Материал: Общая физика_под ред. Белокопытова_2016 -506с

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

тура приближаются к поверхности раздела сред. При обходе контура против часовой стрелки получаем

º

º

 

l cos 180° = (E

– E)Δl = 0. (16.18)

E

d l = E

l cos 0° + E

Следовательно,

 

 

 

 

E= E,

(16.19)

т.е. составляющая вектора напряженности поля, касательная к поверхности раздела двух сред, не изменяется при переходе через эту поверхность. С учетом (16.16) запишем

ε

2

 

 

----

.

(16.20)

D= Dε

1

 

 

 

Для определения связи нормальных к поверхности раздела сред проекций вектора напряженности и вектора смещения выберем вокруг точки А участок поверхности раздела сред площадью S (рис. 16.10).

Построим прямой цилиндр с образующей длиной h, параллель-

ной нормали (

º

) к поверхности раздела. По теореме Гаусса

n

 

 

º º

n

 

 

D d S

= Qi своб ,

 

 

 

i = 1

n

 

 

 

где Qi своб

— свободный заряд внутри замкнутой поверхности,

i = 1

т.е. в объеме цилиндра. Устремим высоту цилиндра h к нулю. В таком случае поток вектора смещения через боковую поверхность цилиндра обратится в нуль. Если на поверхности раздела сред

 

 

n

 

нет свободных поверхностных зарядов, то Qi своб

= 0. С другой

 

 

i = 1

 

стороны,

 

 

 

º º

 

S cos 0° + D2n S cos 180° = (D2n

– D1n)ΔS .

D d S

= D1n

Поэтому

 

 

 

 

 

D1n = D2n.

(16.21)

Это означает, что при переходе через границу раздела двух сред, на которой нет поверхностных свободных зарядов, нормальная

221

2

 

 

E2

 

D2

 

E1

2

D2n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E2

 

D1n

 

 

1

 

1

E1

 

 

 

E1 = E2

 

 

 

 

 

 

D1n = D2n

 

 

 

 

D

1

 

Рис. 16.11

Рис. 16.12

составляющая электрического смещения не изменяется. С учетом (16.16) запишем:

ε

1

 

 

----

.

(16.22)

E2n = E1n ε

2

 

 

 

С помощью этого соотношения можно легко пояснить физический смысл относительной диэлектрической проницаемости вещества. Если рассматривать преломление силовых линий электрического поля на границе «вакуум — диэлектрик», то из (16.22) следует, что

En вак / En диэл = ε.

Относительная диэлектрическая проницаемость равна отношению нормальной составляющей напряженности электрического поля в вакууме к нормальной составляющей напряженности электрического поля в диэлектрике.

Объединяя условия (16.19)—(16.22), можно показать, каким образом преломляются силовые линии электростатического поля при переходе из одного диэлектрика в другой. Для случая ε2 > ε1 это

изображено на рис. 16.11 и 16.12.

Вектор напряженности поля не изменяется при переходе из одной среды в другую, если поверхность раздела сред касается силовых линий поля. Если поверхность раздела сред совпадает с эквипотен-

º º

циальной поверхностью поля, то векторы E и D перпендикулярны такой поверхности и при переходе через нее не изменяется вектор электрического смещения.

222

Г л а в а 17

ПРОВОДНИКИ В ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОМ ПОЛЕ. ЭНЕРГИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ

Проводниками называют вещества, содержащие свободные носители заряда, т.е. частицы, которые могут свободно перемещаться по объему проводника под действием сколь угодно малого электрического поля. К данному типу веществ, прежде всего, относят металлы, в которых свободными носителями заряда являются электроны проводимости. В полупроводниках п-типа такими частицами выступают свободные электроны, в полупроводниках p-типа — положительные заряды, так называемые «дырки». В электролитах проводимость обеспечивается и положительными, и отрицательными ионами. В ионизованном газе (плазме) свободные носители заряда — это электроны и положительно заряженные ионы. При анализе особенностей поведения проводников в электростатическом поле ограничимся лишь рассмотрением металлов.

