Материал: Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

(S, L , J)

( S ' , L \

J')

Et C M - 1

2

t= 4

 

 

3H5

19 700

0

0,0011

0,0185

 

3H ,

22 250

0,1240

0,0116

0,2266

 

3 / / o

27 800

0

0,3079

0,0926

 

3F2

6100

0,0060

0,0717

0,0417

 

3Fз

6 700

0,0105

0,0733

0,3056

 

3F,

8 500

0,0034

0,0194

0,0718

 

Зи ъ

12 950

0,0738

0,0059

0,5423

 

3//4

15500

0,1583

0,0042

0,3783

3F 2

3/ / G

21050

0,0481

0,0752

0,0119

*F*

650

0,004

0,075

0

 

°F,

2450

0,311

0,056

0,044

 

3Ih

6 900

0

0,29

0,583

 

4h

9400

0,287

0,163

0,074

3F3

3 / / c

15000

0

0,0005

0,258

3F<

1800

0,002

0,0005

0,167

 

3НЪ

6 250

0,629

0,347

0

 

41,

8 750

0,081

0,344

0,264

3F,

3HCl

14 350

0

0,316

0,841

5

4 450

0,089

0,125

0,905

 

4 h

6 950

0,129

0,133

0,213

4 h

*Ih

12 550

0,527

0,718

0,228

3fh

2 500

0,011

0,48

0,004

3H,

3fh

8100

0,107

0,231

0,638

3fh

5 600

0,249

0,118

0,608

матрице (например, для иона Pm3+ 119)) нлп когда число наблюдаемых межмультиплетпых переходов было недостаточно для определения Qt (например, для иона Yb3+ [20]).

Изложенная выше процедура вычисления Q(, хотя и широко используется для спектроскопической характеризации активированных кристаллов, однако обладает тем недостатком, что переходы разной интенсивности включаются в расчет с разным весом (тем большим, чем выше интенсивность) в определении условия минимального 8s. В результате у исследователей, оперирующих с раз­ ными массивами s, получаются отличающиеся наборы параметров Q(, дающих хорошее согласие с экспериментом. Один из возможных подходов к устранению указанного недостатка содерлштся в [21].

3.3.Магнитодипольные переходы Ьп3+-ионов

Магнитодипольные

переходы

подчиняются следующим правилам отбора:

М = 0 ,

AL = 0,

 

AS = 0,

| А /

| < 1 (0

0),

из которых следует, что они разрешены между состояниями одной четности. Сила линии mrf-перехода определяется выражением

$ $ “ (■- S k i! I

IIL + 2SIIч К 1 '> Is-

<зл>

Для расчета матричных элементов оператора md-момента L -+■ 2S между мультиплетами ^-^-конфигурации Ьп3+-ионов в [61 приведены соответствующие фор­ мулы.

Сила осцилляторов md-перехода между мультиплетами Ьп^-ионов

- „ ,Л ‘

7 I <УИ/ и ■L + 2SII 4/" 7'> I*

(3-8>

6тс (2/ +

1) А

 

Таблица 3.10. Параметры интенсивности Q, генерирующих стимулированное излучение ионов Ln*+ в кристаллах (10~20 см2)

Кристалл

 

П3

 

 

 

Литература

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ионы Рг3+

 

 

 

 

LiYF4

 

0

8,07

 

7,32

[22]

BaYb2F8

 

1,5

8,7

 

5.9

[23]

LaF3

 

0,12

1,77

 

4,78

[24]

 

 

0,13

0,70

 

10,00

[29'

LiPrPtOi2

 

1,08

2,01

 

4,53

[30]

 

1,82

2,83

 

6,54

12

 

YAlOj

 

2,00

6,00

 

7,00

'25

 

PrPsOn

 

46,00

28,00

 

20,00

'26

 

 

1,34

1,19

 

6,09

'73

 

 

 

 

Ионы Nd3+

 

 

 

 

LiYFt

 

