Материал: Нанотехнологии для всех (Рыбалкина), 2005, c.444

ГЛАВА 1. Введение в нанотехнологии

ли таких листов много. Сложите в стопку сто листов, возьмите линейку и разделите получившуюся величину на 100. В резуль тате такого измерения мы получаем толщину одного листа, ис ходя из того, что все листы совершенно одинаковые.

Однако для меньших размеров линейка уже не годится. Ес ли попытаться измерить с ее помощью толщину волоса, то единственное, что можно будет сказать это то, что волос очень тонкий, что очевидно и без измерений. Поэтому чтобы идти дальше в сторону еще меньших расстояний, необходимы увели чительные приборы, из которых всем наиболее знаком обыч ный оптический микроскоп.

Оптический микроскоп позволяет видеть мелкие детали ве личиной до 0,25 мкм. Дальнейшие способы улучшения микрос копа, работающего на принципах оптики, привели к созданию его электронного варианта, с помощью которого удается наблю дать предметы с размерами порядка нанометра. Электронный микроскоп позволяет различать даже атомные решетки, но вот обнаружить в них дефекты он уже не может3. А ведь для целей на нотехнологии нужно хорошо визуализировать отдельные атомы!

Поэтому когда все возможности данного устройства были исчерпаны, ученые принялись искать новые пути решения пос тавленной задачи. И вот в начале ХХ века появилась ориги нальная идея изучать вещество, не увеличивая визуально иссле дуемую площадь его поверхности, а как бы трогая её. Здесь при годился открытый к тому времени туннельный эффект, на ос нове которого в 1981 году был создан первый сканирующий туннельный микроскоп (СТМ).

Подробным изучением СТМ и туннельного эффекта мы займемся позже, а пока лишь в общих чертах раскроем их суть.

Туннельный эффект является принципиально квантовоме ханическим эффектом, не имеющим аналога в классической физике, и потому представляет огромный интерес для исследо вателей. Он основан на корпускулярно волновом дуализме – двойственной природе элементарных частиц.

С точки зрения классической механики очевидно, что ни какое материальное тело, имеющее энергию E, не может прео долеть потенциальный барьер высотой V0 , если V0>E. Напри

3. Подробнее о принципах работы различных микроскопов рассказывается в главе "Инструменты нанотехнологий"

НАНОТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ ВСЕХ

мер, если принять за материальное тело мяч, а за потенциаль ный барьер – очень высокий бетонный забор, то понятно, что если кинуть мяч в сторону забора недостаточно высоко – так, что его энергии не хватит на перелет стоящего перед ним барь ера, то он, ударившись о преграду, отскочит назад.

Однако если в качестве материального тела рассмотреть электрон, то оказывается, что даже если высота потенциально го барьера выше, чем собственная энергия электрона, то он с определенной вероятностью может оказаться с другой стороны барьера, лишь незначительно изменив свою энергию, как если бы в “заборе” оказалась некая “дырка” или туннель4

Это необъяснимое, на первый взгляд, туннелирование яв ляется следствием того, что электрону присущи как корпуску лярные, так и волновые свойства. Будь электрон классической частицей, обладающей энергией E, он, встретив на своем пути преграду, требующую для преодоления большей энергии, дол жен был бы отразиться от этой преграды. Однако, будучи од новременно и волной, он проходит сквозь эту преграду, подоб но тому, как рентгеновские волны свободно проходят сквозь материальные объекты.

Рис 7. Туннельный эффект

Таким образом, над поверхностью любого проводника или полупроводника всегда наблюдается некоторое количество сво бодных электронов, “вышедших” за его пределы не в результате термоэлектронной эмиссии, а благодаря туннельному эффекту.

Если взять два проводящих вещества, расположить их на расстоянии 0,5 нм друг от друга и приложить к ним сравнитель но малую разность потенциалов (0,1 1 В), то между ними воз никнет электрический ток, обусловленный туннельным эф фектом, который называется туннельным током.

4. Причины столь "парадоксального" поведения подробно анализируются в главе "Законы квантового мира".

24

ГЛАВА 1. Введение в нанотехнологии

Если повторить тот же опыт, но к поверхности интересую щего тела поднести острый предмет, например, очень тонкую иглу с кончиком в атом толщиной, то, проводя ею над изучае мым объектом (сканируя его поверхность) можно получать ин формацию о строении объекта на атомном уровне.

