Материал: Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Рис. кЛ . Зависимости вероятности безызлучательных переходов Ьп3+-активаторов в куби­ ческих лазерных кристаллах-гранатах (Yi_^Lnx)3AlBOi2^ при Т — 0 как функция энерге­

тической щели

Экспериментальные данные и сплошная линия — результаты работ [8, 16, 46, 79—85]

часть кристаллического поля (4.4) от модуляции поля обменных зарядов ко­ лебаниями решетки будет иметь вид

(4.6)

Соответственно W J J > р-фононного безызлучательного J rw-* J' перехода будет пропорциональна т2Я (т = 2aR).

Опубликованные результаты расчетов величин W jy по ионно-нелинейному механизму ЭФВ для некоторых безызлучательных многофононных переходов Ьп3+-активаторов в широкоиспользуемых лазерных кристаллах представлены в табл. 4.1—4.3 и иллюстрируются рис. 4.1—4.5. Туда также включены и пока немногочисленные данные вычислений Wjjt по ковалентно-нелинейному ме­ ханизму. Из табл. 4.1 и 4.3, а также из рис. 4.1 и 4.3 видно, что ковалентно-не­ линейный механизм для AEJJ>> 2000 см 1 (р^ 4) приводит к заметному уве-

Ln3+-iion

Переход J № > J '

& E jjr , CM- 1

 

 

CT*

тж/ЭКС

r—i

 

 

w

j j n

c

р г 3+

3Р 0 №■ 1D i,

-3500

 

 

 

 

 

SO

 

Nd3+

l D% /w-> l G±

~6000

 

 

 

SO

 

4 u u n * 4 V t

-1350

5-10®

 

-

 

 

l G ,u №> 26?,/s

-1390

 

-

 

 

 

- 1 0 7

 

4/,3^

V11/f

~1575

6,3* 1 0 8

 

 

 

 

 

 

 

~ 2 2 2 0

3,1.10*

 

-

2 -1 0 5

Eu3+

*F3fx t m

 

~4700

4,3.10-*

 

SO

 

5D i m-y 5D 0

~1750

 

 

 

1,5-10*

 

SD 2 W * 5D I

-2400

 

 

-

4-10*

ТЬ3+

bD 3

 

5D ,

-2700

 

_

 

 

1 ,6 -1 0 *

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7F 3 № ’ ‘,F i

-670

31012

 

 

 

7F i w> 7F 5

-830

2 - Ш11

 

-

 

Но3+

7F b №

7F e

-1360

8 -1 0 9

 

 

6F a №» bF.\

-1850

 

 

 

- 1 0 ®

 

ъР ь

M * 574

- 2 1 0 0

 

 

»3,3- 1 0 s

 

55 2

 

bF b

-2800

 

-

 

 

1.M0*

 

4 c

w -

ЪJ^

-3200

 

-

 

 

1 ,8 -1 0 *

Ег3+

Ч-, №■ s / 8

-4700

 

-

 

 

— 8

 

 

 

 

-1950

 

-

 

 

8,3-10s

 

4 V t m

4 llu

-1990

1 6

.

1 0

*

 

- 5

10*

 

,

 

 

 

 

 

4/4

m

*JV ,

-2530

 

-

 

 

4,9-10*

 

-2950

 

-

 

 

3,6-10J

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-3415

1,3*102

 

5,9-10!

 

4/ M/s /W>

-6125

 

 

 

 

s o

Таблица 4.3. Вероятности межмультиплетпых безызлучательпых /

переходов

Ьп3+-иопов в анизотропных одноцентровых фторидах [3, 8, 71, 72]

 

 

 

 

LiYF,

LnH-iion

Переход J №> J'

CM”1

W j r , c-‘

 

 

 

 

Pr3+

3F t m

aF 3

_

_

-

 

3i?2

3//e

 

• F a m

aF t

-1140

1,4-10®

 

3tf6 лм» 4 1 %

-1760

2,3-10®

 

3H , w? ЯН В

-1765

2.3-10®

 

lG t №■ 9F ,j

-2480

5,8-102

Nda+

*/»/,

 

-

-

 

 

 

-

-

 

*G7/t ^ 2Gr/f

-

-

 

 

 

 

LaF:

BaErjFe

AEJJ-,

W J J U c-*

AEj-j-.

W J J ; C-

CM-1

 

CM"1

 

-210

1,3-10'5

_

_

-350

1,6-10*2

-

-

г —i о

6,7-10»

-

~

-1670

6,9-102

-

-

-1790

1,1-10*

-

-

-

-

-

-

-1480

-10*

~

-1540

-10*

~

-1550

4,2-10*

-1700

9- 102

-

 

1

 

Ьп*+-ион

S m 3+

D y3+

Но3+

Ег3+

Переход J №> Jr

л , (1

*HUJt /W*6# „ д

'В Чгт ' Н Чл

V V.

•Пп/ят * Н п/>

вЯ ,аД м **В и/г

sh «V» 5/ B

SFB №• 5/ i sh м» ah bS 2Hi* 6F6

4F V im 2ff,t/t

*F*hm *F'I.

