Материал: UnEncrypted

Скачать файл

Заказать новую работу

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

15.Повторення операції 4 для утворення міжз'єднань. Видалення залишків алюмінієвого шару.

16.Контроль функціонування.

17.Вміщення у корпус.

18.Вихідний контроль.

А.5.2.5 а)

ρ = 1

= 0,0960 м см.

(Nd − Na )e μn

−5

) 1,6 10

−19

1300

(10

0,096

= 37,8Ом/ м;

2,54 10−3

1/ 2

−12

2εH ε0U

2 8,849 10

12 1,5

−4

б) W =

1,6 10

−19

= 4,46 10

м;

eNa

1,06 10−10

129 10−6

= 3,07 пФ.

4,46

10−4

5.2.6 а) для кожної схеми концентрація носіїв у базі визначається із формули:

U ЕБ

′

W − x

−1

(x) = Pn exp

UТ

U КБ

−1

;

+ Pn exp

UТ

б) в схемі 1

eSDpE

eSDpK

DpE

DpK

= P'

+n'

= eSn2

exp

−1 .

Nd L

nE L

Всхемі 2

eSDpE

eSDpБ

DpE

′

nБ

= eSni

−1 .

= PnE

LpE

+npБ

WБ

exp

В схемі 3

Nd1LpE

WБ Na

′

qSD

′

qSDpK

DpK

nБ

= npБ

+ PnK

= qSni

exp

−1 ;

WБ

LpK

WБ Na

Nd2 LpK

в) в схемі 2 струм ІБ дуже малий, тому що тут транзистор працює в активному режимі, і напруга на переході база-емітер мала;

г) всі три рівняння для струму ІF, які отримані в п. б) мають співмножники однакового виду. Якщо вважати, що DпБ·DрК·DрЕ і LрК·LрЕ , то для розрахунку відносних концентрацій неосновних носіїв у базі для кожного

200

випадку можна використовувати приблизні вирази, які стоять у дужках, і отримати

P′	(cx2)		Nd		n′	(cx2)
nE		=		2	ОБ		=1.
nE				2	n′рБ (cx5)
n′(cx5)			Nd1
n′(cx5)			Nd1

Як наслідок, загальний накопичений заряд в схемі 2 виходить суттєво меншим, ніж в схемах; 1 і 3. Напруга пробою Uпроб в схемі 3 найбільша, тому що тут під напругою буде перехід база-колектор, в схемах 1 і 2 напруга прикладена до переходу база-емітер;

д) згідно зрівнянням Еберса-Молла

	I K = −αF I E 0 (eU ЕБ UT −1)+ I K 0 (eU ЕБ UT −1).
	В схемі 1
I K	= −αF IE 0 (e	U ЕБ UT	−1)+ IK 0 (e	U ЕБ UT	−1)		− 2αR +	α	(e	U ЕБ UT	−1),
I K	= −αF IE 0 (e		−1)+ IK 0 (e		−1)	= I K 0 1	− 2αR +		(e		−1),
								R
								αF
	де використана рівність αF I E 0				= αR I K 0 .
	В схемі 2 напруга UКБ= 0, тому
	I = IE 0 (eU ЕБ UT −1)= IK 0 αR (eU ЕБ UT					−1).
			α
				F

Всхемі 3 напругаUЕБ = 0, UКБ = U, тому I = I K = I KБ (eU ЕБ UT −1). Оскільки αR <αF <1, то струм в схемі 1 при одній і тій же напрузі U буде найбільшим, однак, якщо αF ≈1, то в схемі 3 струм буде

практично таким же.

А.5.2.7 β2 =

μnC0 =

700 5,9 10−8 =10,325 мкА/ В2 ;

β1 =

μnC0

= 3 700 5,9 10−8 =123,9 мкА/ В2 ;

c(VT 2

насичений)

−U

пор2

)2 =11,62 мкА;

c(VT1

насичений)

−U

пор1

= 0,5 123,9(5 −0,7) =1,145 мкА.

Оскільки транзистор VT1, за міркуванням,

працює в насиченому ре-

жимі під час розрядки, то t роз

2,5 10−13

= 0,218 нс.

1,145 10

−3

Транзистор VT2 насичений під час зарядки, що визначається граничними точками Uвих = 0, UКБ = 5 В, тому

t ðîç =	Q	H	=		2,5 10	−13	= 21,51íñ .
t ðîç =	Ic		=	11,62 10−6			= 21,51íñ .
	Ic			11,62 10−6
							201

А.5.2.8 Якщо до затвора приладу прикласти напругу UЗ > 0, то в шарах товщиною х1і х2 виникають електричні поля, напруженості яких зв'язані між собою законом Гаусса :

ε0ε1E1 =ε0ε2 E2 +Q ,

де Q – заряд накопичений у плаваючому затворі. Крім того UЗ=Е1 х1+Е2 х2.