1,9

2,7

 

5,0

[27]

LaF,

 

0,12

1,95

 

12,3

Г28

 

 

0,35

2,57

 

2,50

' 24]

BaFt-CeF3

 

0,94

2,3

 

2,49

[30]

 

0,43

1,32

 

4,5

[31

BaFj-LuFj

 

0,67

5,25

 

4,58

[31

GdFs—CaF2

 

0,59

2,46

 

2,91

32

 

LiNdPtOis

 

1,35

2,33

 

4,27

79'

KNdPtO,2

 

1,38

3,04

 

4,05

з з :

CaY2Mg2Ge3Oi2

 

1,31

3,11

 

5,57

91

 

0,93

3,61

 

4,41

80'

Y20 ,

 

8,55

2,94

 

2,89

24'

YAlOj

 

1,24

4,68

 

5,85

34'

YsAlsOi2

 

0,2

2,7

 

5,0

[18]

 

 

0,37

2,29

 

5,97

31

 

Y*SiOs

 

1,0

2,9

 

9,3

'28

 

 

0,67

6,19

 

2,71

35'

YVOt

 

5,88

4,08

 

5,11

36'

BaGd(MoOt)t

 

6,00

8,0

 

4,0

37

 

LajBejOi

 

2,11

4,39

 

6,04

[80

 

GdsGa3Oi*

 

0,0

3,3

 

3,7

27

 

 

 

0,05

3,25

 

3,66

[80

 

GdGaGe20 7

 

0,02

6,7

 

6,7

[90]

 

0,907

2,773

 

5,981

[38]

Gd*(MoO,)s

 

4,22

2,57

 

2,35

[90]

GdjSczGasOi2

 

0,35

2,35

 

3,23

[39]

NdPsOu

 

0,53

2,80

 

3,69

'79'

L113SC2AI3O12

 

0,22

3,07

 

5,27

31

Ca2Ga2Si07

 

0,82

2,41

 

6,44

[40]

Ca3GazGetOi4

 

1,88

3,65

 

5,65

[41]

Csj (Nb. Ga) 2Ga«Oi2

 

1,91

2,59

 

3,74

[42

 

SrjGa2GeiO«

 

2,32

1,63

 

4,74

41

 

Zr02- Y 20 ,

 

0,23

1,20

 

1,36

[31

]

LaMgAliiOij

 

6.55

2,31

 

3,82

43

 

7La*03 —9Si02

 

1.27

3,99

 

3,06

35

'

La»GabSiOn

 

2,4

4,6

 

3,4

'44

'

La3Gas.3Nbo.3O14

 

2,8

3,2

 

4,6

'45

 

LasGas.iTao.jOu

 

2,65

2,85

 

3,72

[46

'

LatOiS

 

6,32

4,55

 

4,42

'47

 

 

 

 

Поны Eu3+

 

 

 

 

Y»Oj

1

9,86

2,23

I

0,32

[48

]

 

1

6,3

0,7

1

0,5

[ 27

]

К ристалл

Q2

Gfl

Л итература

 

 

Ионы Dy3+

B aY b 2F 8

0,06

2,3

1,2

'23

LaFa

1,10

1,40

0,9

49

 

0/18

0,69

i,i6

30l

Ионы Ho3+

L iY F t

1,16

1,62

 

1,60

[50

Si^YsFig

1,14

1,71

 

1,21

51

1,16

1,97

 

1,45

92

НаУгЬв

0,93

1,75

 

1,94

51

B aY b2F 8

0,39

2,3

 

1,3

23

YAlOa

1,82

2,38

 

1,53

15:

Y3AI5O12

1,2

5,29

 

1,48

21

 

 

Ионы Ег3+

 

 

 

L iY F 4

1,92

0,26

 

1,96

[52'

 

2,53

0,36

 

2,03

53

B aY 2F g

0,42

1,28

 

1,10

Г51

ВаЕггГв

0,43

1,21

 

