Материал: TOE-RGR-2014
6
14.Ефимов И.Е. Основы микроэлектроники /. И.Е. Ефимов, И.Я Козырь. - Москва: Высшая школа, 1983. – 384 с.
15.Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков. - Москва: Высшая школа, 1980. – 406 с.
16.Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных мікросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. - Москва: Высшая школа, 1986. – 368 с.
17.Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров /В.Н.Черняев. - Москва: Радио и связь, 1987. - 464 с.
18.Тилл У. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Мансон. - Москва: Мир, 1985.-501 с.
19.Моро У. Микролитография / У. Моро. - Москва: Мир, 1990.-
1240 с.
20.Борисенко А.С. Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств / А.С. Борисенко, Н.Н. Бавыкин. - Москва: Машиностроение, 1983.- 320 с.
21.Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под.ред. Л. Ченга и К. Плота.- Москва: Мир, 1989.- 584 с.
22.Сугано Т., Введение в микроэлектронику / Т. Сугано, Т. Икома, Е.Такэиси. - Москва: Мир, 1988.- 320 с.
23.Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов / С.А. Медведев.- Москва: Высшая школа, 1970.-
504 с.
24.Федоров Л.П. Производство полупроводниковых приборов / Л.П Федоров., В.М. Багров, Ю.Н.Тихонов. - Москва: Энергия,
1979.- 432 с.
25.Опанасюк Н.М. Технологічні основи електроніки (практикуми): навчальний посібник / Н.М.Опанасюк, Л.В.Однодворець, А.О.Степаненко. - Суми: Сумський державний університет,
2013.- 102 с.
26.Проценко І.Ю. Методичні вказівки до лабораторних робiт із курсу "Технологiчнi основи електронiки" / І.Ю. Проценко, А.М. Чорноус, Л.В.Однодворець. – Суми: СумДУ, 1998.- 43с.
7
3 КОНТРОЛЬНІ ЗАВДАННЯ
3.1 Перелік контрольних питань та вправ
Завдання 1. Зобразити та описати послідовність формування наступних структур напівпровідникових мікросхем:
Рис 1.1. Комбінована ізоляція з використанням оксида кремнію та полікремнію
Рис 1.2. Епітаксійно-планарна діодна структура
0
Рис 1.3. Біполярний n-p-n-транзистор з діодом Шотткі
Рис 1.4. Модифікована МДН-технологія зі зменшеним рельєфом поверхні
8
Рис 1.5. Повна діелектрична ізоляція(EPIK-процес)
Рис 1.6. Самоізоляція за допомогою n-області
Рис 1.7. Структура n-p-n транзистора, виготовленого за V- технологією
Рис 1.8. Структура p-n-p транзистора
9
Рис 1.9. Структура n-p-n транзистора, виготовленого за V-АТБ- технологією
Рис 1.10. Фрагмент структура p-n-p транзистора
Рис 1.11. Cтруктура біполярного n-p-n- транзистора
Рис 1.12. Фрагмент КМДН-структури
10
Рис 1.13. Структура струмопровідної системи на основі Al , одержана методом електролітичного анодування
Рис 1.14. Дворівнева струмопровідна система на основі Al та його анодних плівок з додатковим захистом шаром SiO2
Рис 1.15. Cтруктура біполярного транзистора з резистором суміщення
Рис 1.16. Структура КМДН-транзистора на сапфіровій підкладці