Материал: Tverdotila_elektronika

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Вихідні характеристики

Вихідні характеристики БТ у ССБ – це графіки залеж-

ності IK f (U)

 

IE const

, зображені на рисунку 3.16.

 

 

 

 

Ураховуючи вплив напруги U на зворотний струм

колектора, рівняння для струму колектора (3.10) можна записати у вигляді

 

 

 

 

 

 

 

UÊÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

K

h

I

E

I

ÊÁ

(å Ò

1) .

(3.35)

 

21Á

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

Одержана формула описує вихідні характеристики при різних струмах емітера.

 

 

МП14

 

 

 

IК,mA

 

 

P

 

 

 

 

 

 

K max

 

 

 

 

 

 

3,0 мА

 

насичення

3,0

 

 

 

2,5 мА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2,0 мА

 

2,0

 

 

 

1,5 мА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Режим

 

 

 

 

1,0 мА

1,0

 

 

 

0,5 мА

 

 

 

 

 

 

 

IКБ

IЕ 0

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

0,2

0

-5

-10

-15

UКБ

 

 

 

 

Режим відсічки

 

 

 

 

 

Рисунок 3.16 – Статичні вихідні характеристики БТ зі спільною базою

Межею між режимом відсічки ( IÅ 0 ) і активним режимом ( IÅ 0 ) є характеристика при IÅ 0 , яка є зворотною гілкою ВАХ КП. При збільшенні негативної напруги U струм колектора швидко досягає значення

94

IÊÁ0 . Подальше зростання IÊ зумовлюється зростанням

струмів генерації та витоку КП. При деяких високих напругах U (для транзистора МП14 при IÅ 0 ці

напруги перевищують 15В) у КП виникає пробій, що супроводжується значним зростанням колекторного струму.

При IÅ 0 вихідні характеристики зменшуються в бік більших колекторних струмів на величину h21Á IE згідно з

формулою (3.35). У загальному випадку це зміщення має нееквідистантний характер, тобто однаковим приростам вхідного струму IE відповідають нерівні прирости

вихідного струму IK . Це явище викликане залежністю h21Á f (IE ) , зображеною на рисунку 3.6, яка свідчить, що статичний коефіцієнт передачі струму h21Á не є сталою

величиною для різних струмів емітера. Для більших колекторних та емітерних струмів пробій КП відбувається при менших напругах і може перетворитися в тепловий. З метою унеможливлення пробою режим роботи приладу треба вибирати нижче кривої максимально допустимої потужності PK max , що розсіюється колектором (пунктирна

гіпербола на рисунку 3.16).

При U0 та IÅ 0 переходи транзистора вмикаються у прямому напрямі, і прилад переходить до режиму насичення. У цьому режимі різко зменшується IK , тому що

зростає інжекційна складова колекторного струму, яка компенсує керовану, екстракційну складову.

Характеристики прямої передачі

Це залежності IK f (IE ) Uconst (рис. 3.17). Вони ґрунтуються на рівняннях (3.10) або (3.35). З рівняння (3.35) бачимо, що при U0 характеристика починається з

95

точки, яка є початком координат ( IÅ 0 , IK 0 ), а нахил

цієї характеристики визначається залежністю h21Á

від IÅ .

При

U0

характеристика починається

з точки

IK IÊÁ

, а

зміна

її нахилу зумовлюється залежністю

0

 

 

 

 

 

h21Á f (UÊÁ )

(рис. 3.7).

 

 

 

 

 

IК

UКБ < 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UКБ = 0

 

 

 

IКБ0

 

 

0

IБ

Рисунок 3.17 – Сім’я характеристик прямої передачі БТ зі спільною базою

Характеристику прямої передачі можна одержати з сім’ї вихідних характеристик, фіксуючи U .

Характеристики зворотного зв’язку

Сім’я характеристик зворотного зв’язку

Uf (UÊÁ )

IE const

 

показана на рисунку 3.18.

При збільшенні U зменшується активна ширина бази транзистора , і за рахунок зростання градієнта концентрації дірок у базі (див. рис. 3.14) зростає струм IÅ .

Для підтримання його постійного значення, як того вимагають умови зняття характеристик, потрібно зростання IÅ компенсувати зменшенням напруги U . Ця обставина зумовлює від’ємний нахил характеристик.

96

 

UЕБ

 

 

I IV

I III

I II

I I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

E

E

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I IV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I III

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I II

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UКБ

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 3.18 – Сім’я характеристик зворотного зв’язку БТ зі

 

 

 

 

 

спільною базою

 

У базі

транзистора

зменшення U

приводить при

збільшенні

U ÊÁ

до відновлення

попереднього градієнта

концентрації дірок, тобто нахилу графіка

pn f (x) (рис.

3.19).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 3.19 – Розподіл концентрації дірок у базі при знятті характеристик зворотного зв’язку БТ зі спільною базою

3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером

Схему для зняття характеристик БТ у ССЕ показано на рисунку 3.20.

97

 

mA1

 

mA2

UЕБ =1В

V1

V2

UКЕ = 30В

+

 

 

+

Рисунок 3.20 – Схема для експериментального зняття характеристик БТ зі спільним емітером

Вхідні характеристики

Це залежність IÁ f (UÁÅ ) UÊÅ const (рис. 3.21).

Рисунок 3.21 – Статичні вхідні характеристики БТ зі спільним емітером

При UÊÅ 0 обидва p-n переходи транзистора

ввімкнено в прямому напрямі (рис. 3.22), і вхідна характеристика є прямою гілкою ВАХ двох паралельно ввімкнених переходів.

При UÊÅ 0 КП вмикається у зворотному напрямі, і в колі бази протікає струм

IÁ IÁðåê I ÊÁ0 (1 h21Á )IÅ IÊÁ0 .

(3.36)

При UÁÅ 0 (IE 0) струм бази має тільки

одну

складову – зворотний струм КП IÁ I ÊÁ .

 

0

 

98