Материал: UnEncrypted

А.4.3.4 У структурі з параметрами задачі А.4.3.3 визначити порогову напругу, враховуючи, що в розглядуваному випадку густина індукованого

рухливого заряду Qn = 0 .

А.4.3.5 Для структури А.4.3.3 визначити ємність при малих сигналах і на високих частотах в режимі сильної інверсії. Вважати, що ε0к = 4 , а

εн =12 .

А.4.3.6 Визначити напругу плоских зон для системи Al-SiO2-Si, яка залежить лише від різниці робіт виходу. Підкладка р-типу, що знаходиться при Т = 300К, має концентрацію дірок 5·1015см-3. Густиною заряду QSS на поверхні можна знехтувати. Вихідні дані: еФмн = 3, 2еВ; еФмо = 3, 25еВ;

Еqn =1,1еВ ; пі =1,5 1010 см−3 .

А.4.3.7 Деяка МОН-структура створена на кремнієвій підкладці р- типу з орієнтацією (111). Концентрація акцепторної домішки Na =1015 см−3 , товщина оксидного шару х0к =120нм, затвор виконано з алюмінію. Визначити порогову напругу, якщо відомо, що при даній орієнтації поверхнева густина заряду складає 4,8·10-8 Кл/см2. Вихідні параметри:

Фмо = 3, 2В ; Фно =UF +3,8В.

А.4.3.8 Структура МОН має кремнієву підкладку р-типу, леговану акцепторною домішкою з концентрацією Na =1015 см−3 , орієнтація кристала (111). Товщина оксидного шару 1,2 мкм, затвор виконано з алюмінію.

концентрацією домішки Na = 5 1014 см−3 і оксидний шар товщиною 112 нм. Максимальна питома ємність в режимі малого сигналу на високих частотах складає 30нФ/см2. При UЗ =3В(напруга збігається з Um) і потенціалі US = 0,52В, який постійний в режимі інверсії. Визначити порогову напругу і відповідну ємність Сmin, якщо максимально досяжна товщина збідненої області ωт =1,17мкм.

А.4.3.11 Використовуючи дані задачі А.4.3.10 визначити: а) густину заряду Qss з врахуванням зарядів тільки в оксидному шарі; б) густину заряду

А.4.3.12 Конденсатори типу МОН мають підкладку з концентраціями домішки Na=1014; 1015 і 106 см-3. Визначити для кожного з трьох указаних значень концентрації: а) максимальну товщину області просторового заряду;

позитивного заряду: а) рівномірний розподіл в напрямку поперек оксидного шару з густиною 1,5 1015 е = 2, 4 10−4 Кл/ см2 ; б) ступінчастий розподіл з нульовою густиною в межах половини відстані від затвора до підкладки і з постійною густиною 3 1015 е = 4,8 10−4 Кл/ см2 в залишковій області до межі поділу між оксидним шаром і напівпровідником; в) лінійний розподіл, що починається з нульової густини на затворі і досягає 3 1015 е= 4,8 10−4 Кл/ см2 на межі поділу. Товщина оксидного шару 80 нм, відносна діелектрична

товщина оксидного шару хок = 0,1мкм. Повторіть розрахунок при хок =1мкм; б) використти рівняння:

параметрами, вказаними в п. а). Вважати, що струм Іс нас постійний після переходу за точку відсічки. Показати, що μр =150см2 В−1с−1 ; b / l = 5 ; в) для

збігається з ємністю С0 при конкретній напрузі. Виразити величину fгр далі від початку характеристики через параметри матеріалів і розміри приладу. Знайти значення fгр для транзистора, описаного в п. а), при l =1мкм.

А.4.3.15 МОН-транзистор з каналом р-типу має параметри: b / l =5 ;

С0 = 3, 45 10−8Ф/ см2 ; μр = 200см2 В−1с−1 ; UС = +5В; UЗ −Uпор = 3В. Найти

значення S і Sниж.