В 1981 году сотрудники компании IBM Г. Бининг и Г. Ро рер на основе этого явления построили первый сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) и в 1982г. с его помощью впервые в истории получили изображение поверхности золота, а затем и кремния с атомарным разрешением.

За это открытие в 1985 году уче ные были удостоены Нобелевской премии, а дальнейшее развитие ска нирующей микроскопии привело к бурному развитию нанотехнологий. По иронии судьбы, огромные воз можности СТМ были осознаны дале

ко не сразу: некоторые научно популярные издания даже не хотели брать в печать статью Бининга и Рорера, содержащую описание изобретения, на основании того, что это якобы “не достаточно интересно”! (впрочем, то же наблюдалось и десять лет спустя в ряде российских СМИ).

Рабочим органом СТМ – зондом – служит токопроводя щая металлическая игла. Зонд подводится к изучаемой поверх ности на очень близкое расстояние (~0,5 нм) и при подаче на зонд постоянного напряжения между ними возникает туннель ный ток, который экспоненциально зависит от расстояния между зондом и образцом. Это значит, что при увеличении рас стояния лишь на 0,1 нм туннельный ток уменьшается почти в 10 раз! Именно это и обеспечивает высокую разрешающую способность микроскопа, поскольку незначительные измене ния по высоте рельефа поверхности вызывают существенное изменение туннельного тока.

Поддерживая ток и расстояние постоянным при помощи следящей системы, зонд сканирует поверхность, перемещаясь над нею по осям X и Y, то опускаясь, то поднимаясь в зависи мости от ее рельефа.

Информация об этом перемещении отслеживается компь ютером и программно визуализируется, чтобы исследователь мог увидеть на экране объект с нужным разрешением.

НАНОТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ ВСЕХ

Рис 9. Схема работы СТМ

Существуют два варианта конструкции СТМ в зависимос ти от режима сканирования образцов.

Врежиме постоянной высоты острие иглы перемещается в горизонтальной плоскости над образцом, а ток туннелирова ния изменяется (рис. 10а). Исходя из данных о величине тока туннелирования, измеренной в каждой точке поверхности, строится образ ее рельефа.

Врежиме постоянного тока СТМ задействуется система об ратной связи для поддержания постоянного тока туннелирова ния путем подстройки высоты сканирующего устройства над поверхностью в каждой ее точке (рис. 10б).

У каждого режима есть преимущества и недостатки. Режим постоянной высоты быстрее, так как системе не приходится перед вигать сканирующее устройство вверх вниз, но при этом можно получить полезную информацию только с относительно гладких образцов. В режиме постоянного тока можно с высокой точностью изучать сложные поверхности, но он занимает и больше времени.

Важной деталью сканирующего туннельного микроскопа является механический манипулятор, который должен обеспе чивать перемещение зонда над поверхностью с точностью до тысячных долей нанометра. Обычно механический манипуля тор изготавливают из пьезокерамического материала.

Удивительным свойством такого материала является пьезо* эффект. Суть его заключается в следующем: если из пьезомате риала вырезать прямоугольную балку, нанести на противопо ложные стороны металлические электроды и приложить к ним

26

ГЛАВА 1. Введение в нанотехнологии

Рис 10. Режимы работы СТМ

разность потенциалов, то под действием тока произойдет изме нение геометрических размеров балки. И наоборот: при малей шей деформации (сжатии) балки на ее противоположных кон цах возникнет разность потенциалов. Таким образом, управляя малыми изменениями тока, можно добиться перемещения зон да на очень малые расстояния, необходимые для работы скани рующего микроскопа.

В практических конструкциях обычно используют пьезокерамические манипуля торы, выполненные в виде тонкостенной трубки с несколькими раздельными элект родами. Управляющее напряжение вызы вает удлинение или изгиб таких манипуля торов и, соответственно, перемещение зонда по всем трем пространственным ко ординатам X, Y и Z.

Конструкции современных манипуляторов обеспечивают диапазон перемещения зонда до 100–200 мкм в плоскости и до 5–12 мкм по высоте.

Туннельный микроскоп позволил ученым исследовать по верхности на атомном уровне. Однако этот прибор имеет и ряд ограничений. Основанный на туннельном эффекте, он может применяться только для изучения материалов, хорошо прово дящих электрический ток.

Но прогресс не стоит на месте, и в 1986 г в лаборатории цю рихского отделения IBM были созданы микроскопы следующе го поколения – атомно*силовые (АСМ). АСМ тоже позволяет исследовать поверхности с атомной точностью, но уже вовсе не