ТРАНЗИСТОР ПбВ
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды
Определение
Выходная проводимость
Коэффициент усиления по току в схеме с об щей базой
Коэффициент шума
Един.
Обозпач. изм.
Л226 MKCUM
Л21б
Pm дб
7с = +20±5°С
Величина
мин. макс.
0,4 Щ
10.971 10.9951
4 |
20 |
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений П5А.
ТРАНЗИСТОР ПбГ
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
при |
температуре |
окружающей среды |
Гс= +20±5°С |
|
|
|
|
|
|
Величина |
|
Определение |
Обознач. |
Един. |
|
|
|
нзм. |
|
|
|||
Выходная |
проводимость |
Л226 |
MKCUM |
0.4 |
12.61 |
Коэффициент усиления |
|
_ |
|
0.9951 |
|
по току |
|
Л216 |
10 .9 7 1 |
||
Коэффициент шума |
|
дб |
3 |
п ц |
|
ТРАНЗИСТОР П5Д
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
при |
температуре |
окружающей среды |
Г °= + 2 0 ± 5 °С |
|||
|
|
|
|
Елин. |
Величина |
|
Определение |
Обознач. |
|
|
|||
изм. |
мин. |
макс. |
||||
|
|
|
|
|
||
Выходная |
проводимость |
/*22б |
мксим |
0.5 |
ш ло |
|
Коэффициент |
усиления |
|
— |
|
|
|
по току |
|
|
/*21б |
10 ,9 5 1 |
10.9751 |
|
Коэффициент шума |
|
дб |
3 |
hoi |
||
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли |
||||||
чаются от данных, параметров и режимов измерений П5А. |
|
|||||
|
|
ТРАНЗИСТОР П5Е |
|
|
||
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
о |
|
|
при |
температуре |
окружающей среды |
|
|||
Гс = + 20± 5СС |
||||||
|
|
|
|
Един. |
Величина |
|
Определение |
Обознач. |
|
|
|||
изм. |
мин. |
макс. |
||||
|
|
|
|
|
||
Выходная |
проводимость |
/*22б |
мксим |
0.5 |
12.61 |
|
Коэффициент |
усиления |
|
|
| 0.951 |
10.9751 |
|
по току |
|
|
^21б |
|
||
Коэффициент шума |
Pm |
дб |
8 |
Щ |
Типовая зависимость коэффициента шума транзисторов П5А—П5Е
от напряжения на коллекторе
Типовая зависимость обратного тока коллекторного перехода транзисторов П5А—П5Е от температуры окружающей среды
6 |
10 |
ID |
20 |
2D |
Типовые выходные характеристики транзисторов П5А—П5Е для схемы с общей базой.
Типовая зависимость коэффициента усиления по |
току транзисто* |
ров П5А—П5Е от тока эмиттера |
|
Типовые входные характеристики транзисторов Г15А—П5В для схемы с общим эмиттером.