МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
(ФГБОУ ВПО «КубГУ»)
Физико-технический факультет
Кафедра физики
и информационных систем
КУРСОВАЯ РАБОТА
Спектры
люминесценции Ln3+ в кристаллах твердых растворов со структурой шеелита
Краснодар
2013
Реферат
Волосунина А.А. Спектры люминесценции Ln3+ в кристаллах со структурой шеелита. Дипломная работа: 78 с., 38рис., 2 табл., 40 источников.
Объектом исследований являются спектры люминесценции Ln3+ в кристаллах твердых растворов со структурой шеелита.
Целью данной работы явилось выявление влияние лигандов на спектры люминесценции Ln3+ в кристаллах со структурой шеелита и сравнение с их поведением в кристаллах других структур.
Для выполнения данной работы были поставлены следующие задачи:
Изучить спектры люминесценции неодима, эрбия и иттербия в кристаллах со структурой шеелита.
Изучить спектры люминесценции неодима, эрбия, иттербия в кристаллах с другими структурами.
Рассчитать структурные параметры для всех
структур и подготовить их для сравнения между собой и с люминесцентными
свойствами лантаноидов в магистерской диссертации.
Введение
Исследованные кристаллы шеелитов известны в качестве лазерныхсред с 1961. Кристалл CaW04, активированный ионами Nd3+, был первой неодим содержащей матрицей, на которой в 1961 году Джонсон и Нассау получили сначала импульсную, а потом и непрерывную генерацию. Основная проблема шеелитовых кристаллов вольфраматов и молибдатов заключается в том, что при введении примесных ионов трехвалентного неодима Nd3 +, они должны замещать двухвалентный ион (в случае CaW04 - это ион Са2+). Для сохранения электронейтральности, как правило, вводят специальные компенсирующие примеси: ионы оптически неактивных веществ, что позволяет не только улучшить оптическое качество кристаллов, но и управлять центровым составом кристалла.
Первые исследования спектрально генерационных характеристик кристаллов вольфраматов и молибдатов из гомологического ряда шеелитов, активированных ионами неодима, были проведены в середине 60-х годов [2-3]. Интерес к данным средам был обусловлен тем, что из этих монокристаллов, активированных ионами неодима, можноизготовить активные элементы для твердотельных лазеров, обладающих высокими энергетическими параметрами и излучающих стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне спектра.
Последние годы интерес к кристаллам вольфраматов кальция, стронция и бария снова возрос в связи с получением на этих средах эффективного ВКР преобразования [1], а также возможностью использования данных матриц, активированных ионами Nd3+, одновременно, в качестве активной среды для получения генерации на ионах Nd3+, так и нелинейной среды для эффективного ВКР преобразования. В связи с этим, целью настоящих исследований было детальное исследование спектрально-люминесцентных свойств ионов Nd3+ в кристаллах вольфраматов и молибдатов, которое в дальнейшем позволило бы провести оптимизацию как концентрации активных ионов (Nd3+), так и ионов компенсатора для получения эффективной лазерной генерации и ВКР самопреобразования в самой лазерной среде.
Целью данной работы явилось выявление влияние лигандов на спектры люминесценции Ln3+ в кристаллах со структурой шеелита.
Для выполнения данной работы были поставлены следующие задачи:
. Изучить спектры люминесценции неодима в кристаллах со структурой шеелита
. Изучить спектры люминесценции эрбия в кристаллах со структурой шеелита
. Изучить спектры люминесценции иттербия в кристаллах со структурой шеелита
. Изучить спектры люминесценции неодима, эрбия, иттербия в кристаллах с другими структурами
. Рассчитать структурные параметры для всех
структур и сравнить их между собой и с люминесцентными свойствами
Глава 1. Обзор литературы
1.1 Понятие о люминесценции.
Фотолюминесценция
Люминесценция - это испускаемое веществом
излучение, представляющее собой избыток над тепловым излучением и
продолжающееся после импульсного возбуждения в течение времени, значительно
превышающего период световых колебаний. Люминесценция соответствует спонтанным
оптическим переходам, в то время как генерация и усиление света - вынужденным.
Процесс люминесценции схематически изображен на рисунке 1. Поглощая фотон, ион
с основного уровня 1 переходит в возбужденное состояние (уровень 3), с которого
безызлучательно релаксирует на уровень 2 и излучается с длиной волны λ2
Обычно,
свет люминесценции имеет большую длину волны, чем возбуждающий свет.
Энергетические уровни редкоземельного иона в стекле и кристалле расщеплены на
подуровни. Число таких подуровней зависит от атомных квантовых чисел.
