Материал: Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Таким образом, в понимании природы многофононной безызлучательной релаксации Ъп3+-актпваторов в диэлектрических кристаллах сделан еще одни шаг вперед. Первые вычисления скоростей этого процесса WJJ*с использованием развитой в [73, 75, 771 теории ковалентно-нелинейного механизма ЭФВ, учи­ тывающего взаимодействие 4/-электронов лантаноидов с внешними электронными оболочками лигандов методом МО—ЛКАО и с применением модели обменных зарядов, показали существенное увеличение вероятности безызлучательных межмультнплетных переходов ионов Ег3+ во фтор- и кислородсодержащих ла­ зерных кристаллах по сравнению с расчетами, выполненными в рамках теории ионно-нелинейного механизма, который основан только на кулоновском взаи­ модействии лантаноидов с ближайшим окружением. Полученные расчетным путем данные по W jr находятся в лучшем согласии с результатами эксперимен­ та. Однако проведенные вычисления не должны создавать впечатления, что ко­ валентно-нелинейный механизм всегда доминирует над ионно-нелинейным.

Относительный вклад первого зависит от значений параметров В\ и Tv, при этом чем больше величины этих параметров, тем больше вклад ковалентнонелинейного механизма в W J J >. Оценки по (4.23) показывают, например, что для безызлучательных переходов ионов Nd3+ в кристалле Y 3Al50 lt! вклад в W J J >

ковалентно-нелинейный механизм существенно не вносит.

Здесь необходимо также отметить несколько общих проблем теории много­ фононных безызлучательных переходов Ьп3+-ионовв кристаллах. Прежде всего это относится к вычислению спектральных плотностей JWi (Q) от корреляцион­ ных функций смещений ядер. Для многофононных процессов также может ока­ заться существенной и реальная ангармоничность колебаний решетки. В одно­ координатной модели учет ангармоничности применительно к Ьп3+-ионам в кристаллах был проведен в [96], где показано, что для процессов с р 6 этот

учет может увеличить W jy более чем на порядок. Возможно, что по этой причине (пренебрежение ангармоничностью) заключается сильное расхождение между

экспериментальным и

расчетным значениями WJJ* для перехода 4&/s /w* 4F»/t

ионов Ег3+ во фториде

LiYF4. Также необходимо отметить, что в приведенном

выше рассмотрении ковалентно-нелинейного механизма учитывались только модуляции модуля г (т. е. величины г), а не его направления г/г. Более общий подход с учетом модуляции направления еще предстоит разработать.

ЛИТЕРАТУРА

1.Каминский А . А . Лазерные кристаллы. М.: Наука, 1975.

2.Krupke W . F. // Ргос. IEEE Region VI Conf., 1974. N. Y.: IEEE, 1975. P. 17.

3.

Физика

и

спектроскопия лазерных кристаллов / А. А. Каминский, Л. К. Ампнов,

4.

В. Л. Армолаев и др. М.: Наука, 1986.

 

N. Y.: Wiley,

1968.

 

 

DiBartolo В.

Optical interaction in solids.

Amsterdam:

North-

5.

Riseberg

L. A ., Weber M. J ■H Progress

in

optics. / Ed.

E .W olf.

6.

Holland,

1976. Vol. 14. P. 91.

B. DiBartolo. N. Y.: L.:

Plenum press,

1979.

A uzel F. // Radiationless processes / Ed.

P. 213.

7.Kaminskii A . A . Laser crystals, their physics and properties. Berlin etc.: Springer, 1981.

8. Perlin Y u . E ., Kaminskii А . А . Ц Phys. status solidi B. 1985. Vol. 132. P. 11.

9.Weber M . J . H Phys. Rev. 1967. Vol. 156. P. 231.

10.Riseberg L. A ., Moos II. W . П Phys. Rov. Lett. 1967. Vol. 19. P. 1423.

11.Weber M . J . H Phys. Rev. 1968. Vol. 171. P. 283.

12.

Riseberg L. A .,

Moos If.

W . H Ibid. Vol.

174. P. 429.

Quant. Electron.1968.Vol.4.

13.

Riseberg L. A .,

Moos II.

W ., Partlow W .

D. II IEEE J.

P.609.

14.Сычугов В . А .. Шипуло Г . П . И ЖЭТФ. 1970. Т. 58. С. 817.

15.Pollack S . А . И J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. Р. 3526.

