Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

ТРАНЗИСТОР ГТ313Б

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при температуре

окружающей

среды

Т°с «=+20 ±5° С

Определение

Обозначение

Един.

Величина

 

 

 

 

 

изм.

мин.

| макс.

 

 

 

 

Емкость

коллекторного

 

пф

1

 

перехода

С*

щ

Постоянная времени це-

 

псек

20

 

пи коллектора

Г0 £|С

щ

Коэффициент шума при

 

дб

4

7

/ э= 5 ма и f = 180 Мгц

I’m

 

 

 

 

 

Входная

проводимость

 

 

 

 

— модуль

1Упэ 1

моим

10

15

— фаза*

 

град

40

60

Входная

проводимость

 

 

30

50

— модуль

1Упб 1

мсим

— фаза

Фпб

град

—10

—30

Крутизна

характеристи­

 

 

 

 

ки

 

 

 

25

40

— модуль

1Уя1э 1

мсим

— фаза

Ф21Э

град

—30

—55

Входная

проводимость

 

 

 

3.0

— модуль

1У22Э 1

мсим

2,0

— фаза

Ф-22Э

град

60

80

Предельная частота уси­

 

 

| 450 |

| 1000I

ления по току

 

Остальные данные, параметры в режимы измерений не отдя« чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ313А.

Типовые входные ха-

Типовые выходные характеристики транзисто-

рактсристикн

транзн-

ров ГТ313А, ГТ313Б для схемы с общим эмнт-

сторов ГТ313А,

ГТ313Б

тером

для схемы с

общим

 

эмиттером

Типовая зависимость напряжения коллектор—эмиттер транзисторов ГТ313А, 1Т313Б от сопротивления в цепи базы

I кбо

Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов ГТ313А, IТ313Б от температуры окружающей среды

ft

МГЦ