Рисунок 1 - Схема процесса люминесценции
люминесценция кристалл шеелит молибдат
На рисунке 2 представлена типичная схема
измерения люминесценции. Излучение источника (1) фокусируется линзой (3) на
образец (2). Возбуждаемая в образце люминесценция собирается линзой (4) на щели
спектрометра. Для того чтобы исследовать только сигнал люминесценции используют
спектральные фильтры. Фильтр Ф1 пропускает только свет, возбуждающий
люминесценцию, а фильтр Ф2 - наоборот, пропускает только свет люминесценции.
Рисунок 2 - Обычная экспериментальная схема
изучения люминесценции
Процесс люминесценции схематически изображен на
рисунке 2. Поглощая фотон, ион с основного уровня 1 переходит в возбужденное
состояние (уровень 3), с которого безызлучательно релаксирует на уровень 2 и
излучается с длинойволны λ2>λ1.
Обычно, свет люминесценции имеет большую длину волны, чем возбуждающий свет
1.2 Лазерные кристаллы,
активированные ионами Ln3+
Кристаллы вольфраматов и молибдатов,
активированные ионами редкоземельных элементов (Ln), представляют значительный
интерес в качестве активных сред твердотельных лазеров с диодной накачкой.
Существенным технологическим недостатком кристаллов (K0.5Gd0.5)WO4и
(K0.5Y0.5)WO4, получивших к настоящему моменту достаточно широкое применение,
является наличие у них полиморфных превращений, что делает невозможным выращивание
этих кристаллов непосредственно из расплава. Кристаллы шеелитоподобных
натрий-содержащих двойных молибдатов и вольфраматов (Na0.5Ln0.5)TO4, (где Ln -
редкоземельный ион, Т - Mo6+ или W6+), лишь незначительно уступающие
калий-содержащим вольфраматам в части люминесцентных характеристик Ln-ионов, но
при этом лишенные проблем, связанных с полиморфными переходами, могут легко
быть выращены напрямую из собственного расплава (например, широко
распространенным методом Чохральского) и выглядят в этом смысле гораздо более
привлекательными. Монокристаллы (Na0.5Gd0.5)WO4:Yb обладают весьма
привлекательными с точки зрения получения лазерной генерации на длине волны 1
мкм спектрально-люминесцентными свойствами, а монокристаллы
(Na0.5La0.5)MoO4:Er,Ce излучают в важном с практической точки зрения диапазоне
длин волн - 1.5 мкм (переход 4I13/2
4I15/2).
Как показали исследования, спектрально-люминесцентных характеристик этой серии
кристаллов, ионы Ce3+ существенно повышают интенсивность полуторамикронной
люминесценции ионов эрбия путем ускорения переноса энергии возбужденного
состояния с уровня 4I11/2Er3+ (в который производится диодная накачка) на
уровень 4I13/2(который является верхним лазерным уровнем полуторамикронной
генерации эрбия), тем самым повышая заселенность последнего.
В процессе исследований было установлено, что кристаллы (Na0.5Gd0.5)WO4:Yb и (Na0.5La0.5)MoO4:Er,Ceвыращенные методом Чохральского, могут в ряде случаев иметь не связанное с присутствием ионов Ln дополнительное оптическое поглощение (ДОП), т.е. быть окрашенными, в широком диапазоне, включающем и область люминесценции ионов Ln. Это мешает получению эффективной лазерной генерации на данных кристаллах. Кроме того, при исследовании спектров поглощения и люминесценции Ln в этих кристаллах было замечено перераспределение интенсивностей полос на различных частотах в зависимости от концентрации активатора.
Для выработки методики целенаправленного
получения кристаллов (Na0.5Gd0.5)WO4:Yb и (Na0.5La0.5)MoO4:Er,Ce с воспроизводимыми
спектрально-люминесцентными свойствами и необходимым оптическим качеством
(включая отсутствие в кристаллах ДОП, препятствующего лазерной генерации ионов
Ln) необходимо выявить типы точечных дефектов формирующихся в данных кристаллах
при различных условиях выращивания и дальнейшей термической обработки. С этой
целью целесообразно воспользоваться кристаллохимическим подходом.
1.3 Соединения cемейства шеелита.
Проблемы дефектообразования
В структуре шеелита CaWO4 (пр. гр. I41/a)
(рисунок 3а) атомы Ca2+ имеют додекаэдрическое окружение атомами кислорода
(симметрия додекаэдра S4) c двумя наборами межатомных расстояний (КЧ=4+4).
Ближайшее окружение полиэдра CaO8 - четыре аналогичных восьмивершинника,
связанных с ним общими ребрами.
