Материал: Транзисторы

Скачать файл

Заказать новую работу

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Uк,®

Типовая зависимость емкости коллекторного перехода транзисторов ГТ313А, ГТ313Б от напряжения коллектора

bat3fcc)_

1.4

lUgBiiu ]э г Э ? =

1.2 :

».о

Ь.0

о,в

-20

+20

+40

+60 Т“,°С

Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов ГТ313А, ГТ313Б от температуры окружающей среды

Транзисторы германиевые р-п-р

диффузионные высокочастотные ГТ320А—ГТ320В

А. Общие и конструктивные данные

/ . О сн овн ое н а з н а ч е н и е

Усиление и генерирование электрических колебаний высокой частоты и работа в импульсных схемах аппаратуры бытового и на роднохозяйственного назначения.

2 . Г а б а р и т н ы й ч е р т еж и р а с п о л о ж е н и е вы водов

Вывод коллектора электрически соединен с корпусом транзи стора.

		3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е
Вес транзистора		(макс.)	2,2 г
Высота	корпуса	(макс.)	8 м м
Диаметр	корпуса	(макс.)	11,7	»
Длина выводов		(мин.)	30	»
Диаметр	выводов (мин.)		0,4	*
	4. У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и
В условиях механических ускорений свыше			2 g транзисторы
должны	крепиться за корпус.
При эксплуатации транзистора должна быть учтена возмож
ность самовозбуждения его, как высокочастотного			элемента с боль

шим коэффициентом усиления. Изгиб выводов разрешается не бли же 5 мм от корпуса транзистора. Пайка выводов должна быть на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником мощностью не более 60 вт в течение не более 10 сек (температура пайки не более 240°С).

5 .	Устойчивость против внешних воздействий
Диапазон	температур	окружающей среды	—55 -ч- +70° С
Атмосферное давление		.от2,7 • 104 н/м2доЗ • 105njM2
Относительная влажность при +40°±5°С			95-5-9896
Постоянные ускорения		(макс.)	150g
Одиночные	удары (макс.) . .		150g
-Вибрация	в диапазоне	5ч -250 гц (макс.)	15g

6. Классификационные парамет ры

Наименование параметра

Коэффициент передачи тока

Модуль коэффициента передачи тока на f = =20 Мгц

Время рассасывания

Постоянная времени це пи коллектора

Напряжение	коллек
тор — эмиттер	при ко

ротком замыкании в цепи эмиттер — база

Напряжение	коллек
тор — эмиттер	при ра
зомкнутом	выводе
эмиттера

Обозначе	Един.	Величина для транзисторов
ние	изм.	ГТ320А	ГТ320Б	ГТ320В

Л 2 1Э			20-5-80 50-4-120		оо О	+ Сл О
Л21э		—	> 20	> 4 0	> 60
( Л 21э)			4	6		8
	ТР	нсек	400	500		600
	ТР
' б	С к	псек	500	500		600
' б	С к
и	К9К	в	12	11		9
^ К Э О		—	12	11		9

7. Тепловые параметры

Определение	Обозначе	Един.	Величина
	ние	нзм.

Наибольшая температура коллектор

ного перехода (кристалла)		Г«акс.
		Г«акс.
Наименьшая температура коллек		т °
торного	перехода (кристалла)	т °
		Лмин.
Тепловое	сопротивление переход—

°с 1+70|

°с

| —551

окружающая		среда	при Г с =	^пс	°с	10,225 1
= + 4 5 ^ + 7 0 ° С				^пс	мет	10,225 1
					мет	■- Я
						■- Я
Б . Э лектрические п ар ам етр ы					и д ан ны е
		тр ан зи сто р а		Г Т 320А
	/.	М аксимально допустимые данные
					о
при температуре окруоюающей среды Г с= —55 +- +70° С
			1. МОЩНОСТИ (мет)
		Определение		• Обозначение		Величина
Постоянная	мощность, рассеиваемая			тран
зистором без теплоотвода					Pm	2001
То же, при	пониженном давлении			2,7Х
X Ю-4 н/м2					P m	11401
Импульсная	мощность		(мгновенное	зна
чение)					Р М	\|1000\|
					Р М
При 7с> + 45°С Рм			снижается	на 0,06	вт/5°С; Рт рассчиты
вается по формуле

90 °С — Тс

мет

(Ш 5

	2. ТОКИ (ма)
	Определение					Обозначение		Величина
Средний ток коллектора в режиме усиле							I км
ния							I км	1150
Импульсный ток коллектора							А<м	3 0 0 1
При Т°с>45° С значение		токов		снижается			соответственно:
	/ км	на	10	ма/Ь°С,
	/км	на	20 ма/5° С.
	з. НАПРЯЖЕНИЯ (в)
	Определение					Обозначение		Величина
Напряжение	коллектор — база при				хх в		U кбо	шп
цепи эмиттера
Напряжение	коллектор — эмиттер			при		кз		15
в цепи базы							Uкэк	15
Напряжение	коллектор — эмиттер			при		кз
в цепи базы и тЦМд^1 мксек							и кэк	\Щ \
Напряжение	коллектор — эмиттер			при		за
пирающем смещении в цепи базы							^КЭЗ	Н О
Напряжение	коллектор — эмиттер при
< 1 ком							*	щ
							*
Напряжение	коллектор — эмиттер					при
^216= 1							^кэо	ш
Напряжение	эмиттер — база	при	хх		в	це	и э6о	HI
пи коллектора							и э6о	HI
пи коллектора
0				снижаются			на каждые	5° С:
При Гс > + 4 5 °С напряжения				снижаются			на каждые	5° С:
UKGO на	1,6 в\ Uиж и Uказ на 1			в;		UKЭп на	0,4 в и £/эбо на 0,2 в*

Смотрите также:


«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
Значение, сущность и содержание социально — педагогической деятельности в организации для детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей
Проактивные методы PR-деятельности российских авиационных компаний «Россия», «Азимут»
__RGR2
__RGR2
_11_А. Франс для эл версии
_3 тема - Диффузия
_Антонян Ю.М., Психология преступника и расследования преступлений