Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продолжение

 

 

Определение

Обозна-

Един.

Величина

 

 

 

 

 

 

чеине

изм.

мин.

| макс.

 

 

 

 

 

 

Напряжение

 

коллек­

 

 

 

тор— эмиттер

и

при

 

 

 

/?б ^

500 ом

R0

 

 

 

<

15 ом

 

 

 

" к *

в

и з

 

Напряжение

эмиттер —

в

 

база

 

 

 

 

и*6о

н и

Обратный

ток

коллек­

 

 

 

торного

перехода

при

 

 

 

(Jиб —10 в

 

 

^кбо

ма

0,05

Ш

Ток

коллекторного

пе­

 

 

 

рехода при кз в цепи

 

 

 

эмиттер — база и

при

 

 

 

э= 35 в

 

 

Лсэк

ма

1.5

[ Ю

Коэффициент

усиления

 

 

 

по току

 

 

 

Л219

 

[ю ]

32

Напряжение

насыщения

 

 

 

при

/ к= 2

а

и

U =

в

 

 

=0,3

а

 

 

 

^КЭН

0,25

10.51

 

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли

чаются

от

данных, параметров и

режимов

измерений

П4АЭ.

 

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОР П4ГЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

 

при

температуре окружающей среды

О

 

 

 

Гс = + 20 ±5° С

 

 

Определение

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

пе­

 

 

 

рехода при хх в цепи

 

 

 

эмиттера

при

Uuee

ма

0,05

 

= 10 в

 

 

 

^кбо

0.4 |

Ток

коллекторного

пе­

 

 

 

рехода при кз в цепи

 

 

 

эмиттер — база

и

при

ма

1.5

[20]

Uиэ=50

в

 

 

^кэк

Продолжение

 

 

Определение

 

 

Обозна-

Един.

Величина

 

 

 

 

 

ченне

изм.

мин.

1

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

 

 

__

 

___

по току

 

 

 

 

/*2|Э

 

|J5J

 

|3 0 |

Коэффициент

усиления

 

дб

 

 

 

по мощности

 

 

Ки

W \

 

 

Коэффициент

нелиней­

 

 

 

 

 

ных искажений

 

 

'</

%

 

 

и

Напряжение

насыщения

 

 

 

 

 

при

 

/ к= 2

а

и

/о =

 

 

 

 

 

=0,3

а

 

 

 

 

U кэп

в

0,25

|0 .5|

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­

чаются от данных, параметров и режимов

измерений П4АЭ.

 

 

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОР П4ДЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

 

 

при,

температуре

окружающей среды Т°0 = + 2 0 ±5° С

 

 

 

Определение

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

чение

изм.

мин.

!

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

пе­

 

 

 

 

 

рехода при хх в цепи

 

 

 

 

 

эмиттера

при

£/кб =

 

ма

0,05

 

10.41

= 10 в

 

 

 

 

Кбо

 

Ток

коллекторного

пе­

 

 

 

 

 

рехода при кз в цепи

 

 

 

 

 

эмиттер — база

и

при

 

ма

1.5

 

м

Uкэ=50

в

 

 

 

I К9К

 

Коэффициент

усиления

 

 

 

70

по

току

 

 

 

 

/*219

Гзо~|

 

Коэффициент

усиления

 

дб

 

 

по мощности

 

 

Км

н о

 

Коэффициент

нелиней­

К/

%

 

По]

ных искажений

 

 

Напряжение

насыщения

 

 

 

 

 

при

/ к=2

а

и

/ G=

и КЗИ

в

0,25

 

щ

=0,3

а

 

 

 

 

 

1 Остальные данные,

параметры

и режимы измерений не отли­

чаются от данных, параметров и режимов

измерений

П4АЭ.

 

Типовые выходные характеристики транзисторов П4ВЭ в схеме с общим эмиттером

О

10

20

30

40

50

 

 

 

 

UKe,B

Типовые

выходные

характеристики

транзисторов

ГМГЭ

 

в схеме с общим эмиттером

 

Типовые выходные характеристики транзисторов 114ДЭ в схеме с общим эмиттером