Материал: Транзисторы

Типовые входные характеристики транзисторов П416—П416Б для схемы с общим эмиттером

Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов П416—П416Б от тока эмит­ тера

Типовые выходные характеристики транзисторов П4!6 для схемы с общим эмит» тером

Типовой начальный участок выходных характеристик транзисторов П416 для схемы п с общим эмиттером

Типовые выходные характеристики транзисторов П416А для схемы с общим эмит­ тером

Типовые выходные характеристики транзисторов П416Б для схемы с общим эмит­ тером

Транзисторы кремниевые п-р-п

диффузионные высокочастотные П504—П505'1

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Усиление и генерирование сигналов высоких частот

2. Габаритный чертеж и расположение выводов

3. Конструктивные данные

4. У казания по эксплуатации

Следует учитывать возможность самовозбуждения транзистора как высокочастотного элемента с большим коэффициентом усиления.

При изгибе вывода необходимо применять специальные шаблоны.

») Транзисторы типа Г1504-П505А снимаются с производства. Рекомен­ дуется заменять их транзисторами КТ312А-КТ312В.

5. У ст о й ч и во ст ь п р о т и в вн е ш н и х в о зд е й с т в и й

6 . К л а с с и ф и к а ц и я т р а н з и с т о р о в