Рисунок 3 - Сочленение координационных полиэдров
в структуре шеелита (проекция XY)
Атом W находится в центре слегка искаженного
тетраэдра WO4 (симметрия S4): при одинаковых четырех расстояниях W-O (КЧ=4)
валентные углы различны. Каждый атом кислорода координирован, в свою очередь,
двумя атомами кальция и одним атомом вольфрама (КЧ=3). Структура CaWO4
относится к каркасным структурам. Особенностью ее является наличие второй
координационной сферы вокруг атомов вольфрама, образованной четырьмя атомами
кислорода соседних WO4тетраэдров (квазислоистость) (рисунок 4).
Рисунок 4 - Сочленение координационных полиэдров
в структуре шеелита (проекция XZ)
При уменьшении размера атома в позиции Сa отмечается тенденция к увеличению межатомных расстояний в первой координационной сфере вокруг атомов вольфрама и уменьшению во второй, что приводит в пределе к изменению координационных чисел катионов и к появлению нового структурного типа CdWO4 - вольфрамита (пр. гр. P2/c).
Вольфраматы и молибдаты общего состава (M1+0.5Ln3+0.5)TO4 (M1+-щелочные металлы, Ln-редкоземельные элементы, T=W,Mo) образуют семейство шеелитоподобных структур. Распределение катионов M1+ и Ln3+ в структуре фаз (M1+0.5Ln3+0.5)TO4 по центрам додекаэдров (позиция кальция) исходной структуры шеелита может быть как статистическим, так и упорядоченным. В зависимости от вида упорядочения параметры элементарной ячейки сверхструктуры (a и c) могут быть связаны с параметрами элементарной ячейки типа шеелита (a0 и c0) следующим образом (дана векторная связь с ячейкой шеелита): a=2a0-с0, b=a0, c=a0+3c0; a=3a0, b=2c0, c=a0; a=2a0, b=2a0, c=c0 и т. д.
Увеличение различий в ионных радиусах катионов M
(rM, Å)
и
Ln (rLn, Å) (т.е. увеличение
величины
=rM-rLn)
приводит к искажениям исходной структуры шеелита, сопряженным с упорядочением в
размещении их по позициям кальция. Например,
(K1+0.5Nd3+0.5)MoO4
(rK=1.51Å, rNd=1.11Å, rMo6+=0.41Å,
=+0.40Å)
имеет
моноклинную симметрию с параметрами элементарной ячейки a~2a0, b~2a0, c=c0,
(K1+0.5Sm3+0.5)MoO4 (rK=1.51Å, rSm=1.08Å,
=+0.43Å)
- тоже
моноклинную, но с параметрами a~2a0-c0, b=2a0, c=a0+3c0;K1+0.5Eu3+0.5)MoO4 (rK=1.51Å,
rEu=1.07Å,
=+0.44Å) кристаллизуется
в триклинной сингонии с параметрами элементарной ячейки a=-a0+c0, b=2a0, c=2a0
[13] и a=2a0,
b=a0, c=-(a0/2 +a0/2) + c0/2, (K1+0.5Tb3+0.5)MoO4 (rK=1.51Å,
rEu=1.04Å,
=+0.47Å) имеет
орторомбическую симметрию с параметрами a~a0, b~3a0+с0, c~a0-a0. Для
(Li1+0.5Ce3+0.5)MoO4(rLi=0.92Å, rCe=1.14Å,
=-0.22Å)
найдена
тетрагональная ячейка типа шеелита, однако прецизионное рентгеноструктурное
исследование (Li1+0.5Ce3+0.5)MoO4 показало, что размеры восьмивершинников
задают “крупные” атомы Ce3+, тогда как «мелкие» катионы Li1+ стремятся понизить
свою координацию до четырех за счет своего смещения из центров полиэдров, что
исключает неискаженную структуру типа шеелита у этой фазы.
Анализ вышеприведенных данных свидетельствует о
том, что при величине
~0.22Å имеет
место искажение исходной структуры фаз (M1+0.5Ln3+0.5)TO4 типа шеелита. Дляфаз
же с величинами
0 можно ожидать
реализации неискаженной структуры шеелита.
С другой стороны, увеличение разницы в величинах
электроотрицательности катионов M (
M,
отн. ед) и Ln (
Ln, отн. ед), т.е.
увеличение величины
), также приводит к
искаженным структурам шеелита. Так, (Na0.5Bi0.5)MoO4 (
=+0.01Å,
=-1.1
отн. ед) кристаллизуется в нецентросимметричной пр. гр. I4.
