МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра «Технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры»
ПОСОБИЕ ПО ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ ПО КУРСУ
"КРИСТАЛЛОГРАФИЯ"
Блинов Ю.Ф., Серба П.В., Московченко Н.Н.
Таганрог – 2005
|
СОДЕРЖАНИЕ |
|
1. |
Геометрия кристаллической решетки. ................................................................................ |
3 |
2. |
Кристаллографические индексы.......................................................................................... |
4 |
3. |
Кристаллографические проекции. ....................................................................................... |
7 |
4. |
Преобразования симметрии................................................................................................ |
10 |
5. |
Матричное описание операций симметрии. ..................................................................... |
13 |
6. |
Предельные группы............................................................................................................. |
16 |
7. |
Пространственные группы симметрии.............................................................................. |
17 |
8. |
Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах................................................................ |
20 |
Ответы, указания, решения. ....................................................................................................... |
21 |
|
Приложения ................................................................................................................................. |
39 |
|
|
Приложение 1 Точечные группы и их подгруппы............................................................ |
39 |
|
Приложение 2 Обозначения точечных групп симметрии................................................ |
40 |
|
Приложение 3 Точечные группы симметрии. ................................................................... |
42 |
|
Приложение 4 Предельные группы.................................................................................... |
44 |
|
Приложение 5 Пространственные группы симметрии..................................................... |
47 |
Литература ................................................................................................................................... |
51 |
|
1. Геометрия кристаллической решетки.
Идеальный кристалл есть однородная симметричная конденсированная среда, обладающая трансляционно-упорядоченным атомным строением.
Элементарная ячейка – это параллелепипед, ребра которого образованы векторами a , b , cr.
Рисунок 1 Элементарная ячейка ar , b , c - элементарные трансляции соответственно по осям x , y , z ; α – угол лежащий против оси x , β - против оси y ; γ -против оси z .
Существует 14 элементарных ячеек Браве. Эти решетки подразделяются на 7 сингоний
Таблица 1 Решетки Браве
Сингония |
Число |
Символ |
Характеристика ячейки |
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
ячеек |
ячейки |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Триклинная |
1 |
P |
|
a |
|
≠ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
≠ |
|
|
|
c |
|
|
|
|
, α ≠ β ≠γ |
|||||||
|
|
|
|
|
b |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Моноклинная |
2 |
P, C |
|
a |
|
≠ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
≠ |
|
|
|
c |
|
|
|
|
, α =γ = 90o ≠ β |
|||||||
|
|
|
|
|
b |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ромбическая |
4 |
P, C, I, F |
|
a |
|
≠ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
≠ |
|
|
|
c |
|
|
|
|
, α = β =γ = 900 |
|||||||
|
|
|
|
|
b |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
Тетрагональная |
2 |
P, I |
|
a |
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
≠ |
|
|
|
c |
|
|
|
|
, α = β =γ = 900 |
|||||||||
|
|
|
|
|
b |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
Кубическая |
3 |
P, I, F |
|
a |
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, α = β =γ = 900 |
|||||||
|
|
|
b |
|
|
|
|
|
c |
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
Тригональная |
1 |
P |
|
a |
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, α = β =γ <1200 ≠ 90o |
|||||||
|
|
|
b |
|
|
|
|
|
c |
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
Гексагональная |
1 |
P |
|
a |
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
≠ |
|
|
|
c |
|
|
|
|
, α = β = 900 , γ =1200 |
||||||||||
|
|
|
|
|
b |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
P – примитивная, C – базоцентрированная, I – объемноцентрированная, F – гранецентрированная
Вектор трансляции Tr = uar + vbr + wcr, где u , v , w – любые целые числа, определяет положение узлов кристаллической решетки.
Базис кристаллической структуры – есть группа атомов, которые идентичны по составу расположению и ориентации.
Кристаллическая структура = кристаллическая решетка + базис.
Примитивная ячейка – есть ячейка с минимальным объемом. На примитивную ячейку приходится только один узел кристаллической решетки. Частным случаем примитивной ячейки является примитивная ячейка Вигнера-Зейтца. Порядок построения ячейки Вигне- ра-Зейтца:
1.Выбирается узел решетки
2.Проводятся линии, соединяющие этот узел с соседними узлами
3.Через середины построенных линий проводятся плоскости, перпендикулярные к ним.
Фигура, ограниченная этими плоскостями и есть ячейка Вигнера-Зейтца. Базисные векторы обратной решетки вводят соотношениями
r* |
|
|
[bcr] |
|
|
|
r |
* |
|
[ca] |
r* |
|
[ac] |
|
||||
a |
= |
(cr[ar×br]), |
|
b |
|
= |
(ar[br×cr]), |
c |
= |
(br[cr×ar]) |
(1.1) |
|||||||
Решетка, построенная на этом базисе, - есть обратная решетка. |
|
|
|
|
||||||||||||||
Угловые параметры ячеек прямой и обратной решеток связаны уравнениями |
|
|||||||||||||||||
cosα* = |
cos β cosγ −cosα |
cos β* = |
cosγ cosα −cos β |
cosγ * = |
cosα cos β −cosγ |
. |
(1.2) |
|||||||||||
|
sinγ sinα |
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
sin β sinγ |
|
|
|
|
|
|
|
|
sinα sin β |
|
|||
Скалярное произведение векторов прямой и обратной решетки |
|
|
|
|
||||||||||||||
(ar |
ar* ) |
=1 |
(ar |
b * )= 0 |
(ar |
cr* ) |
= 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
(br |
ar* ) |
= 0 |
(br |
br* )=1 |
(br |
cr* ) |
= 0 |
|
|
|
|
|
|
|
(1.3) |
|||
(cr |
ar* )= 0 |
(cr |
r |
(cr cr* )=1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
b * )= 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
Вектор трансляцииr обратной решетки
Gr = har* + kb * +lcr* , где h , k , l - целые числа.
