Материал: Материалы и элементы электронной техники

При образовании гетеропереходов происходит перераспределение носителей заряда, что приводит к появлению контактной разности потенциалов и к выравниванию уровней Ферми j_F. Так как ширина энергетических зон используемых полупроводников различны, то вблизи контактов могут образовываться разрывы (рис. 19, а, б, а - гетеропереход - контакт между полупроводниками р- и п-типов с преимущественной инжекцией электронов в узкозонный полупроводник; б - изотипный выпрямляющий контакт между полупроводниками п-типа электропроводности.)

а                          б

Рис. 19

Одним из важных свойств таких переходов является способность к односторонней инжекции, либо наоборот неинжектирующими свойствами.

Ясно, что гетеропереходы получат широкое распространение в полупроводниковой технике будущего, не столько вытеснят, сколько дополнят гомопереходы.

Говоря о гетеропереходах, нельзя не остановиться еще на одной разновидности полупроводниковых структур, состоящих из полупроводниковых слоев с различной шириной запрещенной зоны, так называемых сверхрешетках. При толщине слоев (невырожденных полупроводника) порядка 100 - 150 ангстрем структура будет обладать областью электронно-дырочного перехода превышающий толщину слое, между которыми образуется переход. При этом, в направлении перпендикулярном плоскости слоев, структура будет обладать периодическим потенциалом, похожим на периодический потенциал кристаллической решетки. Поскольку на периодический потенциал решетки оказывается наложенным другой периодический потенциал, такую структуру назвали сверхрешеткой.

Литература

1. Полупроводниковые приборы В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. - М.: Высш.шк. 1987. -427 с.

. Батушев В.А. Электронные приборы: Уч. Для высш. Шк. - М: Высш.шк. 1980. -383 с.

. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.: Уч. Пособие для вузов. - М.: Сов. Радио 1980. -424 с.

. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение.-М.: Радио и связь, 1984. -276 с.

. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М.: Радио и связь, 1984, -80 с.

. Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, диоды импульсные, оптоэлектронные приборы: Справочник/А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев, В.В. Мокряков и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. - 2-е изд., перераб. М: Энергоатомиздат, 1984.

. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/ В.А. Аронов, А.В. Баюков, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. М: Энергоатомиздат, 1982.

. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев, В.В. Мокряков и др.; Под ред. А.В. Голомедова. М: Радио и связь, 1989.

. Тиристоры: Справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев. М: Радио и связь, 1990. (Массовая радиобиблиотека)

. Булычев А.Л. и др. Электронные приборы. - М.: Лайт Лтд., 2000. - 416 с.

. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Уч.пособие для вузов/ Ю.Л. Бобровский, С.А. Корнилов, И.А. Кратиров и др.; Под ред. Проф. Н.Д. Федорова. - М.: Радио и связь, 1998. -560 с.

. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. - 2-е изд. испр. и доп. - СПб.: КОРОНА принт, 2000. - 416 с.

. Быстров ЮА., Гамкрелидзе С.А., Иссерлин Е.Б., Черепанов В.П. Электронные приборы и устройства на их основе: Справочная книга. - М.: ИП РадиоСофт, 2002 - 656 с.

. Малышев В.А., Червяков Г.Г., Ганзий Д.Д. Нелинейные микроволновые полупроводниковые устройства. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2001. 354 с.

. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Учеб.пособие для вузов/ Ю.Л. Бобровский, С.А. Корнилов, И.А. Кратиров и др., Под ред. проф. Н.Д. Федорова. М.: Радио и связь, 1998. -560 с.

. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Основы физики приборов с зарядовой связью. - М.: Наука, 1986. -240 с.

. Речицкий В.И. Акусто-электронные радиокомпонентыю Схемы, топология, конструкции. - М.: Радио и связь, 1987. -246 с.

. Дворников А.А., Огурцов В.И., Уткин Г.М. Стабильные генераторы с фильтрами на поверхностных акустических волнах.-М.: Радио и связь, 1983. -216 с.