|
|
ТРАНЗИСТОР |
ГТ308Б |
|
|
|
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
|
|
|
|
о |
|
при температуре окружающей среды 7'с = 4-20±5°С |
||||||
|
|
|
Обозна- |
Един. |
Величина |
|
Определение |
|
|
||||
чение |
изм. |
мин. |
макс. |
|||
|
|
|
|
|
||
Входное |
сопротивление |
^ П Э |
ОМ |
270 |
1500 |
|
Коэффициент |
усиления |
Л 2 1Э |
— |
Щ |
11201 |
|
Коэффициент |
обратной |
|
— |
К Г 4 |
1,5-10"3 |
|
связи |
|
|
Л |2 Э |
|||
Выходная |
проводимость |
/г22э |
мксим |
50 |
130 |
|
Коэффициент |
усиления |
Л21э |
— |
]~50~[ |
11201 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Коэффициент |
усиления |
|
— |
30 |
90 |
|
при Тс = —55° С |
Л2 |Э |
|||||
Коэффициент |
усиления |
|
|
|
|
|
при Т°с = +60° С
Коэффициент |
усиления |
|
при |
/ и = / |
ма |
Время |
включения |
|
Время |
рассасывания |
|
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер в ре жиме насыщения
Л2 ,Э |
— |
|~50~[ |
|360| |
|
|
|
|
^21Э |
— |
15 |
— |
^ВКЛ |
мксек |
0,07 |
0,13 |
h |
мксек |
— |
1.0 |
Uкэн |
в |
— |
1,2 |
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ308А.
ТРАНЗИСТОР ГТ308В
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды 7° = +20±5°С
Величина
Определение |
Обозна |
Един. |
чение |
изм. |
макс.
Входное |
сопротивление |
^11б |
|||
То же |
|
|
|
^11Э |
|
Коэффициент |
обратной |
|
|||
связи |
|
|
|
h \2 t |
|
То же |
|
|
|
h 12Э |
|
Выходная |
проводимость |
h 223 |
|||
Коэффициент |
усиления |
h 2i6 |
|||
То |
же, |
при |
/,< = 1 ма |
h 2i6 |
|
То же |
|
|
|
Л21Э |
|
То |
же, |
при |
|
Тс——55° С |
^21Э |
То |
же, |
при |
Т°с = + 60° С |
Л,21Э |
|
Коэффициент шума |
|
||||
Предельная |
частота |
/т |
|||
ОМ |
6 |
25 |
ОМ |
300 |
1500 |
— |
10"4 |
1 0 '3 |
—10"4 1 .5 .10’ 8
м к с и м |
80 |
200 |
— |
0,97 |
0,99 |
— |
0,96 |
0,98 |
— |
[во] |
12001 |
— |
45 |
130 |
— |
й |
15001 |
об |
— |
8 |
Мгц |
1'2 0 1 |
200 |
Определение
Граничная |
частота |
||
Предельная |
частота |
||
Постоянная |
времени |
||
Время |
включения |
||
Время |
рассасывания |
||
То же |
(при |
/к —50 ма, |
|
/ б = 1,25 |
ма) |
||
Напряжение |
коллек |
||
тор — эмиттер |
|||
Напряжение |
база — |
||
эмиттер |
|
|
|
Входная |
проводимость |
||
при Uк= 5 в, / к = 1 ма
и/=100 Мгц: модуль фаза
Входная проводимость при Uк= 5 в, / к= 1 ма
и/=100 Мгц: модуль фаза
Крутизна характеристи ки при £/к = 5 в, / к=* = 1 ма и /=100 Мгц:
модуль
фаза
Выходная проводимость при С/к= 5 в, /,<= 1 лш
и/=100 Мгц: модуль фаза
Обозначение
fЛ216
/т
^вкл
Uкэн
^ бэн
1Унэ 1 Фиэ
1Уиб 1 Фнб
1У2\э\
Ф21Э
I У22Э |
Ф22Э
|
Продолжение |
|
Един. |
Величина |
|
|
|
|
изм. |
мин. |
макс. |
|
||
Мгц |
2 00 |
— |
Мгц |
1 1 2 0 1 |
— |
псек |
120 |
15001 |
мксек |
0,08 |
0,15 |
мксек |
0,35 |
'1 1 .0 1 |
мксек |
— |
1 |
в |
0,4 |
1.2 |
в |
0,4 |
10.51 |
мсим |
10 |
2 0 |
град. |
40 |
60 |
мсим |
20 |
40 |
град. |
—25 |
- 4 0 |
мсим |
15 |
35 |
град. |
- 5 0 |
—75 |
мсим |
1.5 |
4 |
град. |
60 |
85 |
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ308А.
|
о |
|
о |
Типовые входные характеристики транзисторов ГТ308А для |
Типовые входные характеристики транзисторов ГТ308В для |
схемы с общим эмиттером |
схемы с общим эмиттером |