Произведение вектора трансляции обратной решетки на вектор трансляции прямой решетки
TG = 2π ×целое число
Первая зона Бриллюэна есть ячейка Вигнера-Зейтца в обратном пространстве.
Задача 1.1. Определить базис ячеек следующих кристаллов: Ge , PbTe , V , W , Mg ,
GaAs . Указать тип ячеек Браве для решеток этих веществ, их базис и координаты нулевых узлов.
Задача 1.2. Построить примитивную ячейку для объемноцентрированной кубической решетки.
Задача 1.3. Построить примитивную ячейку для гранецентрированной кубической решетки.
Задача 1.4. Доказать, что обратная решетка обратной решетки есть прямая решетка. Задача 1.5 Дана двумерная решетка элементарной ячейкой которой является ромб, острый
угол которого 60o . Построить обратную решетку и первую зону Бриллюэна.
Задача 1.6. a = 10 Å , b = 17 Å, c = 20 Å,,α = β =90°, . γ = 110°. Найти параметры и объём ячейки обратной решётки, и объём ячейки кристалла.
Задача 1.7. a = 5 Å, b = 7 Å, c = 10 Å , α = 100°, β = 90°, . γ = 104°. Найти объём ячейки
кристалла и объём ячейки обратной решётки.
Задача 1.8. Определить элементарную ячейку обратной решётки для ромбоэдрического кристалла (параметры прямой решётки: a = b = c, α = β = γ ≠ 90°) и для ромбического кристалла (параметры прямой решётки: a ≠ b ≠ c , α = β = γ =90°).
Задача 1.9. Элементарная ячейка триклинного кристалла имеет параметры: a = 6,64 Å, b
= 8,31 Å, c = 11,18 Å, α =64.0°, β = 46.3°, .γ =77.4°. Вычислить параметры обратной ре-
шётки.
Задача 1.10. Параметры ячейки равны a = 5,2Å, b = 8,3 Å, c = 12,1 Å, α =76˚50’.,
β .=88˚14’, γ . = 117˚26’. Определить параметры ячейки обратной решетки.
2. Кристаллографические индексы.
Символы узлов. Если один из узлов решетки выбрать на начало координат, то любой другой узел решетка определяется радиусом вектора R = mar + nb + pcr , где m , n , p -
три числа, которые называются индексом данного узла, Совокупности чисел m , n , p ,
записанная в двойных квадратных скобках [[m, n, p]] называется символом узла. Индексы Миллера – три целых числа, определяющие расположение в пространстве граней и атомных плоскостей кристалла, а также направлений в кристалле относительно кри-
сталлографических осей. Пусть кристаллографическая плоскость отсекает на осях коор- |
||||
динат, построенных на векторах a , b , c , отрезки |
p'1 a , p'2 b , p'3 cr |
( p'1 , p'2 , p'3 - целые |
||
числа); целочисленные обратные отношения |
|
|
||
1 p' : 1 p' |
: 1 p' |
= h : k : l |
|
(2.1) |
1 |
2 |
3 |
|
|
определяют индексы Миллера (hkl) данной плоскости. Если грань пересекает оси в отрицательном направлении, то над индексами ставятся черточки (hkl ). Совокупность симметричных граней одной простой формы кристалла обозначается {hkl} . Прямая и параллельное ей ребро, проходящие из начала координат O в точку A (определяемую вектором p1ar+ p2br+ p3cr) определяются индексами Вейса [ p1 p2 p3 ] . Совокупность параллельных направлений обозначается < p1 , p2 , p3 >.
В кристаллах гексагональной сингонии используют четырехосную системуr координат: в базисной плоскости , в дополнении к осям X и Y , направленным по ar и b соответствен-
но, вводится еще ось U , направленная по вектору −ar−b . По главной оси симметрии по прежнему направлен вектор cr и соответственно ось Z . Кристаллографические плоскости и направления характеризуются ориентировкой относительно всех четырех осей и соответственно четырьмя индексами (индексы Браве). Сумма первых трех индексов Браве всегда равна нулю.
Произвольная точка кристаллического пространства с координатами x , y , z принадле-
жащая этой плоскости удовлетворяет уравнению: |
|
hx +ky +lz = 0 . |
(2.2) |
Уравнения других плоскостей, параллельных данной, и не проходящих через начало координат, будут иметь вид
hx +ky +lz = p ,
где константа p определяет расстояние плоскости от начала координат. Межплоскостное расстояние для решетки с произвольной сингонией
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
h |
2 |
|
|
|
k |
2 |
|
|
|
|
l |
2 |
|
|
= |
|
1 |
|
|
|
+ |
|
|
|
+ |
|
|
|
|
+ |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
d 2 |
ξ2 |
(a |
|
|
)2 |
b |
|
|
2 |
|
c |
|
2 |
|||||||
|
|
sinα |
|
sin |
|
|
|
, |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
β |
|
|
|
sinγ |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+ 2 hkab (cosα cos β −cosγ )+ 2 cakl (cosγ cosα −cos β)+ 2 bckl (cos β cosγ −cosα)
где параметр ξ определяется формулой
ξ2 =1−cos2 α −cos2 β −cos2 γ +2cos2 α cos2 β cos2 γ .
В частном случае для кристаллов кубической сингонии
1 |
= |
h2 +k 2 +l 2 |
. |
|
d 2 |
a2 |
|||
|
|
(2.3)
(2.4)
(2.5)
(2.6)
Период идентичности узлового ряда – расстояние между двумя ближайшими узлами данного ряда