Материал: TOE-RGR-2014
16
Рис 2.4. Модифікована МДН-технологія зі зменшеним рельєфом поверхні
Рис 2.5. Повна діелектрична ізоляція(EPIK-процес)
Рис 2.6. Самоізоляція за допомогою n-області
17
Рис 2.7. Структура n-p-n транзистора, виготовленого за V- технологією
Рис 2.8. Структура p-n-p транзистора
Рис 2.9. Структура n-p-n транзистора, виготовленого за V-АТБ- технологією
18
Рис 2.10. Фрагмент структура p-n-p транзистора
Рис 2.11. Cтруктура біполярного n-p-n- транзистора
Рис 2.12. Фрагмент КМДН-структури
Рис 1.13. Структура струмопровідної системи на основі Al , одержана методом електролітичного анодування
19
Рис 2.14. Дворівнева струмопровідна система на основі Al та його анодних плівок з додатковим захистом шаром SiO2
Рис 2.15. Cтруктура біполярного транзистора з резистором суміщення
Рис 2.16. Структура КМДН-транзистора на сапфіровій підкладці
Рис 2.17. Польовий транзистор з барєром Шотткі на арсеніді галлію
20
Рис 2.18. Фрагмент МОН-структури
Рис 2.19. Фрагмент МОН-структури
Рис 2.20. Структура з роздільною дифузією в епітаксіальний шар
Рис 2.21. Структура з колекторною ізолюючою дифузією