Материал: Tverdotila_elektronika

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

властивості. Цей ефект має значення для БТ з дуже вузькою базою, у яких напруга змикання невелика і відповідає граничній допустимій напрузі колектора.

Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором

При проходженні струму через транзистор тепло виділяється головним чином на КП, оскільки саме він має найбільший електричний опір в усій транзисторній структурі. Відведення тепла від КП у БТ здійснюється за рахунок теплопровідності. Максимальна потужність розсіювання транзистора визначається максимально допустимою температурою його КП Tmax і температурою

навколишнього середовища T0 , а також тепловим опором тепловідведення RT :

P

 

Tmax T0

.

(3.49)

 

K max

 

RT

 

 

 

 

З іншого боку, потужність, що розсіюється колектором,

визначається струмом I Ê

та напругою U KE (U ). Робочий

струм БТ не повинен перевищувати IÊ max

- максимально

допустимий колекторний струм, значення якого дається у довідниках. При IÊ IÊ max транзистор перегрівається, зростає ймовірність теплового пробою. Максимально

допустима

напруга

UKE max

обмежується

ймовірністю

лавинного пробою КП і наводиться у довідниках.

При

цьому

для

більшості

транзисторів

UKE max Umax .

Отже, вибір робочого режиму БТ зумовлено трьома обмеженнями (рис. 3.34):

1) IÊ max - максимальним струмом колектора;

114

2)UKE max - максимальною колекторною напругою;

3)PK max PK IKU KE - максимальною потужністю, що розсіюється колектором.

Рисунок 3.34 – Фактори, що обмежують вибір робочої точки БТ зі спільним емітером

При перевищенні цих граничних параметрів БТ може вийти з ладу, надійність роботи транзисторної схеми різко зменшується.

3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора

Властивості транзистора в АР оцінюються за допомогою диференціальних, або малосигнальних, параметрів.

Розглянемо гібридні диференціальні параметри транзистора ( h - параметри), оскільки саме вони найчастіше використовуються на практиці.

У діапазоні низьких частот h - параметри установлюють відповідність між малими амплітудами (приростами) струмів і напруг чотириполюсника (рис. 3.11). Ця відповідність описується такою системою рівнянь:

U

h I

mâõ

h U

mâèõ

,

 

 

mâõ

11

12

 

(3.50)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Imâèõ h21Imâõ h22Umâèõ,

 

115

де h11

Umâõ

 

 

 

 

 

 

 

 

- вхідний опір БТ, Ом;

 

 

 

Imâõ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

mâè õ

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h12

 

 

Umâõ

 

 

 

 

- коефіцієнт зворотного зв’язку БТ

 

 

 

 

 

Umâèõ

 

 

 

 

 

 

 

 

I

mâõ

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

за напругою;

 

 

 

 

 

 

 

h

 

Imâèõ

 

 

 

 

 

 

- коефіцієнт передачі струму БТ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21

 

 

 

Imâõ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Umâè õ 0

 

 

h22

 

 

Imâèõ

-1

 

 

 

 

 

 

- вихідна провідність БТ, Ом

.

 

Umâèõ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

mâõ

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На відношення параметра до відповідної схеми вмикання БТ вказують індекси: “Б” – ССБ, “Е” – ССЕ, “К” – ССК.

За рівнянням (3.50) на рисунку 3.35 зображена формальна еквівалентна схема БТ у системі h - параметрів.

Imвх h11

Imвих

h12Umвих

h21Imвх

Umвх

h22 Umвих

Рисунок 3.35 – Формальна еквівалентна схема БТ у системі h - параметрів

Оскільки h - параметри належать до однієї з гібридними характеристиками системи, то вони добре узгоджені з характеристиками, легко можуть бути визначені з останніх. З цією метою в системі (3.50) малі амплітуди Umâõ , Umâèõ ,

116

Imâõ ,

Imâè õ треба замінити приростами Uâõ , Uâè õ ,

Iâõ ,

Iâè õ . Одержимо систему рівнянь

 

 

 

Uâõ h11

Iâõ h12

Uâèõ

,

 

 

Iâõ h21

Iâõ h22

Uâèõ,

(3.51)

 

 

 

з якої аналогічно можна знайти h -параметри, фіксуючи той чи інший аргумент ( Iâõ 0 , тобто Iâõ const або

Uâèõ 0 , тобто Uâèõ const ).

Для прикладу знайдемо h -параметри у схемі зі спільним емітером, використовуючи статичні характеристики цієї схеми.

Параметри h11E та h12 E визначають за вхідними характеристиками (рис. 3.36):

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h11E

 

ÁÅ

 

 

 

UÁÅ UÁÅ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

,

 

 

IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U ÊÅ const

 

 

IÁ IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

UÊÅ UKE 0

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

UÁÅ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h12E

 

ÁÅ

 

 

UÁÅ

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

UKE

 

UKE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IÁ const

 

UKE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

IÁ IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

Параметри h21E

 

та h22 E

 

 

визначають за вихідними

характеристиками (рис. 3.37):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h21E

 

K

 

 

 

 

IK IK

0

 

 

 

 

 

,

 

 

 

IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U ÊÅ const

 

 

IÁ IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

UÊÅ UKE 0

 

117

 

IK

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h22E

 

 

IK IK

 

.

UKE

 

 

UKE

 

 

IÁ const

UKE

 

 

 

 

 

0

 

IÁ IÁ

 

 

 

 

 

 

 

0

Для правильного визначення h - параметрів необхідно,

щоб величини UKE

 

(-5В) та

IÁ

і для

вхідних, і для

 

0

 

 

0

 

 

 

вихідних характеристик брались однаковими.

Знак “-” у формулі для визначення h21E береться тому, що напрям струму I Ê у транзисторі протилежний напряму струму Iâèõ у чотириполюснику.

Рисунок 3.36 – Визначення параметрів h11E та h12 E за вхідними статичними характеристиками БТ у ССЕ

Рисунок 3.37 – Визначення параметрів h21E та h22 E за вихідними статичними характеристиками БТ у ССЕ

118