Материал: МДП

большее напряжение будет падать. Как следствие увеличивается пороговое напряжение:

, где

-контактная разность металл затвора-

полупроводник (q - заряд электрона, εG - ширина запрещенной зоны полупроводника подложки);

0 = (kT q) ln(N A ni ) - положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны (Na - концентрация акцепторной примеси в полупроводнике);

Usub - потенциал подложки;

- удельный заряд обедненной области полупроводника с учетом смещения на подложке;

- удельный поверхностный заряд в диэлектрике.

Отсюда, снижение тока стока и напряжения насыщения:

, где

µn - подвижность электронов в канале, Z - ширина канала, Ci - удельная емкость, L

-длина канала, Uc - напряжение на стоке, Uз - напряжение на затворе.

3)Исследование ВАХ МДПТ при различных значениях концентрации примеси в активном слое.

hemt

Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОПтранзисторов).

ПТШ

A – полная глубина канала

Полевой транзистор (металл-полупроводник) или ПТШ (полевой транзистор с затвором Шотки) имеет в своей структуре вместо полупроводника кремния – арсенид галлия, что позволяет в несколько раз увеличить быстродействие при использовании его в информационных передающих устройствах (рис. 13).