1,1

Г541

BaYb2F8

1,07

0,4

 

0,94

[56]

 

1,5

1,2

 

0,99

23

 

1,08

0,38

 

0,98

Г551

LaF3

1,07

0,28

 

0,83

[9]

 

0,37

0,51

 

0,8

30]

S rF ,-E v F j

1,24

2,01

 

1,34

57

Zr0 2- Y 20 3

2,92

0,78

 

0.57

89

YAIO3

1,06

2,63

 

0,78

[34

Y 3A l50i2

0,66

0,81

 

0,71

21

 

0,45

0,98

 

0,62

58

 

0,47

0,96

 

0,61

'58

LU3AUOI2

0,454

0,971

 

0,625

’56]

0,46

1,06

 

0,72

'58]

 

0,47

1,04

 

0,7

58]

B i4Ge30 i2

0,473

1,014

 

0,729

56]

1,64

0,51

 

0,20

59

 

1,66

0,46

 

0,21

59]

 

 

Ионы Tin3+

 

 

 

BaYbzFg

1,2

 

 

1.2

'23]

YAlOs

0,67

 

 

) <4

'34

 

0,708

12

 

1./53

’66’

Y3AI5O1!!

0,7

j

) ,

'27

 

0,89

m

0,68

’21

 

0,90

0,70

 

0,85

21]

была вычислена в [60]. Некоторые ив этих результатов, касающихся Ln3+-ак­ тиваторов, на межмультиплетных переходах которых возбуждается СИ, при­

ведены в табл. 3.11.

Несмотря на то, что

< A vjy , в некоторых случаях

темпервходы могут

дать заметный вклад в суммарную вероятность A JJ (см.

формулу (1.4)) ивлучательного /-> -7 ' канала. Здесь в качестве примера можно

указать на генерационные межмультиплетные переходы:

bDt -+■ 7Flt%

ионов

Еи8+ [61], Ча 6/ 7

и */,

6/ 8 ионов Но3+ [62], </мА

«/»,. и Чч ,

*/»,.>

ионов Ег3+ [9] и др.

(см. также [48]).

 

 

Таблица 3.11. Силы осцилляторов т^-пороходов с основного (S, L, ^-мультинлстив

«лазерных» Ln3+-nouou [СО]

Lll*+-1I0H

(S'. I/, J')

Е, СМ-1

 

Ln3+-non

(S', и ,

J')

Е, см- 1

,m d

 

f j j *10®

р гз+

з я

5

2 320

9,76

 

 

 

3 500

 

 

 

 

6 540

0,02

Dy3+

“И * , .

22,68

 

*64

6 970

0,49

 

Ч к ,

*

22 300

5,95

 

9 880

0,25

 

п !г

 

26 000

0,41

Nd3+

4 /”/«

2 000

14,11

 

* 1 » , .

 

 

12 700

1,12

 

 

 

26 360

0,09

 

ш

9/1

 

 

 

 

 

 

14 850

0,20

 

? М ,Ч )аи

29 200

0,69

 

»G,,

17 300

0,02

Но3+

ч -

 

5100

29,47

 

2.Г

7*

28 600

0,05

 

3К 6

 

21 300

6,39

 

 

 

Ч ( 7

 

26 100

0,28

 

I u h

 

 

 

 

Eu3+

~ F \

350

17,73

Егз+

47«/„

29 000

0,12

 

 

 

19000

1,62

6 600

30,82

 

 

 

33 400

2,16

 

 

 

27 800

3,69

Т Ь 3+

• F ,

2100

12,11

 

 

 

Тш3+

зя 5

 

8 400

27,25

 

SGB

26 400

5,03

 

 

BGS

27 800

0,36

Yb3+

ч .