16.Зверев Г. М ., Колодный Г. Я ., Онищенко А . М . /] ЖЭТФ. 1971. Т. 60. С. 920.

17.Reed Е. D., Moos II. W . // Phys. Rev. В. 1973. Vol. 8.Р. 980.

18.Weber М . J . // Ргос. X Rare Earth Res. Conf. Oak Ridge: USAtom,energy commis. lechn. inform, center, 1973. P. 932.

19.Lauer 77. F., Fong F. К . // J. Chem. Phys. 1974. VoL 60. P. 274.

20.Антипенко Б . M. // ЖТФ. 1984. T. 54. C. 385.

21.

Ткачук

А. M., Полетимова

A . B .y Петров М . В . Ц Оптика н спектроскопия. 1985.

22.

Т. 59.

С. 1136.

 

Перлин

Ю. Е Ц у к е р б л а т Б . С. Эффекты электронно-колебательного взаимодействия

23.

в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов. Кишинев: Шттгаца, 1974.

Radiationless processes / Ed.

В. DiBartolo. N. Y.; L.: Plenum press, 1979.

24.Fong F. K. // Handbook on the physics and chemistry of rare earth / Ed. K. A. Gschneidner, L. Eyring. Amsterdam: North-Holland, 1979. P. 317.

25.Rare earths spectroscopy / Ed. B. Jezowska-Trzcbiatowska, J. Legendziewicz, W. Strek. Singapore: World Sci., 1985.

26.Каминский A . A. // Изв. АН СССР, Нсоргаи. материалы. 1971. T. 7. С. 904.

27.Каминский А . А . // Оптика и спектроскопия. 1971. Т. 31. С. 938.

28. Каминский А . А., Бутаева Т. И ,, Иванов А . О. л др. // Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2.

С.787.

29.Kaminskii А . А . Modorne РгоЫсшс der Laserkristall Physik. Dresden: Phys. Ges. DDR,

1977.

30.Каминский А. А., Петросян А. Г. // ДАН СССР. 1979. T. 246. С. 63.

31.Johnson L. F.< Guggenheim 77./ . / / Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 19. P. 44.

32.Антипенко Б. M. Ц Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. T. 48. C. 1373.

33.Мак А. А., Антипенко Б. M. // Жури, прикл. спектроскопии. 1982. T. 37. С. 1029.

34. Антипенко 77. Л /./ / Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. С. 968.

35.Антипенко /7. Л/., Мак А . А., Раба О. Б. и др. // ЖТФ. 1982. Т. 52. С. 521.

36.Каминский А . А., Соболев Б . Я ., Саркисов С. Э. и др. // Изв. АН СССР. Неорган. ма­

териалы. 1982. Т. 18. С. 482.

37.

Auzel

/ ’.//E nergy transfer

processes in

condensed m atter/Ed. B. DiBartolo. N. Y.;

38.

L.: Plenum press, 1983. P.

497.

J. Appl. Phys. 1986. Vol. 60. P. 4077.

Pollack

S. A., Chang D. / ? . ,

Moise N. L. / /

39.Silversmith A . Lenth IF., Mac)ariane R. M . // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. P. 1977.

40.Богдасаров X. С.щЖеков В . /7., Лобачев В. А . н др. // Изв. АН СССР. Сер. фпз. 1984.

Т. 48. С. 1770.

41.Антипенко 77. М., Мак А. А. // Спектроскопия кристаллов / Отв. ред. А. А. Кап-

лянский. Л.: Наука, 1985. С. 5.

42.Антипенко Б. М .г Мак А. А., Сухарева Л. К. // Письма в ЖЭТФ. 1984. Т. 10. С. 513.

43.Андриасян М . А., Вардяняп II. В., Костанян Р. Б . // Квантовая электрон. 1982. Т. 9.

С. 1269.

44.Jenssen II. Р., Castleberry Z>., Gabbe D., Linz А . // Digest Techn. Pap. Conf. Lasers and

45.

Electro-opt. Wash. (D. C.): OSA/IEEE, 1973.

P.

47.

Каминский

А. А. //Д А Н СССР. 1982. T. 267.

С.

1106.

46.

Kaminskii

A. A ., Vylegzhanin D. N. // IEEE J,

Quant. Electron. 1971. V o l.7. P. 329.

47.Reisjeld 7?., Jorgensen С. K. Lasers and excited states of rare earths. Berlin etc.:

Springer, 1977.

