Материал: anishik_v_m_uglov_v_v_cherenda_n_n_rezerfordovskoe_obratnoe

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

эффективного сечения торможения. Следовательно, для практического использования формулы (5.3) необходимо решить две задачи.

Первая из них состоит в том, что необходимо знать, с каким шагом по ∆Е для различных элементов следует выбирать толщину слоя, дающего сигнал Нi. Для каждого элемента существует своя шкала глубин из-за зависимости энергии Е от кинематического фактора КМ, как следует из формулы (2.17). Тогда для различных элементов одна и та же величина ∆Е соответствует различной толщине слоя, содержащего тот или иной элемент. Поэтому необходимо приводить к одному масштабу шкалы глубин различных элементов и только тогда переходить к построению концентрационных профилей. Для одной толщины N·∆t (в единицах слоевой концентрации) шкалы глубин для основного элемента и компонента i будут отличаться на коэффициент:

Ei

=

[ε

(E)]iобр

.

(5.5)

E

осн

 

ε

обр

 

 

 

[

(E)]осн

 

Определив факторы эффективного сечения торможения и подставив их в формулу (5.5), можно получить множитель, приводящий в соответствие шкалы глубин различных элементов. Например, для атомов Sb (концентрация 1ат. %) в Al этот коэффициент составляет ∆ЕSb /ЕAl = 1.15. То есть для алюминия и олова шаг по ∆Е будет практически одинаков (в качестве ∆Е обычно выбирается δЕ). Тогда высоты Нi и Н осн, входящие в формулу (5.3), для данного случая (Sb в Al) можно брать для одинаковых энергетических отклонений от КiЕ0 и КоснЕ0 соответственно. Иными словами, каждому энергетическому каналу будет соответствовать приблизительно одинаковая толщина слоя и для атомов олова, и для атомов алюминия. Если множитель (см. формулу 5.5) значительно отличается от единицы, то и энергетические интервалы должны браться уже с учетом этого множителя.

Вторая задача, которую необходимо решить, – это определение точных значений факторов эффективного сечения торможения. От точности их определения будет зависеть точность определения Ni /Nосн и ∆t. Однако для того чтобы определить [ε] по правилу Брэгга, уже необходимо знать концентрацию легирующих элементов, которая неизвестна. Следовательно, возникает необходимость в использовании некоего приближения. Для решения этой задачи может быть использован метод итераций. На первом этапе определяется концентрация элементов на поверхности, например, с помощью метода, изложенного в лабораторной работе № 3. Затем полученную концентрацию можно использовать для расчета факторов эффективного сечения торможения в следующем энер-

36

гетическом канале (или энергетическом интервале с учетом множителя, приводящего в соответствие шкалу глубин). Следовательно, по формулам (2.17) и (5.3) можно определить толщину слоя ∆t и Ni /Nосн. Полученные значения Ni /Nосн можно использовать для расчета факторов эффективного сечения торможения в следующем энергетическом канале и т. д.

Следует учесть, что если примесь находится на глубине t 0.5 мкм, то для вычисления [ε] необходимо использовать приближение средней энергии. Однако если концентрация примеси 1 ат. %, то возможно использование приближения поверхностной энергии. Тогда относительная ошибка в определении концентрации и глубины залегания примеси не будет превышать 5 %.

Если концентрация легирующих примесей 1 ат. %, то атомы примеси можно рассматривать только как рассеивающую среду, а атомы основного элемента – как тормозящую среду. Следовательно, фактор эффективного сечения торможения компонента i будет определяться по следующей формуле:

обр

=

K

i

εосн

 

+

1

εосн

 

.

(5.6)

 

 

[ε]i

 

 

 

 

 

 

cosΘ1

 

Евх

cosΘ2

 

 

Евых

 

 

 

 

 

 

 

Для определения энергий Евх и Евых можно пользоваться приближением средней энергии (формула 2.20). В этой формуле ∆Е – разность между энергией ионов, рассеянных на поверхности, и энергией, с которой ионы попадают в рассматриваемый энергетический канал. То есть ∆Е соответствует глубине t, на которой находится рассматриваемый слой ∆t. Тогда ∆Е и t связаны соотношением:

E = [ε]обр N

осн

t .

