Материал: TOE-RGR-2014

21

Рис 2.22. Структура з базовою ізолюючою дифузією

Рис 2.23. Cтруктура n-p-n- транзистора з піднятими контактами

Рис 2.24. Cтруктура n-p-n- транзистора з ізопланарною ізоляцією

Рис 2.25. Метод локальної епітаксії

22

Рис 2.26. Фрагмент КМДН-структури із MoSi2 та дворівневою розводкою із полікремнію та алюмінію

Рис 2.27. Фрагмент n-канальної МОН-структури з дворівневит полікристалічним кремнієм

Рис 2.28. Фрагмент структури p-n-p-транзистора з епітаксіальною базою

Рис 2.29 Фрагмент структури p-n-p-транзистора з епітаксіальною базою та полікремнієвим емітерним контактом

23

Рис 2.30. Фрагмент незавершеної структури біполярного p-n-p- транзистора

Рис 2.31. Біполярний транзистор з одним рівнем полікремнію

Рис 2.32. Дворівнева струмопровідна система, одержана методом електролітичного анодування алюмініюз маскуванням шаром з фосфоросілікатного склаФрагмент структури p-n-p-транзистора з епітаксіальною базою

Рис 2.33 Фрагмент структури p-n-p транзистора, виготовленого методом подвійної дифузії