Входные характеристики
Уравнения входных характеристик в схеме с общей базой и общим эмиттером:
^ б Г / "эб+ "кб \ 1
|
/ a= S 9?e Фт |
U l l - e |
j + |
fij |
|
j W |
( |
|
(69) |
|
и6э+и,<ьУ| |
|||
|
I6=s9qe ^ [х-\1 +ё |
^ |
/J+B |
|
где |
q — заряд электрона; |
|
|
|
А и |
В — постоянные, зависящие от свойства полупроводника и тол |
|||
щины базы транзистора. Из уравнений (69) следует:
—с ростом напряжения на коллекторе характеристики в схе мах с общей базой сдвигаются влево по оси напряжений, а с об щим эмиттером — вправо;
—действие на входную характеристику напряжения на кол лекторе практически прекращается при небольших его величинах (2-ч-Э в);
—с ростом температуры участки характеристик, соответствую
щие С!бэ или Uэб, меньшим 0,3ч-0,8 в, сдвигаются влево по оси напряжений независимо от схемы включения; участки характери стик, соответствующие большим напряжениям, сдвигаются вправо. Таким образом, характеристики как бы вращаются с изменением температуры вокруг точки, соответствующей указанным величинам напряжения на эмиттерном переходе.
Выходные характеристики
На рис. 14 и 15 приведены основные характеристики семейств выходных вольтамперных характеристик в схемах с общим эмитте
ром и общей базой. |
|
|
ab и |
др.) |
расположена |
область |
|||
Левее линий насыщения (ас, |
|||||||||
насыщения; внутри |
agdd'b'a |
или |
а'е'са |
(рис. |
15)— область усиле |
||||
ния или активная область; ниже |
характеристики |
/ о=»0 или |
/ э= 0 |
||||||
(рис. |
15)— область |
отсечки |
и |
правее |
линии |
d'dge |
или |
d"e |
|
(рис. |
15) — область умножения. |
|
|
|
|
|
|
||
Характеристики снимаются импульсным методом, исключающим нагрев транзистора. При повышении температуры все семейство характеристик поднимается, расходимость их в ^активной области увеличивается. Это особенно резко проявляется на характеристиках
/нО/нэЬв в схеме с |
общим эмиттером, |
снятых при |
/б = const. |
||
Меньше |
меняют положение |
характеристики |
/ к(£Лсэ)£/бэ |
при Uб0в |
|
= const |
и практически |
совсем |
не меняют — характеристики IH(UUо)/9 |
||
h схеме с общей базой |
при / э = const. |
|
|
||
для |
По линиям насыщения ab, ас и |
т. д. могут быть определены |
||||||||
различных режимов |
напряжения |
U,<эв и |
сопротивления |
г„ |
(ко |
|||||
тангенс угла |
наклона |
этих линий). |
/ э= const |
в активной |
области |
|||||
|
По наклону линий при /о или |
|||||||||
определяются |
параметры |
Л22э и Л21б, |
а |
по расстояниям между ни |
||||||
м и — Л21Э и |
Л2jo, а |
также Л21Э (отношение |
приращений |
тока |
||||||
/к |
к соответствующему |
приращению |
/д |
при |
UK= const). |
Соотвег- |
||||
Р и с. 14. Выходные вольтамперные характеристики транзистора в схеме с общим вмиттером. Область режимов надежной работы транзистора (обведена жирной линией)
ственно по линиям при Uдв или |
= const определяются «/22э, |
«/226. |
{/218, «/216, «/21Э. Недостающие Л- |
и «/-параметры определяются |
по |
переходным характеристикам, построенным по входным и выходным вольтамперным характеристикам.
Расстояния от линии характеристики области отсечки до оси напряжений дают значения начальных токов / кбо, /кэп, и / иэо при различных напряжениях на коллекторе.
Точки в области умножения (гк=0) дают соответствующие зна чения напряжений лавинного пробоя (как было отмечено выше, тепловой механизм пробоя действует в ограниченном числе слу чаев).
Только по вольтамперным характеристикам может быть оконча тельно выбран режим транзистора по току, мощности и напряже нию. Прежде всего, предельно допустимые значения этих величии должны быть меньше, в крайнем случае равны указанным в спра вочнике и в ТУ и, кроме того, не допустимо их совмещение.
На рис. 14 и 15 нанесены границы (жирные линии) макси мального использования транзистора по току, мощности и напря-
жению, образующие замкнутую область, так называемую область надежной работы транзистора. Если линия нагрузки транзистора находится внутри этой области, режим выбран правильно и тран зистор будет работать устойчиво.
Более менее, постоянны границы между областью усиления и областями насыщения и умножения (линии ab, ас и др. и линии eg' и eg"). Линии же тока и мощности перемещаются в зависимо сти от различных условий. Гипербола мощности (штрих-пунктирная линия) наносится в соответствии с условиями и формулами п. «Мак симально-допустимые мощности» настоящего раздела; горизонталь ная линия т о к а е в соответствии с данными п. «Максимально-допу стимые токи».
Область надежной работы в схеме с общей базой значительно больше такой области в схеме с общим эмиттером. Линия agdd' перенесена с рис. 14 на рис. 15: площадь egd'd" (заштрихована) не может быть использована при подключении источника коллек торного питания к выводам коллектор — эмиттер (схема с общим эмиттером) транзистора.
Р а з д е л II
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
Транзисторы германиевые р-п-р
сплавные мощные П4АЭ—П4ДЭ
А. Общие и конструктивные данные
/. О сн овн ое н а з н а ч е н и е
Работа в схемах переключения, выходных каскадах усиления звуковых частот и в преобразователях напряжения и тока.
2. Г а б а р и т н ы й ч е р т еж и р а с п о л о ж е н и е вы во д о в
Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзис тора.
|
|
3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е |
|
|
Вес транзистора |
(макс.) |
14#5 |
г |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
10,5 м м |
|
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
30 |
» |