 

34 900

1,40

 

* L 6

29550

0,14

гЧ

 

10 400

17,76

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.4. Параметры спектроскопического качества лазерных кристаллов с Ьп3+-активаторами

Определив описанными выше методами силы линий sfy и SJJ-, легко по (1.4) вычислить вероятность A JJ>исследуемых межмультиплетных / /' переходов и по (1.2) связанные с ними коэффициенты (5J J >, т. е. получить необходимые сведения об интенсивности люминесценции данного активированного кристал­

ла в соответствующих участках спектра. Метод определения SJJ> связан с про­ ведением, особенно для анизотропных соединений, трудоемких измерений ин­ тегральных коэффициентов поглощения, которые базируются на знании абсо­ лютной концентрации Ьп3+-активатора.

Обширный материал, накопленный при изучении лазерных кристаллов с Ьп3+-ионами [63—66], позволил выявить важные закономерности в поведении

их спектроскопических свойств от параметров

и на основе этой связи разра­

ботать

простые методики определения коэффициентов fyjy [31, 58, 67—71].

3.4.1.

Параметр спектроскопического качества

 

 

для кристаллов с ионами Nd3+

0

 

 

Ионы Nd3+, как уже неоднократно отмечалось выше, наиболее используемы_ активаторы в лазерных кристаллах (см. табл. 1.1, 1.3, 1.5, 1.6 и 1.9). Они об_ ладают свойствами [63—66], которые без особых затруднений позволяют воз

буждать СИ при 300 К на переходах

основного *F»/t Чп/г и дополнительного

*Ftjt —^ 4/ I>/4 генерационных каналов

(см. табл. 1.10).

Анализ, проведенный в работах

[31, 67], показал, что вероятности AJJ>

для каналов люминесценции *F*/t -*~ Ч у зависят главным образом от Q4 и

так как матричный элемент <|| СЛ2>||> для переходов

между этими мультиплета-

ми равен нулю (| Д / |

2,

см. также

табл. 3.2).

Тогда коэффициенты

можно представить в

виде

зависимости

от одного параметра — отношения

XNd № ,) = QJQt .

 

 

 

(3.9)

Оно в [31, 67] было названо параметром спектроскопического качества крис­

Рие. 3.1. Заипашости PJJr (X ) н упрощенная схема люминесцентных

каналов попов Nda+ [67]

Для 1ь/п (Л’) шкала ординат увеличена в десять раз. Длина волны межмультиплетных переходов приведена в микрометрах

таллов с нонами Nd3+. Подставляя (1.4) в (1.2), можно получить аналитические зависимости

13jj' (Xuci) =

+ bj') Ljj-

(3.10)

+ by) kjj,

2

 

Г

где константы aj и bj равны

<*r = I Cfy. II */(4)II 4 Г > 18

И

Ъг = |< 4л /вц им и 4/^> |p

соответственно. На рис. 3.1 зависимости (3.10) представлены в графическом виде. При их вычислении матричные элементы были взяты из [16]. Из приведен­ ных данных следует, что каждому кристаллу будет соответствовать свои па­ раметр .Хш» который в свою очередь будет определять набор из четырех коэф­ фициентов P/j'. Эти зависимости имеют универсальный характер, в частности они могут характеризовать н неодимовые стекла [74].

Из рис. 3.1 следует, что максимально возможное значение fijj- для основ­

ного канала

*Fi/t — 4/п/з составляет — 0,66 н для дополнительного 4/>,

4/н/а 0,17.

Наибольшая же плотность люминесценции ~ 0,75 может быть

на другом дополнительном канале 4Л/, —

Поскольку для определения параметра X кристаллов с ионами Nd3+ необ­ ходимо знать только отношение то можно не делать полного расчета ин­ тенсивности всех наблюдаемых полос поглощения. Для этого можио выбрать такие состояния, уровни которых расположены достаточно изолировано и пере­

ходы на которые зависят лишь от

и Й„.

В [31, 67] было выбрано два таких

мультиплета — 2Pi/, и 4/»/,> интенсивность

связанных с ними абсорбционных

каналов можно характеризовать

 

 

^ (Ч.,„ УЧ) = 0,03670,