48.Ткачук A . M . // Спектроскопия кристаллов / Отв. ред. А. А. Каплянскшь Л.: Наука,

1985. С. 42.

49.Вылегжанин Д . 77., Каминский А. А . И ЖЭТФ. 1972. Т. 62. С. 685.

50.Андриеш И . С., Гамураръ В, Я ,, Вылегжанин Д , //, н др. // ФТТ. 1972. Т. 14. С. 2967.

51. Андриеш

И. С., Гамураръ В.

Вылегжанин Д. 7/. и др. // Квантовая электрон.

1975. Т

2 С 287

 

52.Frenkel >. // Phys. Rev. 1931. Vol. 37. P. 17.

53.Френкель Я, II. // ЖЭТФ. 1936. Т. 7. С. 647.

54.Huang 7L\ , 7?ki/s А. // Proc. Roy Soc. London. А. 1950. Vol. 204. Р. 406.

55. Давыдов А, С.//Ж ЭТФ . 1953. Т. 24. С. 197.

56.Кривоглаз М. А. // Там же. Т. 25. С. 191.

57.Kubo Я., Toyozawa Г, // Prog. Theor. Phys. 1955. Vol. 13. P. 160.

58.Перлин IO. E. // УФН. 1963. T. 80. C. 553.

59.Miyakawa T. ikf., Dexter D . L. // Phys. Rev. B. 1970. Vol. 1. P. 2961.

60.Коварский Я. А .//Ф Т Т . 1962. T. 4. С. 1636.

61.Lax М. // J. Chem. Phys. 1952. Vol. 20. P. 1752.

62.Engelman R. Non-radiative decay of ions and moleculs in solids. Amsterdam; N. Y.:

North-Holland, 1979.

63.Гамураръ В . Я ., Перлин 10. Е., Цукерблат Б . С. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971.

Т. 35. С. 1429.

64.Перлин 10. Е . /I Спектроскопия кристаллов / Отв. ред. П. П. Феофплов. Л.: Наука,

65.

1973. С. 58.

Gamurar

V. Ya.,

Perlin

Y u . E . / i Cryst. Lattice Defects. 1974. Vol. 5.

Andriesh I. S.,

66.

P. 35.

Kaminskii

A. A.,

Enakii

V. A'., Vylegzhanin D . Ar. // Phys. status solidi

Perlin Y u . E .,

B. 1979. Vol. 92. P. 403.

67. Перлин Ю . Е . , Болдырев С. И ., Енакий Я. Я . / / Изв. АН СССР. Сер. фнз. 1979.

Т.43. С. 1291.

68.Moglich F., R отре W . // Ztschr. Phys. 1940. Bd. 157. S. 252.

69.Hagston W . E . , Jou-er J. E. // Physica. 1973. Vol. 70. P. 40.

70.Pukhov К . К ., Sakun V. P. // Phys. status solidi B. 1979. Vol. 95. P. 391.

71.Перлин 10. E., Каминский A. A ., Блажа M. Г. н др. // ФТТ. 1982. T. 24. C. 685.

72. Perlin Y u . E . y Kaminskii A . A ., Blazha M. G., Enakii F N . 11 Phys. status solidi B.

1982. Vol. 112. P. K125.

73.Перлин 10. E., Каминский А . А ., Алифанов О. В. Ц ФТТ. 1987. Т. 29. С. 3296.

74.Hagston W . Е ., Lou'ther J. Е . // Physica. 1973. Vol. 65. Р. 172.

75.Пухов К. К. И Тез. докл. Всесоюзн. совещ. «Люминесценция молекул н кристаллов».

Таллинн, 1987. С. 100.

76. Malkin В. Z. / Spectroscopy of solids containing rare earth ions / Ed. A. A. Kaplyanskii,.

R. M. Macferlane. Amsterdam; N. Y.: North-Holland, 1987. P. 13.

77.Пухов К. К., Каминский А . А . Ковалентно-нелинейный механизм безызлучательной

релаксации Ъп3+-понов в кристаллах: Препр. Ин-та кристаллографии АН СССР, 1989.

78.Ермолаев В. Л., Бодунов Е. Я,, Свешникова Е. Б ., Шахвердов Т. А . Бепызлучательпый

перенос энергии электронного возбуждения. М.: Наука, 1977.

