Материал: Tverdotila_elektronika

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Список скорочень

ВАХ – вольт-амперна характеристика ВД – випрямний діод ВЗ – валентна зона ЗЗ – заборонена зона ЗП – зона провідності

ЕРС – електрорушійна сила НП – напівпровідник ОД – обернений діод ТД – тунельний діод

ТКН – температурний коефіцієнт напруги АР – активний режим БТ – біполярний транзистор ЕП – емітерний перехід ІР – інверсний режим

КП – колекторний перехід РВ – режим відсічки РН – режим насичення

ССБ – схема зі спільною базою ССЕ – схема зі спільним емітером

ССК – схема зі спільним колектором ККД – коефіцієнт корисної дії МДН – метал-діелектрик-напівпровідник МОН – метал-окис-напівпровідник НПП – напівпровідниковий прилад ПЗЗ – прилад із зарядовим зв’язком ПТ – польовий транзистор

ПТКП – польовий транзистор з керувальним p-n – переходом

264

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1 Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.

2 Булычѐв А.Л. Электронные приборы. – М.: Воениздат,

1982. – 416 с.

3 Васильєва Л.Д., Медведенко Б.Г., Якименко Ю.І. Напівпровідникові прилади: Підручник. – К.: ІВЦ видавництво «Політехніка», 2003. – 388 с.

4 Воронков Э.Н. Твердотельная электроника doc. М.:

МЭИ, 2002. – 181 с.

5 Гуртов В.А. Твердотельная электроника. – М.: Техносфера, 2008. – 478 с.

6 Гусев В.А. Твердотельная электроника. – М.: СевНТУ,

2004. – 635 с.

7. Евецкий В.Л., Новиков В.Ф. Электронные приборы и основы микроэлектроники: Основы микроэлектроники / Ч.II: Конспект лекций. – Киев: КВИРТУ ПВО, 1988. – 280 с.

8 Москатов Е. А. Электронная техника. – Таганрог,

2004. – 121 с.

9 Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987. – 433 с.

10 Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М,: Энергия, 1987. – 672 с.

11 Шкаев А.Г. Твердотельная электроника. Конспект лекций. Омск, изд. ОмГТУ, 2009. – 224 с.

12 Щука А. А. Электроника – СПб: БХВ – Петербург,

2008. – 752 с.

265

Зміст

		С.
ПЕРЕДМОВА		3
1 ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТА
ЕЛЕКТРОННО-ДІРКОВИХ ПЕРЕХОДІВ		4
1.1	Загальні відомості про напівпровідники	4
1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників		6
1.1.2 Електронна провідність напівпровідників		8
1.1.3 Діркова провідність напівпровідників		10
1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та
	тривалість їх життя	11
1.1.5 Види струмів у напівпровідниках		14
1.2	Електронно - дірковий перехід та
	фізичні процеси в ньому	16
1.2.1 P-n переходи та способи їх виготовлення		16
1.2.2 P-n перехід за відсутності
	зовнішньої напруги	19
1.2.3 P-n перехід під дією зовнішньої напруги		23
1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-
	n переходу	28
1.2.5 Параметри p-n переходу		30
1.2.6 Реальна ВАХ p-n переходу		35
1.3	Різновиди електричних переходів та контактів	39
1.3.1 Гетеропереходи		39
1.3.2 P+- p та n+- n переходи		40
1.3.3 P- i та n - i переходи		41
1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками		42
1.3.5 Омічні контакти		42
2 НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ		44
2.1	Класифікація та система позначень діодів	44
2.2	Випрямні діоди	45
2.3	Напівпровідникові стабілітрони	49
2.4	Універсальні діоди	53

266

2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них	55
2.6 Тунельні та обернені діоди	59
2.7 Варикапи	63
2.8 Діоди Шотткі	66
3 БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ	69
3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів	69
3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори	69
3.1.2 Способи вмикання й режими роботи
біполярних транзисторів	73
3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в
активному режимі	75
3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи
транзистора на h21Б	80
3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним
емітером та спільним колектором	83
3.1.6 Модель Еберса-Молла	86
3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних
транзисторів	89
3.2.1 Статичні характеристики біполярного
транзистора у схемі зі спільною базою	91
3.2.2 Статичні характеристики біполярного
транзистора у схемі зі спільним емітером	97
3.2.3 Статичні характеристики біполярного
транзистора у схемі зі спільним колектором	103
3.2.4 Вплив температури на статичні
характеристики транзисторів	104
3.2.5 Граничні режими транзистора	108
3.2.6 Диференціальні параметри
біполярного транзистора	115
3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми
біполярних транзисторів	119
3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному
режимі	126

267

3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на
біполярному транзисторі		126
3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою
транзисторного каскаду		129
3.3.3 Динамічні характеристики біполярного
транзистора та їх використання		136
3.3.4 Частотні властивості біполярних
транзисторів		143
3.3.5 Робота біполярного транзистора у
ключовому режимі		149
3.4	Деякі різновиди біполярних транзисторів	154
3.4.1 Одноперехідний транзистор		154
3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори		156
3.4.3 Потужні транзистори		158
4 ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ		161
4.1	Польові транзистори з керувальним
p-n переходом		161
4.2	Польові транзистори з ізольованим затвором
(МДН - транзистори)		174
4.2.1 Ефект поля		174
4.2.2 МДН - транзистори з індукованим каналом		175
4.2.3 МДН - транзистори з вбудованим каналом		178
4.3	Залежність характеристик і параметрів польових
транзисторів від температури		181
4.4	Динамічний режим роботи польових
транзисторів		184
4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у
статиці та динаміці		184
4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів		189
4.5	Потужні польові транзистори	192
4.6	Польові прилади із зарядовим зв’язком	194
5 ТИРИСТОРИ		199
5.1	Будова, принцип дії та режими роботи тиристора 199
5.1.1 Загальні відомості		199

268

Смотрите также:


«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
Значение, сущность и содержание социально — педагогической деятельности в организации для детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей
Проактивные методы PR-деятельности российских авиационных компаний «Россия», «Азимут»
__RGR2
__RGR2
_11_А. Франс для эл версии
_3 тема - Диффузия
_индив анализ данных