А.4.3.16 Визначити максимальну поверхневу густину рухливого заряду дірок Qр , яка може спостерігатися у МОН-конденсаторі з алюмінієвим затвором при інжекції на межі Si-SiO2. Підкладка з кремнію п- типу легована з концентрацією домішки Nd =1015 см−3 , товщина оксидного

шару 100 нм. На затвор подано імпульс напруги з амплітудою -10В, напруга на межі поділу стає меншою мірою рівною -2В. Відомо, що

QSS = 5 1010 Кл/ см2 ; Фмн = −0,3В.

191

А.4.3.17 МОН-транзистор з каналом р-типу створений на кремнієвій підкладці п-типу з концентрацією домішки Nd =1016 см−3 . Затвор з алюмінію, підзатворним діелектриком служить шар оксиду кремнію товщиною хок =150нм. Відомо, що QSS = 2 1011 е = 3, 2 10−8 Кл/ см2 ; Фмн = −0, 25В. Визначити значення параметрів ωт, Uпз і Uпер.

А.4.3.18 Маємо кремнієвий МОН-транзистор з каналом п-типу з

а) визначити струм насичення при UЗ = 4В; б) вивести рівняння для вихідної характеристики, що описує залежність струму витоку від напруги на стоці, якщо витік і підкладка заземлені, а затвор з'єднаний зі стоком. Вважати, що Uпор=const; в) зобразити отриману характеристику графічно за вихідними даними і результатом, отриманим у п. а); г) визначити опір R = l / S при UЗ-

-Uпор=1В; д) повторити п, г) для випадку b / l =1.

А.4.3.21 а) МОН-транзистор з каналом р-типу має товщину оксидного

щоб знизити порогову напругу в транзисторі, розглянутому в п. а), використана іонна імплантація атомів бору. Яка повинна бути концентрація цих атомів, щоб порогова напруга стала дорівнювати -1,5В?

А.4.3.22 МОН-транзистор з каналом п-типу працює в режимі збіднення. Між витоком і землею увімкнуте джерело постійної напруги +5В. Ві-

домо, що b = 200 мкм; l = 10 мкм; = 0,1 мкм; Uпор = -1B; UЗ = 0; = 4;

= 600 см2В-1с-1. Визначити струм витоку.

А.4.3.23 Виготовлений МОН-транзистор з каналом п-типу, який працює в режимі збагачення і має такі параметри: b = 100 мкм; l = 10 мкм; =0,1 мкм; Uпор = +1B; = 450 см2В-1с-1. Знайти значення величини

Іс нас і Sнас, якщоUЗ – UС = +5 В, а підкладка та витік заземлені.

А.4.3.24 Виводи електронів польового транзистора позначені А, В, С. Опір між виводами В і С з обірваним виводом А дорівнює 300 Ом і не залежить від полярності прикладеної напруги. При напрузі -2В, прикладеній до А і В, тече струм 10-11А. Який електрод з'єднаний із затвором? Якого типу канал має цей транзистор?

А.4.3.25 Питома провідність каналу п-типу польового транзистора = =20,9 См/м, а його ширина b = 6 мкм при UЗВ = 0. Знайти напругу відсічки

192

відносна діелектрична проникність кремнію ε =12 .

А.4.3.28 Питомий опір каналу р-типу польового транзистора з керуючим р-п переходом =0,1 Ом м, а половина ширини каналу а = 3 мкм при

UЗВ = 0. Визначити половину ширини каналу, якщо UЗВ = Uвідс/2 і струм стоку дорівнює нулю.

А.4.3.29 Крутизна польового транзистора S=1мА/В в області насичення при напрузі UЗВ = -0,7В і UСВ =10В з каналом п-типу і керуючим р-п переходом. Визначити крутизну транзистора при UЗВ = -1В і UСВ =10В, якщо напруга відсічки транзистора Uвідс = +3В.

А.4.3.30 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом Іс max = 1мА; Uвідс = 4В. Визначити струм при зворотній напрузі UЗВ = 2В.

А.4.3.31 Визначити крутизну і максимальну крутизну польового транзистора з керуючим р-п переходом при UЗВ = 2В, коли Іс max = 1мА; Uвідс = 4В.

А.4.3.32 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом має Іс max = = 2мА; Uвідс = 5В. Визначити струм стоку Іс транзистора при напругах затвора: -5В; 0; -2,5В.

