновесных электрон-дырочных пар оказывается более эффективным, чем «обычное» многофотонное поглощение.
§ 5.1. Введение
Первые работы по пробою прозрачных диэлектриков и широкозонных полупроводников мощным лазерным излучением появились еще в 60-х годах (см., например [71-75]). Тем не менее, многообразие и сложность физических аспектов и исключительно высокое практическое значение явления пробоя делают его исследование по-прежнему актуальным. В настоящей главе рассматривается лишь один из аспектов этой проблемы – генерация неравновесных электрон-дырочных пар интенсивным светом с энергией
кванта hω, большой по сравнению с энергиями колебательных возбуждений, но малой по сравнению с шириной запрещенной зоны материала Eg. По-видимому, в большинстве случаев именно появление под действием мощного света значительного количества неравновесных свободных носителей является основной предпосылкой процессов, ведущих, в конечном счете, к деструкции материала.
Уже в ранних работах указывалось, что при возникновении пробоя в очень чистых прозрачных материалах основную роль играют два механизма генерации неравновесных электрон-дырочных пар – лавинная ионизация и многофотонные межзонные переходы. Пробою за счет лавинной ионизации посвящено большое количество работ (см., например, [75-83]).
Вместе с тем, понятно, что в интересующем нас случае, когда hω t 1 эВ, Eg t 5 эВ, эффективность процесса ударной ионизации, вызывающей лавину, едва ли может быть высокой. Дело в том, что в силу законов сохранения энергии и импульса в процессе рождения электрон-дырочной пары
69
свободным электроном в зоне проводимости, последний должен обладать кинетической энергией, превышающей пороговое значение
E |
|
= |
2ς +1 E |
, |
(5.1) |
|
th |
|
ς +1 g |
|
|
где ς = mc
mv , mc и mv — эффективные массы электронов в нижней зоне
проводимости и дырок в верхней валентной зоне соответственно. Здесь и далее для определенности говорим об электронах, хотя процессы типа ударной ионизации могут идти и за счет неравновесных дырок. Ясно, что ширина разрешенной зоны Ec может оказаться меньшей, чем Eth, и в этом случае механизм ударной ионизации, по крайней мере, в простой форме не работает. Если же Ec > Eth, то требующуюся кинетическую энергию электрон может получить либо за счет многоступенчатого каскада внутризонных однофотонных переходов, либо за счет многофотонных внутризонных
переходов. Оба этих механизма при hω t 1 эВ крайне неэффективны. Каскадный механизм – в силу малости коэффициента внутризонного поглощения в интересующей нас спектральной области (эффективные сечения ~ 10 -20-10 -19 см2) и коротких (~10−13 с) времен релаксации носителей, обусловленных, в первую очередь, их взаимодействием с полярными оптическими колебаниями решетки. Вероятности же 5-8-фотонных внутризонных переходов (см., например, [84-87]) в интересующем нас спектральном диапазоне заведомо меньше, чем вероятности многофотонных межзонных переходов, при которых рождаются неравновесные электрон-дырочные пары.
Межзонные многофотонные переходы, несомненно, играют важную роль в предпробойной генерации электрон-дырочных пар. При этом либо за счет межзонных многофотонных переходов непосредственно получается достаточная для пробоя концентрация неравновесных носителей, либо межзонные многофотонные переходы рождают затравочные электроны для лавинной ионизации. Роли межзонных многофотонных переходов в физике пробоя и обсуждению различных механизмов пробоя посвящены работы [88-92].
В девяностых годах был выполнен ряд работ по пробою твердых тел сверхкороткими лазерными импульсами субпикосекундного и фемтосекундного диапазонов. Это привело к оживлению дискуссии вокруг возможных механизмов пробоя (см. [93-101]). В частности, подробно исследовались зависимости порога пробоя от длительности импульса и частоты света [93-99]. Некоторые из этих зависимостей хорошо описывались в рамках модели [94, 96], где лавинная ионизация являлась главным возбуждающим механизмом, а многофотонные межзонные переходы обеспечивали создание начальной заселённости электронов для запуска этой лавины. Однако в рамках этой модели, основанной на уравнении Фоккера-Планка для динамики электронов в поле излучения, не удавалось объяснить ре-
70
зультаты измерений порога пробоя как функции от задержки между двумя лазерными импульсами [98, 99]. Несколько иная модель, основанная на кинетических уравнениях Больцмана, предложена в [100]. Здесь, в отличие от [94], предполагается, что в случае коротких лазерных импульсов (τi ≤ 200 фс) многофотонная ионизация доминирует над лавинной (см. так-
же [90]). Модель, предложенная в работе [94], была модифицирована в [101], путём учёта в кинетических уравнениях процессов релаксации и описания источников электронов. В то же время и эта модель не претендует на полное описание совокупности имеющихся экспериментальных данных.