79.Kushida Т., Geusic J . Е. // Phys. Rev. Lett. 1968. Vol. 21. P. 1172.

80.

Зленко

А . А ., Сычугов В . А .,

Шипуло Г. П. Ц Квантовая

электроника / Под

ред.

81.

Н. Г. Басова. М.: Сов. радио, 1972. С. 103.

Commun. 1982. Vol.

44.

Kushida

Т., Kinoshita S., Ohtsuki

Г., Yamada Т. // Solid State

P.1363.

82.Григорьянц В. В ., Жаботинский М. Е., Маркушев В. М. // Квантовая электрон. 1982.

Т.9. С. 1576.

83.

L i a o ' p . F ., Weber Н. Р. // J. Appl. Phys. 1974. Vol. 45. Р. 2931.

84.

Ramsey J . М ., Whitten W . В. // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 38. P. 9.

85.

Басиев T. T ., Жариков E. В., Жеков В. И. и др. // Квантовая электрон. 1976. Т. 3.

С.1471.

86.Weber М . J. // Phys. Rev. В. 1973. Vol. 8. Р. 54.

87.Jenssen Н. Р. И Technical report. Cambridge: MIT Cryst. phys. lab., 1971. N 16.

88.Renfo G. Jlf., Windscheif J. C., Sibley A . A ., Belt R . E. // J. Luminescence. 1980. Vol. 22.

P 2583

89.

Johnson L. F.,

Guggenheim II. J. // Appl. Phys. Lett.

1973. Vol. 23.

P .96.

90.

Zabokritskii B . Y a . , Manuilskii A . D ., Odulov S. G.,

Soskin M. S. //

Phys. status solidi.

 

1970. Vol. 42.

P. K157.

 

 

91.Burns G., Axe J . D. Ц Optical properties of ions in crystals / Ed. H. M. Crosswhite, II. W.

Moos. N. Y.: Intersci., 1967. P. 552.

92.Lowther J. E ., Hagston W- E. // Physica. 1973. Vol. 70. P. 27.

93.Малкин Б . 3. Кристаллическое поле п электрон-фононное взаимодействие в ионных ред­

коземельных парамагнетиках: Автореф. дне. ... д-ра физ.-мат. наук. Казань, 1984.

94.Weber М. J . И Phys. Rev. 1967. Vol. 157. Р. 262.

95.Riseberg L . A ., Gandrud W . B., Moos H. W . II Ibid. Vol. 159. P. 262.

96.Балагура О. В ., Иванов А. И. И Оптика и спектроскопия. 1987. Т. 62. С. 1043.

97.Пухов К. К. // ФТТ. Т. 31. С. 3000.

МНОГОУРОВНЕВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ВОЗБУЖДЕНИЯ ГЕНЕРАЦИИ СТИМУЛИРОВАННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В АКТИВИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ

Глава 5

КАСКАДНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СХЕМЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЛАЗЕРОВ

Введение

Фундаментальное свойство L II3+-IIOIIOB в диэлектрических кристаллах — много-

уровненость и связанные с ней разноволновые люминесцентные н абсорбцион­ ные каналы — являются «... широким плацдармом для разнообразных построе­ ний в области взаимодействия вещества н излучения» 1. Ярким примером ис­ пользования этих практически неисчерпаемых возможностей наряду с реали­ зацией различных вариантов трех- н четырехуровневых схем генерации было открытие каскадного принципа возбуждения генерации СИ н воплощение на его основе ряда новых функциональных схем кристаллических лазеров [1, 2].

Известные каскадные лазерные) схемы подразделяются на прямые (рис. 5.1, я), использующие серию последовательных межштарковскпх индуци­ рованных переходов одного типа Ьп3+-актлватора, и кросскаскадные (рнс. 5.1, 6) с несколькими генернрующпмн Ьп3+-ионами, связанными промежуточными актами передачи энергии электронного возбуждения. В частности, в прямой каскадной схеме первый более нпзкопороговый генерационный переход будет способствовать созданию необходимой инверсной заселенности между уровнями второго лазерного перехода, который, в свою очередь, за счет эффекта быстрой генерационной дезактивации будет также улучшать условпя для протекания процесса СИ в первом канале. В многоступенчатых вариантах последователь­ ных каскадных индуцированных переходов будет также важным п сокращение предгенерацпонпого времени. Очевидные достоинства имеют п кросскаскадные лазерные схемы.

