эффективного сечения торможения. Следовательно, для практического использования формулы (5.3) необходимо решить две задачи.
Первая из них состоит в том, что необходимо знать, с каким шагом по ∆Е для различных элементов следует выбирать толщину слоя, дающего сигнал Нi. Для каждого элемента существует своя шкала глубин из-за зависимости энергии Е от кинематического фактора КМ, как следует из формулы (2.17). Тогда для различных элементов одна и та же величина ∆Е соответствует различной толщине слоя, содержащего тот или иной элемент. Поэтому необходимо приводить к одному масштабу шкалы глубин различных элементов и только тогда переходить к построению концентрационных профилей. Для одной толщины N·∆t (в единицах слоевой концентрации) шкалы глубин для основного элемента и компонента i будут отличаться на коэффициент:
∆Ei |
= |
[ε |
(E)]iобр |
. |
(5.5) |
|
∆E |
осн |
|
ε |
обр |
|
|
|
|
[ |
(E)]осн |
|
||
Определив факторы эффективного сечения торможения и подставив их в формулу (5.5), можно получить множитель, приводящий в соответствие шкалы глубин различных элементов. Например, для атомов Sb (концентрация ≤ 1ат. %) в Al этот коэффициент составляет ∆ЕSb /∆ЕAl = 1.15. То есть для алюминия и олова шаг по ∆Е будет практически одинаков (в качестве ∆Е обычно выбирается δЕ). Тогда высоты Нi и Н осн, входящие в формулу (5.3), для данного случая (Sb в Al) можно брать для одинаковых энергетических отклонений от КiЕ0 и КоснЕ0 соответственно. Иными словами, каждому энергетическому каналу будет соответствовать приблизительно одинаковая толщина слоя и для атомов олова, и для атомов алюминия. Если множитель (см. формулу 5.5) значительно отличается от единицы, то и энергетические интервалы должны браться уже с учетом этого множителя.
Вторая задача, которую необходимо решить, – это определение точных значений факторов эффективного сечения торможения. От точности их определения будет зависеть точность определения Ni /Nосн и ∆t. Однако для того чтобы определить [ε] по правилу Брэгга, уже необходимо знать концентрацию легирующих элементов, которая неизвестна. Следовательно, возникает необходимость в использовании некоего приближения. Для решения этой задачи может быть использован метод итераций. На первом этапе определяется концентрация элементов на поверхности, например, с помощью метода, изложенного в лабораторной работе № 3. Затем полученную концентрацию можно использовать для расчета факторов эффективного сечения торможения в следующем энер-
36
гетическом канале (или энергетическом интервале с учетом множителя, приводящего в соответствие шкалу глубин). Следовательно, по формулам (2.17) и (5.3) можно определить толщину слоя ∆t и Ni /Nосн. Полученные значения Ni /Nосн можно использовать для расчета факторов эффективного сечения торможения в следующем энергетическом канале и т. д.
Следует учесть, что если примесь находится на глубине t ≥ 0.5 мкм, то для вычисления [ε] необходимо использовать приближение средней энергии. Однако если концентрация примеси ≤1 ат. %, то возможно использование приближения поверхностной энергии. Тогда относительная ошибка в определении концентрации и глубины залегания примеси не будет превышать 5 %.
Если концентрация легирующих примесей ≤1 ат. %, то атомы примеси можно рассматривать только как рассеивающую среду, а атомы основного элемента – как тормозящую среду. Следовательно, фактор эффективного сечения торможения компонента i будет определяться по следующей формуле:
обр |
= |
K |
i |
εосн |
|
+ |
1 |
εосн |
|
. |
(5.6) |
|
|
||||||||||
[ε]i |
|
|
|
|
|||||||
|
|
cosΘ1 |
|
Евх |
cosΘ2 |
|
|
Евых |
|
||
|
|
|
|
|
|
||||||
Для определения энергий Евх и Евых можно пользоваться приближением средней энергии (формула 2.20). В этой формуле ∆Е – разность между энергией ионов, рассеянных на поверхности, и энергией, с которой ионы попадают в рассматриваемый энергетический канал. То есть ∆Е соответствует глубине t, на которой находится рассматриваемый слой ∆t. Тогда ∆Е и t связаны соотношением:
∆E = [ε]обр N |
осн |
t . |
(5.7) |
i |
|
|
Для случая незначительной концентрации легирующей примеси может быть использован еще один подход, позволяющий построить концентрационный профиль легирующего элемента. Данный подход не требует выбора шага по энергетическому интервалу для легирующего и основного элемента. Однако для его использования необходимо знание Q и Ω, суммарная ошибка в определении которых достигает 6 %. В общем случае концентрация легирующего компонента i на глубине, соответствующей энергетическому каналу k, находится по следующей формуле:
Hi (Ek ) =σi (E1k |
)ΩQ |
Ni (t) |
δE |
ε(Ki E1k ) , |
(5.8) |
|
[ε(E1k )]iобрcosΘ1 |
||||
|
|
Nосн |
ε(Ek ) |
|
|
где Еk – энергия, соответствующая каналу с номером k, Еk1 – энергия пе- |
|||||
ред соударением в слое, соответствующем каналу с номером k. В отличие от формулы (2.23) в выражение для Hi входит поправочный коэффи-
37
циент ε(KiEk1)/ε(Ek), учитывающий изменение с глубиной толщины слоя, соответствующего ширине одного энергетического канала. Для рассматриваемого случая малой концентрации легирующего элемента этот коэффициент незначительно отличается от единицы и может не учитываться. В качестве энергии Еk1 может использоваться значение Евх для данного канала в приближении средней энергии. Еk1 может быть рассчитана и по формулам (3.16, 3.17). Глубина t, на которой находится рассматриваемый слой k, так же, как и в предыдущем случае, определяется по фор-
муле (5.7).
