Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР П504А

/. М аксимально допустимые данные

при температуре окружающей среды Т°с= +20 ±5° С

1. МОЩНОСТИ (вт) И ТОКИ (а)

—■

Определение

Обозначение

Величина

Постоянная мощность, рассеиваемая тран­ зистором без дополнительного теплоот­ вода

Постоянный ток коллектора в режиме усиления

Импульсный ток коллектора в режиме переключения

То же, в режиме насыщения

я *

11501

m

I кн тп

Ц П

^кн тп

Щ

Максимально-допустимая мощность, рассеиваемая транзистором в диапазоне температур от +60 до 4-85° С вычисляется по фор­ муле

п150 — Т°с

Рщ

Q g , мет.

При пониженном атмосферном давлении менее 40 мм рт. ст. Рп снижается на 30%.

2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды Тс= —6 0 + 1 2 0 ° С

Определение

Обозначение

Величина

Напряжение

коллектор — база при хх

в

цепи эмиттера

U ибо

Напряжение

коллектор — эмиттер при

со­

противлении в цепи эмиттер — база

не

более 10 ком

"«SR

и

По]

Напряжение эмиттер — база

при хх в це­

 

ED

пи коллектора

 

U эбо

 

 

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и ( м а )

при температуре окружающей среды Тс « + 2 0 ± 5 °С

 

Определение

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

мин.

макс.

 

 

 

 

 

Ток

коллекторного

перехода

при хх

 

 

 

в

цепи эмиттера

Uu= 30

в

/кбо

0.7

Щ

То же, при 7’с = +85°С

 

^кбо

11201

Ток эмнттерного перехода при хх в

 

 

 

цепи коллектора

Ьь—2 в

 

^эбо

8

m

 

III.

У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

при температуре окружающей среды 7,°« + 2 0 ± 5 °С

1.ПАРАМЕТРЫ ЧЕТЫРЕХПОЛЮ СНИКА

при 7°с«=»20±5°С, £/« =» 10 в, /8» 5 ма,

/ = 50—8000 гц

 

 

Определение

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления

по току

 

^21Э

ш

Щ

Выходная

проводимость

 

^22б

мксим

о д

ш

Граничная

частота

усиления

по

 

 

току

 

 

 

1 50 |

Граничная частота усиления по току

f h 21б

|8 0 |

 

 

е. е м к о с т и

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Вели­

Режим измерений

Определение

 

 

 

чение

изм.

чина

/, Мгц ('»)• V ма

UK. a

 

 

 

 

 

Емкость

коллекторного

пф

 

 

 

10

перехода

с к

ш

1 ,0

(0 )

ТРАНЗИСТОР П504А

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при

температуре окружающей среды Т°с = +20 ±5° С

 

 

 

Обозначе­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

ние

нзм.

 

макс.

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

 

 

Щ

по току

 

/*219

[2 0 ]

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П504.

ТРАНЗИСТОР П505

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Т°с= +20 ±5° С

Определение

Коэффициент усиления по току

Предельная частота усиления в схеме с общим эмиттером

Постоянная

времени це­

пи коллектора

 

Напряжение

 

коллек­

тор — база

при хх в

цепи

эмиттера

 

Напряжение

 

коллек­

тор— эмиттер при со­

противлении

между

базой

и

эмиттером

/?б <

Ю ком

 

Обозначе­

Величина

 

Един.

 

ние

нзм.

макс.

 

мин.

*21»

_

п и

Ц П

Мгц

94

11501

 

мсек

800

| 1500|

Uкбо

в

8

Ц П

UK* R

в

8

щ

ТРАНЗИСТОР П505А

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей

среды Т°с «=+20 ±5° С

 

 

Обозначе­

Един.

Величина

Определение

 

 

ние

изм.

мин.

макс.

 

 

 

Коэффициент усиления

 

Ц П

 

по току

^21Э

11 5 0 1

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П505,

Типовые выходные характеристики транзисторов П501—П504Л для схемы с общим эмиттером

94

18

12

6

О

б

1C

16

20

 

 

 

 

U « 6 . 3

Типовые выходные характеристики транзисторов П505—П505А для схемы с общим эмиттером