Материал: UnEncrypted
Вихідні дані: |
= |
3,4 10-13Ф/см; |
еФм(Al) |
= 4,1еВ; Еg(Si) |
= 1,12еВ; |
|
ni = 1,4·1010см-3; |
= 4,15 еВ; |
= 1,04·10-12Ф/см. |
|
|
||
А.5.3.42 Знайти мінімальний струм, який необхідно забезпечити при |
||||||
запису інформації в |
елемент пам'яті (див. |
рис. А.5.8) |
при |
І1=10мкА; |
||
αNT = 0, 2 ; α1ï |
= 0,9 ; βNEK = 3. |
|
|
|
|
|
А.5.3.43 |
Знайти |
інформаційний заряд |
в елементі |
пам'яті (див. |
||
рис. А.5.9) при Uпор1=5В, Uпор2=1В; товщина шару SiO2 між затворами 4 і 3, а також затвором 4 і підкладкою дорівнює 0,05мкм.
А.5.3.44 Аналогова лінія затримки вміщує трифазний П33, що має 1000 комірок, і працює при тактовій частоті 1Мгц. Коефіцієнт затухання, що припадає на 1 комірку, дорівнює 10-4. Визначити затухання і фазовий зсув сингалу на частоті 10кГц і на третій гармоніці цієї частоти. Вказівка: якщо f – частота сигналу на вході, то амплітуда сигналу на виході П33
визначасться за формулою: |
|
|
|
|
|||
|
An |
|
|
|
2πf |
|
|
|
|
|
− cos |
|
|||
|
A |
|
f |
|
|||
|
= exp − n kзат 1 |
c |
, |
||||
0 |
|
|
|
|
|
||
де Ап – амплітуда сигналу після проходження т ступенів (п=3т); А0 – початкова амплітуда пакета заряду; kзат – коефіцієнт затухання ; fc – частота
синхронізації. Фазовий зсув |
ϕ = n kзат sin |
2ρ |
. |
|
|||
|
|
fc |
|
А.5.3.45 Запам'ятовувальний пристрій на базі двофазного ПЗЗ має електроди з однаковою довжиною і шириною 8мкм. Відстань між ними також дорівнює 8мкм: а) знайти площину, яку займає комірка пам'яті, яка складається з двох електродів; б) відомо, що пристрій пам'яті ємністю 64 кБ (65536 біт) розташовано на кристалі площею 5,54×5,97мм. Визначити яку частину площі кристала займають допоміжні кола (синхронізації, елемент узгодження тощо).
А.5.3.46 Згідно з ПЗЗ, розглянутого у вправі А.5.1.10, на основі отриманих раніше результатів знайти: а) напруженість електричного поля розсіювання, якщо відстань між сусідніми електродами складає 3 мкм; б) час розповсюдження зарядів під дією поля розсіювання, якщо кожному електроду відповідає потенціальна яма глибиною UЗ=20В. Вважати, що в початковому стані 106 електронів рівномірно заповнюють потенціальну яму глибиною UЗ=10В. Відомо, що рухливість електронів на поверхні 
=
x1 dx
= 650 см2В-1с-1. Вказівка: час розповсюдження τ = ∫0 v (x).
215
б) |
Рисунок А.5.1 |
Рисунок А.5.2
Рисунок А.5.3 |
216
Рисунок А.5.4
Рисунок А.5.5
Рисунок А.5.6 |
Рисунок А.5.7 |
217
Y'j-1 |
Y''j-1 |
1 |
Б1 |
Y'j |
К11 |
Y''j |
|
|
|
|
|
|
|
|
К12 |
|
|
|
|
|
|
К21 |
Х'' |
|
|
|
Б2 |
|
К22 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рисунок А.5.8 |
|
|
|
|
|
|
|
Рисунок А.5.9 |
218
Глосарій
Амплітуда – amplitude
Акустоелектроніка – acoustic electronics
Активний фільтр – active filter
Апаратура – apparatus
Анізотропія – anisotropy
Базисний вектор – basis vector
БАРИТТ-діод – Barrіer Іnjectіon Transіt Tіme Dіodes
Блок – block
Біоелектроніка – bioelectronics
Вакуумна електроніка – vacuum electronics
Випрямляч – rectifier
Гіпотеза де Бройля – hypothesis de Broyle
Генератор – generator
Голографія – holography
Густина – density
Діелектрик – dielectric
Діод – diode
Дисперсійні криві – dispersive curved
Дрейф електронів – drift electron
Домішкові атоми – admixture atom
Дифузія – diffusion
Електроніка – electronics
Електрод – electrode
Електронно-дірковий перехід – electronic transition
Елемент – element
Елемент пам’яті – elements memory
219