Материал: МДП

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ приближение плоских зон удобнее рассматривать - это значит когда мы рисуем энергетическую

диаграмму МДП (у нас п тип в лекции) то считаем что работа выхода всех материалом одинаковы (нигде нет конктаной разности потенциалов)( уровень Ферми исходно представляет собой прямую линию)

Если на металл мы подадим отрицательный потенциал на металл , это приведет к тому что уровень Ферми в металле пойдет вверх , если положительный потенциал на пп то Ур Ферми ПП полезет вниз Произойдет изгиб зон где наибольшее падение напряжения в материале

В случае мдп таких областей две Одна часть напряжения падает в диэлектрике, ещё часть в пп

((Появится изгиб зон, в зависимости от того какие потенциалы куда подавать (на картинке изгиб зоны вверх соответсноо дырки будут скапливаться вблизи диэлектрика , концентрация основных носителей заряда в подзатворной области будет увеличиваться (основные -дырки)))

Другая ситуация ме+пп-

Изгиб в другую сторону (вниз)

Наклон диажлектрика и изгиб в одну сторону , ТК в дэ заряда нету и уравнение Пуассона выражается в уравнение лапласа), а уравнение Пуассона в ПП не вырождается ТК есть заряды потому и зависмотьс квадратичная , но и там и там имеется падение напряжения в результате изгиб и наклон есть и там и там.

ВХОДНАЯ ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

вначале допороговые токи которые возникают в результате , того, что концентрация неосновных носителей заряда электронов начинает преобладать над контакты основных носителей заряда дырои при мЕньших напряжениях на затворе, те уже в тот момент когда изгиб энергетической диаграммы достигает вида такого

То если мы подадим чуть бОльший потенциал на затвор и уровень Ферми перейдет чуть выше чем середина хз то все в этом случае электронов в тонком слое под Дэ уже будет больше чем дырок, соотвесвукт подавая напряжение на сток мы можем наблюдать электрический ток который описывается именабирают нно этими электронами и эта дпороговая область определяется чдопороговым током который

возникает в результате существования электронов с чуть меньшей концентрацией чем концентрация дырок в области п типа

Как влияет зарядка дэ на входную характеристику (те попадание электронов в Дэ)

В дэ возникает заряд за счёт того что электронная туда попадают, значит заряд отрицательный, то заряд будет отталкивать электроны из канала и мешать возникновению н канала.

Если говорить об энергетической диаграмме то появление электронов в области Дэ дает нам небольшой скачок потенциала в этой области , его тоже придется компенсировать за счёт напряжения на затворе.

Если заряд маленький то компенсировать него надо чуток и пороговое напряжение изменяется мало, если большой то пороговое напряжение может измениться очень заметно

Если подаём положительные напряжение на подложку то на энерг диагр смещается уровень Ферми ПП вниз, т е тем самым смещением уровня Ферми вниз мы уменьшаем изгиб

Раз мы его уменьшили за счёт этого напряжения значит надо вернуть его обратно за счёт напряжения на металле (за счёт увеличения порогового напряжения)

Те при положительной напряжении на подложке пороговое растет!! Отрицательном напряжении на затворе пороговое уменьшается

КРУТИЗНА Управлять крутизной те изменять эффективность управления транзистором в области до

напряжения насыщения мы можем, в после эффективность управления уже больше не меняется с ростом напряжения на стоке