Стандартное отклонение при измерении интенсивности H обуславливает погрешность определения концентрации элемента Ni, и относительная погрешность определяется по формуле:
∆Ni = |
1 100 % . |
(5.9) |
Ni |
Hi |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Задание |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
1. |
Провести качественный анализ образца по предложенному спектру |
|||||||||||||||||||||||||
|
РОР. По формуле (5.5) определить множитель, приводящий в соот- |
|||||||||||||||||||||||||
|
ветствие шкалу глубин (считать, что концентрация легирующей при- |
|||||||||||||||||||||||||
|
меси ≤1ат. %). Используя формулы (5.3, 5.7) и приближение средней |
|||||||||||||||||||||||||
|
энергии, построить концентрационный профиль легирующего эле- |
|||||||||||||||||||||||||
|
мента. Данные занести в таблицу. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
∆Е, |
Hi, |
|
Hосн, |
|
Евх, |
Евых, |
|
|
[ε |
]iобр |
, |
|
|
[ε |
]обр |
, |
|
|
N i |
|
t, |
|||||
МэВ |
им- |
|
им- |
|
МэВ |
МэВ |
|
|
|
|
|
|
|
|
осн |
|
|
|
|
нм |
|
|||||
|
|
10 |
–15 |
|
|
2 |
|
–15 |
|
2 |
|
N осн |
|
|
||||||||||||
|
|
пуль- |
|
пуль- |
|
|
|
|
|
|
эВ см |
10 |
эВ см |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
сы |
|
сы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. |
Построить концентрационный профиль легирующего элемента, ис- |
|||||||||||||||||||||||||
|
пользуя формулы (5.7, 5.8) и приближение средней энергии. Данные |
|||||||||||||||||||||||||
|
занести в таблицу. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
∆Е, |
|
|
Hi, |
|
σi, |
|
|
|
|
N i |
|
t, |
|
∆Ni |
, |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
импуль- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ni |
|
|
|
|
|||||
|
|
МэВ |
10–24см2/ср |
|
|
|
N осн |
|
нм |
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
сы |
|
|
|
|
|
|
|
|
% |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3. |
Сравнить концентрационные профили, полученные двумя методами. |
|||||||||||||||||||||||||
38
1.В чем состоит сложность расчета концентрационных профилей для образцов с неравномерной концентрацией элементов по глубине?
2.Методы расчета распределения элементов по глубине в образцах с неравномерной концентрацией элементов по глубине.
3.Методы расчета распределения элементов по глубине в образцах, где концентрация легирующих элементов не превышает 1 ат. %. Их преимущества и недостатки.
4.Условия применения приближения поверхностной энергии и приближения средней энергии при расчете концентрационного профиля.
39
ЛИТЕРАТУРА
1.Chu W. K., Mayer J. W., Nicolet M.-A. Backscattering spectrometry. – Academic Press, NY, 1978. – 384 p.
2.Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Ташлыков И. С. Неразрушающий анализ поверх-
ностей твердых тел ионными пучками. – Мн.: Университетское, 1987. – 256 с.
3.Шипатов Э. Т. Обратное рассеяние быстрых ионов: Теория, эксперимент, практика. – Изд-во Ростовского ун-та, 1988. – 160 с.
4.Петров Н. Н., Аброян И. Л. Диагностика поверхности с помощью ионных пуч-
ков. – Л.: ЛГУ, 1977. – 130 с.
5.Методы анализа на пучках заряженных частиц / А. А. Ключников, Н. Н. Пучеров, Т. Д. Чеснокова, В. Н. Щербин. – Киев: Наук. думка, 1987. – 152 с.
6.Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута. К. Ту,
Дж. Мейера. – М.: Мир, 1982. – 576 с.
40