Материал: Tverdotila_elektronika

Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення БТ

На практиці часто виникають задачі визначення параметрів БТ у заданій схемі ввімкнення за відомими параметрами з іншої схеми. З цією метою використовують таблицю перерахунку (табл. 3.4).

Таблиця 3.4

3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів

Застосування h - параметрів іноді супроводжується значними труднощами, оскільки кожній схемі ввімкнення БТ відповідають свої h -параметри. Значно простіше при аналізі транзисторних схем використовувати фізичні еквівалентні схеми транзисторів, які містять у собі фізичні (реальні) параметри БТ.

На рисунку 3.38 показано Т - подібну фізичну еквівалентну схему транзистора зі спільною базою (для низьких частот).

119

Б

Рисунок 3.38 – Т-подібна еквівалентна схема БТ у ССБ

На схемі рисунка 3.38

rr r .

ÁÁ Á

області бази, який значно більший, ніж опори ЕП та емітерної області. Значення цього опору зростає зі зменшенням ширини бази, тому що зменшується ймовірність рекомбінації в базі, і, отже, основна частина струму бази IÁðåê також зменшується. Частина вхідної

120

напруги, прикладена до ЕП, спадає на опорі r , і це знижує

Á

ефективність керування струмом у транзисторі.

Дифузійний опір бази r відображає вплив колекторної

Á

напруги на ширину бази внаслідок зміни товщини КП. Нехай, наприклад, напруга на колекторі збільшилася. Це приводить до зменшення ширини бази. Оскільки напруга U EÁ не змінилася, то струм емітера має залишитися

постійним. Проте він збільшується внаслідок зростання градієнта концентрації дірок у базі (див. рис. 3.19). Для збереження IE const потрібно зменшити концентрацію

дірок PÁE біля ЕП, тобто зменшити напругу на ЕП. Щоб напруга на ЕП зменшилася при незмінній напрузі U EÁ , опір

бази має зрости на деяку величину r (див. рис. 3.38).

Á

Для ССЕ Т-подібна еквівалентна схема БТ має вигляд, показаний на рисунку 3.39. Ця схема також досить точно описує властивості приладу в діапазоні низьких частот.

Рисунок 3.39 – Т-подібна еквівалентна схема БТ у ССЕ

Значення параметрів Т-подібних фізичних еквівалентних схем залежить від обраного режиму транзистора і не залежить від схеми його ввімкнення.

Безпосереднє вимірювання фізичних параметрів БТ неможливе, бо точка з’єднання опорів rÁ , rE і rK

121

знаходиться всередині кристала напівпровідника. Тому ці параметри розраховуються за допомогою формул, які зв’язують фізичні параметри з h -параметрами БТ (таблиця 3.5).

Таблиця 3.5

Фізичні параметри БТ залежать від режиму роботи і температури. Розглянемо залежності, що ґрунтуються на таких формулах:

122

формулою (3.52). Опір rK також обернено пропорційний до

123