Отсюда, фаза (Na0.5Gd0.5)WO4, судя по радиусам
Na и Gd и их разницы (rNa=1.18Å, rGd=1.05Å,
rW6+=0.44Å,
=+0.13Å), вероятнее
всего должна кристаллизоваться в искаженной структуре шеелита. Наоборот, для
фазы (Na0.5La0.5)MoO4 (rNa=1.18Å, rLa=1.16Å,
=+0.02Å)
не
исключена неискаженная структура шеелита CaWO4 (пр. гр. I41/a) со
статистическим распределением катионов Na+ и La3+ по позициям Ca2+.
Проблемы дефектообразования
Для фаз (Na1+0.5Ln3+0.5)T6+O4можно ожидать
образование собственных точечных дефектов, которые могут быть описаны
следующими квазихимическими реакциями (обозначение точечных дефектов дано по
системе Крегера-Винка: V- вакансия, x,
и ' соответственно
нейтральный, положительный и отрицательный заряд:
NaLn'' +
0,
+ V(Na.Ln)''
0,
+ 2TT
0,
+VT''''''
0,
VT'''''' +3
0,+
+e' =TT'(электроны локализованы на ионах T=W,Mo, в результате чего T6+T5+),
+2e'= (
,2e )x - ассоциат - центр окраски (электроны локализованы на кислородной
вакансии)
+2e'
0
(электроны делокализованы)
Анализ представленных квазихимических реакций,
возможных для данной системы, совместно с радиусами катионов и кислорода по
системе Шеннона (rNa=1.18Å, rGd=1.05Å,
rW6+=0.44Å,rW5+=0.46Å,
RO=1.35Å)
позволяют
предположить уменьшение параметров ячейки в случае прохождения в системе
процессов описанных выше.Кроме того, для этих кристаллов не исключено появление
широкополосного оптического поглощения в видимом и ближнем ИК-диапазоне длин
волн, не связанного с введением легирующей примеси, в частности, за счет
образования F-центров окраски, образования иона вольфрама в составе соединений
с формальным зарядом.
1.4 Редкоземельные оптические центры
Номенклатура уровней энергии. Штарковская структура спектров. Активированные материалы - это кристаллы и стекла, в состав которых специально введены редкоземельные ионы: Nd3+, Er3+, Ho3+, Tm3+, Yb3+ или ионы переходных металлов: Cr3+, Ti3+, Co2+. Эти ионы в значительной степени сохраняют свою индивидуальность (редкоземельные ионы - в большей степени, ионы переходных металлов - в меньшей степени). Говорят, что в матрице они образуют оптические центры. При этом считают, что в центр входит сам ион активатора (катион) и атомы, составляющие его первую координационную сферу (анионы). Акты поглощения и излучения света происходятв пределах каждого центра. Наоборот, при зона-зонных переходах возбуждается электронная волна, распространяющаяся по кристаллу. Таким образом, свойства этих локализованных оптических центров определяют спектрально-люминесцентные и лазерные параметры активированного материала. Штарковские расщепления. Квантовые числа, характеризующие уровни редкоземельного активаторного центра.
При попадании примесного атома активатора в
кристалл или в стекло он подвергается воздействию окружения, и испытывает
расщепление. Прежде всего, это кулоновское воздействие электрических полей
зарядов окружающих ионов, под влиянием, которого атомные уровни испытывают
расщепление. В принципе, такого рода расщепление было исследовано ещё на заре
развития атомной физики и получило название эффекта Штарка. Эффект Штарка - это
эффект расщепления атомных уровней во внешнем однородном электрическом поле.
Чтобы энергетический уровень расщеплялся при воздействии на атом, он должен
быть «вырожден» - т.е. ему должно соответствовать несколько волновых функций.
Число таких волновых функций называется «кратностью вырождения». При
расщеплении уровня сумма кратностей вырождений образовавшихся уровней равна
кратности вырождения исходного уровня. Справедливо общее правило: чем ниже
симметрия поля, действующего на ион в матрице, тем меньше кратности вырождения
образовавшихся штарковских подуровней. Величина кратности вырождения этих
подуровней принимает вполне определённые значения. Для ионов с чётным числом
электронов возможные кратности вырождения 1, 2, 3. Трёхкратно вырожденные
уровни возможны только в полях кубической симметрии (тетраэдр, октаэдр, куб)
Для ионов с нечётным числом электронов возможные кратности вырождения 2, 4.
Четырёхкратно вырожденные уровни возможны только в полях кубической симметрии.
При отсутствии магнитного поля уровни иона-активатора с нечётным числом
электронов, по крайней мере, двукратно вырождены (теорема Крамерса). Для
редкоземельных ионов чрезвычайно важным является следующее обстоятельство. В
подавляющем числе случаев величина штарковских расщеплений меньше энергетических
зазоров между уровнями свободного иона (Рисунок 5).