Помимо процессов лавинной ионизации и многофотонных межзонных переходов в генерацию электрон-дырочных пар могут вносить вклад уже упоминавшиеся ранее процессы промежуточного типа [21, 22, 25]. Если выполняется соотношение (n −1)hω < Eg < nhω , то дефицит энергии
(n−1) = Eg − (n −1)hω, необходимой для рождения электрон-дырочных пар
при поглощении n – 1 фотонов, может быть восполнен за счет кинетической энергии свободных электронов, которая в этом случае должна превышать пороговое значение
′ |
2ς +1 (n−1) |
. |
(5.2) |
Eth = |
ς +1 |
||
|
|
|
Очевидно, что Eth′ << Eth . Если Eth′ >> kBT , то в процессе могут участвовать
только те свободные электроны, которые обладают достаточно большой кинетической энергией. Эта энергия может быть приобретена лишь за счет внутризонного поглощения света. Такие процессы, как показано в § 1.3, особенно актуальны только для длинноволновой области спектра, где сечения внутризонного поглощения света достаточно велики. Хотя обсуждавшиеся в § 1.3 процессы сами по себе едва ли могут играть заметную роль в интересующей нас проблеме пробоя широкозонного материала излучением диапазона 1 мкм, модифицированные варианты переходов такого типа могут оказаться вполне актуальными. В частности, они играют ключевую роль в предлагаемой в данной работе модели предпробойной генерации электрон-дырочных пар, основанной на схеме фотонной лавины, которая подробно рассматривалась в главах 2 и 3.
В данной главе рассматривается новый механизм генерации неравновесных электрон-дырочных пар светом очень высокой интенсивности (j ~ 1011– 1012 Вт/см2). Этот механизм, основанный на схеме типа фотонной лавины, включает также «обычные» многофотонные межзонные переходы и многофотонные межзонные переходы с участием свободных носителей.
71
§ 5.2. Модель многофотонной лавины
Поскольку нас интересует, в первую очередь, предпробойное возбуждение предельно чистых материалов, предполагается, что отсутствуют примеси, ионизация которых светом могла бы привести к заметной концентрации неравновесных носителей. Считается также, что отсутствуют неоднородности, локальный разогрев которых излучением также мог бы привести к пробою.
Рис. 5.1. Схема переходов в системе состоящей из валентной зоны и двух зон проводимости, l = 3; волнистыми линии со стрелками обозначены фотоны (см. также пояснения в тексте)
Рассмотрим, модель кристалла, включающую две зоны проводимости c и с1 и валентную зону v. Для определенности предположим, что энергетический зазор Eg между валентной зоной и нижней зоной проводимости
c несколько меньше nhω, а зазор между зонами проводимости Eg′ меньше
lhω (l < n, см. рис. 5.1). Будем рассматривать два варианта процесса: (A) n = 5, l = 3 и (B) n = 5, l = 2. За счет прямых n-фотонных переходов между валентной зоной v и нижней зоной проводимости c в последней появляется некоторое число свободных электронов. За времена ~ 10−13 c они оказываются вблизи дна зоны. Затем благодаря l-фотонным переходам между зонами проводимости c и с1 электроны попадают в верхнюю зону проводимости. Ключевую роль для предлагаемого механизма играет процесс оже-
типа с участием фотонов − c1+(n – l)hω → ccv, т.е. электрон в зоне c1 с помощью (n – l) фотонов рождает пару, состоящую из дырки в зоне v и электрона в зоне c, переходя при этом в зону c, где в результате появляются два новых электрона. Если соотносить это с «классической» схемой фотонной
72