Тому Е1

U З

;

+ x2 (ε1

/ε2 )

ε0ε1 +

ε0ε

2 (x1 / x2 )

−7

J =γ E1 =10

100

−8

4ε0 +10ε0

100

+100

1000

=0,2 −2,26 105 Q .

а) якщо накопичений заряд не знижує суттєво напруженість поля Е, тобто у випадку, коли 0, 2 >> 2, 26 105 Q ,

Q = ∫t

γE1dt′ = 0,2 0,25 10−6

= 5 10−8 Кл;

U пор

5 10−8

= 0,565 B;

10 8,85 10−14 (1000 10−8 )

б) якщо t → ∞,

J →0 , то

≈

0,2

≈ 8,84 10−7 Кл;

2,26 105

−7

U пор

8,84 10

= 9,98 B.

10 8,85 10−14 10−5

А.5.2.9 а) максимальна концентрація

Nmax

1013

= 7,98 1017 см−3 ;

(2π)1/ 2

(2π)1/ 2 500 10−8

б) N( хл)

exp

−

;

(2π)

1/ 2

2(Dt)

1/ 2

10 =

exp

−

;

2,75 10−12 2,16 104 1/ 2

2(Dt )1/ 2

−2

exp −

= 4,33 10

;

1/ 2

2(Dt )

202

x	2	x
	= 3,14 ;		=1,772 ;
1/ 2	= 3,14 ;	1/ 2	=1,772 ;
2(Dt )		2(Dt )

х = 2·1,772·(2,75·10-12·2,16·104)1/2 = 8,64 мкм.

N( х=0) =

= 2,31 1016

см−3 .

(2π)1/ 2

А.5.2.10

а) С0 =

ε0εок

= 2,27 10−8 Ф/ см2 ;

хок

В = еε

= 0,0646 B;

3(10)

1/ 2

U S1

=U3(10) − B 1+

−1

= 8,93 B;

1/ 2

xd1

2ε0εн

= 7,62 мкм;

еNa

U S1

1/ 2

3(20)

U S 2

=U3(20) − B 1 +

−1 =18,46 B;

хd2=10,95 мкм;

б) уявимо, що 1016 електронів вводиться у другий електрод, при цьому

QSS

= ne

1018 1,6 10−19

= 8 10−8 Кл/ см2 ;

2 10−6

U 2′ =U32

−U ПЗ −

QSS

= 20 −8 10−8 (2,27 10−8 ) =16,48 B;

U ′

=U ′

′

1/ 2

− B 1+

−1

=15,08 B.

S 2

Можна бачити, що U S' 2 >U S . Тому 1016 електронів залишаються в околі другого електрода.

		2ε0εн	1/ 2
		2ε0εн
xd1	=		U S 2	= 9,9 мкм.
xd1	=	еNa	U S 2	= 9,9 мкм.
		еNa

А.5.2 Розв'язування

А.5.2.1 а) Оскільки при температурі 1100°С концентрація пі= =6·1018 см-3, то при легуванні поверхні домішкою з концентрацією

203

4·1018см-3 профіль розподілення домішок відповідає процесу "внутрішньої" дифузії:

	x
N( хл) = N0erfc			.
	2(Dt)	1/ 2

ТутN0 = 4 1018см-3; t = 3г= 1,08 104c; D = 5 10-4см2с-1; (Dt)1/ 2= 2,32 10-5.

Тоді N( хл) = 4 10−8 erfc 4,64x10−5 ;

б) глибину переходу визначаємо з рівняння

1013 = 4 10−8 erfc 4, 64x10−5 .

Згіднозумовою	xпер		=3 , звідки хпер=1,39 мкм.
	4,64 10	−5

А.5.2.2 а) при дифузії атомів бору за гаусівським законом

			x	2
N( хл) = N0		−	x

	exp				.
			4Dt

Значить

= 2,72 1019 см−3 ;

(πDt)1/ 2

= 2(Dt)1/ 2

1/ 2

−

2,72 1019 1/ 2

= 2,08 10

N( хл)

;

N( хл)

б) тут Nd = N0

exp

. Якщо xпер – глибина переходу, то

4Dt

xпер2

2,72 10

exp

4Dt

= 2,72 10

звідки

xпер

= ln(2,72 103 ) = 7,91;

4Dt

xпер

1/ 2

= 2,81; xпер = 2 2,81(Dt)

= 5,85 мкм.

9(Dt)1/ 2

А.5.2.3

t +τ

1/ 2

xок =

−1

;

5, 7

−1

0,19t

1/ 2

−4

2000 10

−1 ;

0,57

t = 48,6 хв;

204

Смотрите также:


«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
Значение, сущность и содержание социально — педагогической деятельности в организации для детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей
Проактивные методы PR-деятельности российских авиационных компаний «Россия», «Азимут»
__RGR2
__RGR2
_11_А. Франс для эл версии
_3 тема - Диффузия
_Антонян Ю.М., Психология преступника и расследования преступлений