<GnU № *H th

2я , д m * F tjt

*I,/t

*F,Jm№■ lI,j,

*S./MH» * F ,U

LiYF,

L 3F3

CM” 1

W jj't c- 1

c r >

WJJ'> c~ ‘

 

 

- 8 8 5

1,2 -108

 

 

-

-

- 9 3 0

4 ,9 -107

-

-

— 1050

4,3-10®

-

- 1 1 8 5

4,5 10s

-

- 2 0 9 0

- 1 0 - '

-

-

- 6 9 0

7 .6-107

-

-

- 1 3 1 5

2,3-10*

~ 2 0 9 0

2 .4 -103

- 2 1 9 5

1,1-10»

-

-

- 1 8 5 0

4,7-10*

- 1 8 8 0

2,4

- 1 9 5 0

4,8 -10'

 

- 2 4 5 0

4,1-10»

 

 

—2830

4 ,5 -1 0 -»

- 1 2 2 0

7 ,2 -107

- 1 2 3 5

2 - 10s

 

3,5-10® *

 

 

- 1 5 5 0

1,6- 10е

- 1 6 1 0

9-102

 

9,8 -10е *

 

 

-

- 1 6 4 5

3,2-10»

-

- I 8 6 0

- 0 ,3

—2045

1.0-103

- 2 0 2 0

2,4 -10 -»

 

5,2- 10s *

 

 

- 2 6 6 0

—3

-

-

 

4 1 0 ' *

 

 

- 2 9 6 0

8 -10“ »

 

—2 *

 

 

ВаЁггР, '

CM"1

WJJ'. c-

_

 

-

__

 

 

-

 

- 2 0 2 0

2 ,6 -10s

- 2 9 3 0

6,6-10»

_

_

 

_

_

_

 

_

- 1 2 1 0

2,1*10*

- 1 5 5 0

4,2*10*

_

_

-

- 2 0 2 5

9* 10*

-

-

 

-

Т ш 3+

3J^2

V 3

-

4 4 0

2 .2

-1 0 "

-

5 3 0

2,3-10*

 

V 3 №> 3^4

- 1

5 9 5

8,2- 10s

- 1

6 1 0

6,3-10»

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3# s

*v*3/ / 4

- 2 3 0 0

9

-10*

 

-

* Результат

получен в

[77J

с использованием ковалентно-нелинейного механизма в рамках мето­

да обменных зарядов.

 

 

личению

вероятности

W j y по сравнению с ионно-нелинейным механизмом и

к лучшему согласию рассчитанных значений Wjj' с измеренными.

Ниже коротко рассмотрим результаты работ [75, 77] по ковалентно-нелиней­ ному механизму многофононной безызлучательной релаксации с использованием модели обменных зарядов. Что касается этого механизма, проанализированного в рамках метода МО — ЛКАО, мы его затрагивать не будем, поскольку ему посвящена работа [73]. Здесь будет, по-видимому, уместно отметить, что линей­ но-деформационный механизм, как и индуктивно-резонансный, применительно к активированным лазерным кристаллам подробно описан в [3, 8 , 78].

4.1.1. Ковалентно-нелинейный механизм [75, 77, 97]

Вероятность многофононной релаксации Ьп3+-активаторов в кристаллах рас­ смотрим в первом порядке теории возмущений. При этом гамильтониан возму­ щения представим в виде

V = Я - <#>,

(4.8)

Рис. 4.2. Зависимости вероятности безызлучательных переходов Ьп3+-ак- тиваторов в ромбических лазерных кристаллах Yi_xLnvA103 при Т — О

как функция энергетической щелп

Экспериментальные данпые и сплошная линия — результаты работ [5, 8, 18, 15, 86]

где Н — его часть, ответственная за электрон-решеточное взаимодействие, а операция <(...> означает тепловое усреднение по колебаниям решетки. Тогда

скорость этого

безызлучательного процесса будет

 

 

оо

 

 

 

=

5 exp( i m ) < V a'a(t)Vaa' > d t ,

(4.9)

где

00

 

 

 

 

 

 

 

Q = (Ек -

Еа')№,

Va*' = ( a \ V \ а'),

 

V (t) =

exp (iffLtlh)

V exp (- i H Lt/h),

 

S L — гамильтониан фононной подсистемы, Q — боровская

частота Еа w* Е а

перехода.

 

 

 

 

Рис. 4.3. Зависимости вероятности безызлучательных переходов Ln^-ак­ тиваторов в тетрагональных лазерных кристаллах LiYi_xLnxF.i, со струк­ турой шеелита при Т = 0 как функция энергетической щели

Экспериментальные данные и сплошная линия — результаты работ [21, 45, 43, 87, 88]

В модели обменных зарядов гамильтониан Я, характеризующий уже эф­ фективное кристаллическое поле, представим, согласно [76], в виде^

Н = Нм 4* НЕ,

 

(4.10)

ядесь Нм — описывает поле точечных мультиполей, как и в (4.5), а

 

//**23'в л п )

2 гГшМг.тН)

(4.И)

t.j к

\т \< к

 

учитывает эффекты ковалентности и перекрывания. Здесь гг и Z] — координаты соответственно i-го лиганда и j-го 4/-электропа (сумма по i включает только ближайшее окружение Ln3+) и ГКш — сферические гармоники, a nf = г*/гг

и п£. =

— единичные векторы. В (4.11) знак 2 означает суммирование

по четным Л, нечетные гармоники опущены, поскольку они несущественны для безызлучательной релаксации внутри 4/-конфигурации.