Взаимовыгодное возбуждение генерации СИ в прямых п кросскаскадных лазерных схемах также способствует снижению тепловыделения в лазерном кристалле н повышению общей эффективности преобразования энергии накачки

вгенерацию, поскольку вероятность индуцированных переходов больше вероят­ ности миогофоноииой межмультиплетной безызлучательной релаксации. Для промежуточного канала СИ в случае трех последовательных индуцированных каскадов Ьп3+-актпваторов в кристаллах возникает ситуация, которую можно назвать «обратной пуш-пульной» лазерной схемой по аналогии с известной «пуш-пулыюй» мазерной. Аналогия здесь только терминологическая, поскольку

влазерной схеме псе генерационные переходы помогают друг другу. Если для

возбуждения СИ в каскадных схемах использовать разноволыовую лазерную накачку нескольких рабочих уровней, то генерационные возможности диэлект­ рических кристаллов с Ьп3+-ноиами еще больше расширятся.

Каскадный принцип возбуждения СИ, в том числе с уровней короткожнвущих состояний Ьп3+-активаторов, существенно обогатил арсеиал методов

1 Из выступления II. 11, Феофилова па открытии первого Всесоюзного симпозиума по снек

троскошш кристаллов (Москва, февраль 1965 г.).

££

/

5

Рис. 5.1. Упрощенные каска­ дные лазерные схемы Ln3*- ноно п в кристаллах

а — прямые; б — кросскаскадиые. Каналы накачки указаны обычны ми, а лазерные переходы жирными стрелками. Безызлучательная межмультиплстная релаксация и пере­ дача энергии возбуждения между разнотипными Ln3+-активаторами показаны волнистыми и штриховы­ м и стрелками соответственно

расширения ИК-границы диапазона генерации диэлектрических кристалловНапример, если длительность импульсов генерации в первом лазерном каскаде будет короче 1 мкс (при реализации режима модулированной добротности, синх­ ронизации мод пли использовании соответствующей ультракороткой лазерной накачки), то можно возбудить длинноволновое СИ намежштарковскнх перехо­ дах последующего канала с энергетическим зазором менее 2500 см-1, люмине­ сценция с начального состояния которого в обычных условиях накачки сильно потушена активной безызлучательной релаксацией. Конечно, для реализации такой ситуации требуется подбор Ьп3+-актлватора, матрицы-основы, в главное, нары (тропки) межмультпплетных каналов, которые бы удовлетворяли всем необходимым спектроскопическим требованиям. Уже проведены первые обна­ деживающие эксперименты по получению генерации СИ в средней ИК-области спектра с применением каскадных лазерных схем 13—6]. В частности, для по­ лучения СИ в пятимикронном диапазоне представляют интерес интенсивные межмультшшетные переходы между состояниями нижнего ‘‘/-терма ионов Nd3+ в кислород- и особенно во фторсодержащих кристаллах [3, 7]. Для «накачки» их начальных уровней может быть использована в качестве первого каскада эффективная генерация на переходах межмультиплетпых каналов iF*/t —*■

Применение импульсной каскадной генерации расширило эксперименталь­

ные возможности определения скорости многофононных безызлучательных переходов Ьи3+-активаторов, причем в тех временных интервалах, где традици­ онные люминесцентные методы теряют свою эффективность [8]. Каскадный прин­ цип генерации имеет ряд преимуществ перед другими методами создания неравно­ весного распределения возбуждения по уровням активатора в больших объе­ мах кристалла, что является важным для постановки опытов по генерации и детектированию фононов терагерцового диапазона [9]. Каскадный принцип СИ в сочетании с многолучевыми схемами лазеров на основе кристаллов с Ln3+- ионами [10] обещает много интересных технических решений [11]. Реальность создания функциональных каскадных схем на основе 5d — 4 /— 4/ переходов Ьп3+-активаторов, равно как и на межмультпплетных 5/—5/ каналах Ас34-ионов, в| кристалллах не вызывает сомнения.

5.1.Каскадные лазерные схемы Ьп5+-активаторов

После первых экспериментов но каскадной генерации активированных кри­ сталлов в начале 70-х годов [1, 2] реализовано большое число прямых функцио­ нальных каскадных лазерных схем Ьп3+-активаторов (табл. 5.1). Несмотря на очевидную простоту этого принципа возбуждения СИ его экспериментальное