17.1.Проводники в электростатическом поле

Вотсутствие внешнего электростатического поля свободные электроны хаотично располагаются в металле. При этом электрические поля электронов проводимости и положительных ионов металла взаимно компенсируются. Если проводник внесен во внешнее элект-

º

ростатическое поле напряженностью E 0 (рис. 17.1), то под дейст-

вием этого поля электроны проводимости приходят в движение. Они смещаются в сторону, противоположную направлению напряжен-

º

ности внешнего поля E 0 , располагаясь на поверхности проводника, а

положительные нескомпенсированные заряды ионов металла остаются на противоположной поверхности проводника. Явление перераспределения свободных зарядов в проводнике под действием внешнего электрического поля называется электростатической индукцией. При этом внутри проводника возникает собственное поле с напряжен-

ностью ºE ′ . В процессе разделения зарядов суммарная напряженность

 

º

 

º

 

º

′ ; E = E0

– E′. Перерас-

поля в проводнике уменьшается:

E

=

E0

+

E

223

 

 

 

 

 

 

 

E0

 

+

 

 

+

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

E'

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

+ +

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 17. 1

h h

n

S

Рис. 17. 2

пределение зарядов происходит до тех пор пока напряженность результирующего поля в проводнике не станет равной нулю. Если бы внутри проводника существовало электрическое поле, то перераспределение зарядов (ток в проводнике) вызвало бы нагрев проводника при отсутствии изменения внешнего поля, что противоречило бы второму началу термодинамики. Таким образом, в любой точке проводника электрическое поле электронов проводимости и положительных ионов проводника компенсирует внешнее поле.

Поскольку распределение зарядов по поверхности проводника стационарно (заряды неподвижны), то тангенциальная (касательная к поверхности проводника) составляющая напряженности электро-

º

статического поля равна нулю. Это означает, что вектор E и сило-

вые линии поля перпендикулярны к поверхности проводника. Из этого, в свою очередь, следует, что потенциал поверхности проводника одинаков во всех точках. Эквипотенциальной поверхностью

называется геометрическое место точек пространства, потенциалы которых равны. Таким образом, поверхность проводника является эквипотенциальной. Разность потенциалов между любыми двумя

r2

º º

точками внутри проводника ϕ1 – ϕ2 =

E d l

= 0 , так как напря-

r1

 

 

женность внутри проводника равна нулю. Это означает, что весь проводник представляет собой эквипотенциальный объем.

Для определения плотности зарядов на поверхности проводника выделим малый элемент его поверхности площадью S (рис. 17.2). Построим замкнутую гауссову поверхность в виде цилиндра, площадь основания которого равна S, а сами основания расположены по обе стороны поверхности проводника на расстояниях h от нее. Поток

224

напряженности поля через гауссову поверхность определится следующим образом:

º º

=

º º

º º

º º

 

E d S

E d S +

E d S +

E d S

=

 

(Sбок)

(Sверхн)

 

(Sнижн)

 

 

=

E dS cos 90° +

E dS cos 0° = EnS ,

 

(Sбок)

 

(Sверхн)

 

 

 

причем

º º

 

 

 

 

 

 

E d S

= 0 , так как электрическое поле внутри про-

(Sнижн)

водника отсутствует. Здесь Sбок, Sверхн, Sнижн — соответственно пло-

щади боковой поверхности цилиндра, его верхнего и нижнего оснований.

Поскольку выбранная гауссова поверхность охватывает заряд qохв = σS, расположенный на поверхности проводника, то по теореме

 

1

σS ,

 

Гаусса EnS =

----

 

ε

0

 

 

 

 

 

 

 

σ = ε0En ,

(17.1)

т.е. плотность электрического заряда на поверхности проводника прямо пропорциональна напряженности поля вблизи его поверхности. Следствие: при переходе через поверхность заряженного проводника напряженность электрического поля изменяется скачком на

E = σ ⁄ ε0 .

Как связана поверхностная плотность распределения зарядов с кривизной поверхности проводника? Для ответа на этот вопрос рассмотрим сначала заряженный проводящий шар. Если заряд шара равен Q, а радиус — R, то потенциал поверхности шара можно определить так:

rϕ = 0

×

×

Q

 

 

 

Q

ϕ = E dr =

E dr =

 

dr =

 

------------------

---------------- .

R

R

R

4πε

0

r 2

 

4

πε0R

 

 

 

 

 

Умножив числитель и знаменатель на R, получим:

QR

=

σR

(17.2)

ϕ = -------------------

------- .

ε04πR 2

 

ε0

 

Поскольку кривизна поверхности шара постоянна (R = const) и потенциал поверхности одинаков в любой точке, то σ = const, т.е. заряды по поверхности проводящего шара распределены равномерно.

225