(5.7)

i

 

 

Для случая незначительной концентрации легирующей примеси может быть использован еще один подход, позволяющий построить концентрационный профиль легирующего элемента. Данный подход не требует выбора шага по энергетическому интервалу для легирующего и основного элемента. Однако для его использования необходимо знание Q и Ω, суммарная ошибка в определении которых достигает 6 %. В общем случае концентрация легирующего компонента i на глубине, соответствующей энергетическому каналу k, находится по следующей формуле:

Hi (Ek ) =σi (E1k

)Q

Ni (t)

δE

ε(Ki E1k ) ,

(5.8)

 

[ε(E1k )]iобрcosΘ1

 

 

Nосн

ε(Ek )

 

где Еk – энергия, соответствующая каналу с номером k, Еk1 – энергия пе-

ред соударением в слое, соответствующем каналу с номером k. В отличие от формулы (2.23) в выражение для Hi входит поправочный коэффи-

37

циент ε(KiEk1)/ε(Ek), учитывающий изменение с глубиной толщины слоя, соответствующего ширине одного энергетического канала. Для рассматриваемого случая малой концентрации легирующего элемента этот коэффициент незначительно отличается от единицы и может не учитываться. В качестве энергии Еk1 может использоваться значение Евх для данного канала в приближении средней энергии. Еk1 может быть рассчитана и по формулам (3.16, 3.17). Глубина t, на которой находится рассматриваемый слой k, так же, как и в предыдущем случае, определяется по фор-

муле (5.7).

Стандартное отклонение при измерении интенсивности H обуславливает погрешность определения концентрации элемента Ni, и относительная погрешность определяется по формуле:

Ni =

1 100 % .

(5.9)

Ni

Hi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Задание

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

Провести качественный анализ образца по предложенному спектру

 

РОР. По формуле (5.5) определить множитель, приводящий в соот-

 

ветствие шкалу глубин (считать, что концентрация легирующей при-

 

меси 1ат. %). Используя формулы (5.3, 5.7) и приближение средней

 

энергии, построить концентрационный профиль легирующего эле-

 

мента. Данные занести в таблицу.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Е,

Hi,

 

Hосн,

 

Евх,

Евых,

 

 

[ε

]iобр

,

 

 

[ε

]обр

,

 

 

N i

 

t,

МэВ

им-

 

им-

 

МэВ

МэВ

 

 

 

 

 

 

 

 

осн

 

 

 

 

нм

 

 

 

10

–15

 

 

2

 

–15

 

2

 

N осн

 

 

 

 

пуль-

 

пуль-

 

 

 

 

 

 

эВ см

10

эВ см

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сы

 

сы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Построить концентрационный профиль легирующего элемента, ис-

 

пользуя формулы (5.7, 5.8) и приближение средней энергии. Данные

 

занести в таблицу.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Е,

 

 

Hi,

 

σi,

 

 

 

 

N i

 

t,

 

Ni

,

 

 

 

 

 

 

 

 

импуль-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ni

 

 

 

 

 

 

МэВ

10–24см2/ср

 

 

 

N осн

 

нм

 

 

 

 

 

 

 

 

сы

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

Сравнить концентрационные профили, полученные двумя методами.

38

Контрольные вопросы

1.В чем состоит сложность расчета концентрационных профилей для образцов с неравномерной концентрацией элементов по глубине?

2.Методы расчета распределения элементов по глубине в образцах с неравномерной концентрацией элементов по глубине.

3.Методы расчета распределения элементов по глубине в образцах, где концентрация легирующих элементов не превышает 1 ат. %. Их преимущества и недостатки.

4.Условия применения приближения поверхностной энергии и приближения средней энергии при расчете концентрационного профиля.

39

ЛИТЕРАТУРА

1.Chu W. K., Mayer J. W., Nicolet M.-A. Backscattering spectrometry. – Academic Press, NY, 1978. – 384 p.

2.Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Ташлыков И. С. Неразрушающий анализ поверх-

ностей твердых тел ионными пучками. – Мн.: Университетское, 1987. – 256 с.

3.Шипатов Э. Т. Обратное рассеяние быстрых ионов: Теория, эксперимент, практика. – Изд-во Ростовского ун-та, 1988. – 160 с.

4.Петров Н. Н., Аброян И. Л. Диагностика поверхности с помощью ионных пуч-

ков. – Л.: ЛГУ, 1977. – 130 с.

5.Методы анализа на пучках заряженных частиц / А. А. Ключников, Н. Н. Пучеров, Т. Д. Чеснокова, В. Н. Щербин. – Киев: Наук. думка, 1987. – 152 с.

6.Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута. К. Ту,

Дж. Мейера. – М.: Мир, 1982. – 576 с.

40