Типовые выходные характеристики транзисторов ГТЗЭ8 А для схемы с общим
эмиттером
V е
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТЗJ85 для схемы с общим эмиттером
0,01 |
0,1 |
1,0 |
Ю |
R 6 ,K0M 100 |
Зависимость предельно допустимого напряжения коллектор—эмиттер транзисторов ГТЗОЗА — ГТЗЭ8В от сопротивления между
эмиттером и базой
Зависимость токов коллекторного и эмнттерного переходов транзисторов IT3J8A— ГТЗЭ8В от температуры окружающей среды
h (T c*)
h (+ 2 0 °C )
*ЬСн
леек
Зависимость постоянной времени цепи коллектора транзисторов IT3U8A— ГТ308В
от напряжения коллектора
Гб Ск
леек
Зависимость постоянной времени цепи коллектора транзисторов ГТ303Л-ГТ303В от тока эмиттера
Зависимость коэффициента усиления по току транзисторов I ТЗОЗ —ГТЗОЗВ ог то:
эмиттера