А.4.3.33 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом має

Іс max = 2мА; Uвідс = 5В. Визначити крутизну S транзистора при напругах за-

твора: -5В; 0; -2,5В.

А.4.3.34 У МДН-транзисторі з каналом п-типу ширина затвора b = = 0,8мм, довжина каналу l = 5 мкм, товщина підзатворного ізолятора

насиченні Uсв.н = 8 В. Визначити крутизну в області насичення.

А.4.3.35 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом і каналом п-

типу має Іс = 2мА при UЗ = 0В і напругу відсічки Uвідс = 5В. Визначити струм Іс при UЗ = -5В і UЗ = -2,5В.

А.4.3.36 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом і каналом п-

типу має Іс = 2мА при UЗ = 0В і напругу відсічки Uвідс = 5В. Визначити крутизну стоко-затворної характеристики при напрузі на затворі -5В; -2,5В і 0.

А.4.3.37 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом і каналом п- типу має параметри: = 1017 см-3 і = 1014 см-3; половина ширини каналу

193

а= 0,5 мкм, а його довжина l= 20 мкм і ширина b=100мкм; рухливість

електронів = 1000 см2В-1с-1. Визначити: U0, Uвідс.

А.4.3.38 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом і каналом п- типу має параметри: = 1017 см-3 і= 1014 см-3; половина товщини каналу

а= 0,5 мкм, а його довжина l = 20 мкм і ширина b=100мкм; рухливість електронів = 1000 см2В-1с-1. Визначити: R0, S і Sнас. Положити, що UЗ =

Uвідс/2 і UС = –Uвідс/4.

А.4.3.39 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом і каналом п- типу має параметри: = 1019 см-3 і = 1016 см-3; половина товщини каналу а = 1мкм, а його довжина l = 20 мкм і ширина b=100мкм; рухливість носіїв = 1350 см2В-1с-1. Визначити: напругу відсічки і струм насичення стоку

приUЗ = 0.

А.4.3.40 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом і каналом р-

канал зникає незалежно від величини напруги Uc.

А.4.3.41 У польового транзистора з параметрами, вказаними в задачі А.4.3.40, визначити напругу відсічки при UЗ = 5В.

А.4.3.42 Польовий транзистор має параметри, що і в задачі А.4.3.40. Визначити ефективну товщину каналу при 2aеф, при UС = 0 і UЗ = 5В.

А.4.3.43 При таких же параметрах польового транзистора, як в задачі А.4.3.40 і режимі, як в задачі А.4.3.42, знайти опір каналу.

А.4.3.44 Польовий транзистор з керуючим р-п переходом має Іс max = = 1мА і Sс max = 1мА/В і увімкнений у підсилювальний каскад за схемою з загальним витоком. Опір резистора навантаження Rн=10 кОм. Визначити коефіцієнт підсилення за напругою, якщо а) UЗВ = -1В; б) UЗВ = -0,5В;

в) UЗВ = 0В.

А.4.3.45 Польовий МОН-транзистор з каналом р-типу і алюмінієвим затвором має такі параметри: =100 нм; =2 1015 см-3; = 1011e =

= 1,6 10-8 Кл/см2; l = 10 мкм; b=50 мкм; = 230 см2В-1с-1: а) знайти струм

Іс нас при UЗ = -4В і -8В. Дати зображення вольт-амперної характеристики Ic = f (Uc ). б) визначити питому ємність С0 і граничну частоту

= , якщо UЗ – Uпор = 1В. Повторити розрахунок, коли l =

5мкм; b=10мкм. Відомо, що= 3,2В;= UF +3,8; = 3,2- (3,8+ UF).

А.4.3.46 Відомо, що в тих випадках, коли напруга Uc перевищує декілька десятих вольта, потенціал вздовж каналу польовою транзистора з керуючим р-п-переходом розподілений за нелінійним законом: а) вивести

вираз для розрахунку потенціалу 0 ≤U (y)≤Uc в різних точках каналу, вводячи безрозмірну величину y = x / l ; б) вважати, що UЗ = 0; UС = 5В; U0 = = 1В; Uвідс = -8В; знайти значення параметра x/l, при яких U(x) = 1,2,3 і 4В.

194