Материал: TOE-RGR-2014
11
Рис 1.17. Польовий транзистор з барєром Шотткі на арсеніді галлію
Рис 1.18. Фрагмент МОН-структури
Рис 1.19. Фрагмент МОН-структури
Рис 1.20. Структура з роздільною дифузією в епітаксіальний шар
12
Рис 1.21. Структура з колекторною ізолюючою дифузією
Рис 1.22. Структура з базовою ізолюючою дифузією
Рис 1.23. Cтруктура n-p-n- транзистора з піднятими контактами
Рис 1.24. Cтруктура n-p-n- транзистора з ізопланарною ізоляцією
13
Рис 1.25. Метод локальної епітаксії
Рис 1.26. Фрагмент КМДН-структури із MoSi2 та дворівневою розводкою із полікремнію та алюмінію
Рис 1.27. Фрагмент n-канальної МОН-структури з дворівневит полікристалічним кремнієм
Рис 1.28. Фрагмент структури p-n-p-транзистора з епітаксіальною базою
14
Рис 1.29 Фрагмент структури p-n-p-транзистора з епітаксіальною базою та полікремнієвим емітерним контактом
Рис 1.30. Фрагмент незавершеної структури біполярного p-n-p- транзистора
Рис 1.31. Біполярний транзистор з одним рівнем полікремнію
Рис 1.32. Дворівнева струмопровідна система, одержана методом електролітичного анодування алюмініюз маскуванням шаром з фосфоросілікатного склаФрагмент структури p-n-p-транзистора з епітаксіальною базою
15
Завдання 2. Розробити схему технологічного процесу виготовлення наступних структур напівпровідникових мікросхем:
1 Зобразити та описати послідовність формування наступних структур напівпровідникових мікросхем:
Рис 2.1. Комбінована ізоляція з використанням оксида кремнію та полікремнію
Рис 2.2. Епітаксійно-планарна діодна структура
0
Рис 2.3. Біполярний n-p-n-транзистор з діодом Шотткі